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最終更新日:2023年08月16日

イサハヤ電子株式会社
イサハヤ電子株式会社
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ツェナー内蔵によるサージ耐量UPと安定した高いアバランシェ耐量実現!

『INKEシリーズ』は、ドレイン・ソース間にツェナーダイオードが 接続(内蔵)されており、モーターやソレノイドドライブ時の 逆起電力からMOSFETを保護するツェナーダイオード内蔵型MOSFETです。 内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵する事で、 過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護。 ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 しており、逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要となります。 【特長】 ■内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵 ■過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に  ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護 ■ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 ■逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

    ダイオードトランジスタ
ツェナー内蔵用.png

ツェナーダイオード内蔵型MOSFET『INKEシリーズ』

ツェナー内蔵用.png
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基本情報

【ラインアップ(一部)】 ■SC-59 ・INKE111AC1 ・INKE211AC1 ■SOT-89 ・INKE211AP1 ・INKE211BP1 ・INKE211CP1 ・INK021ABP1 ■TO-92S ・INK021ABS1 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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用途/実績例

【用途】 ■リレー駆動回路 ■モータードライバ回路 ■点火装置 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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イサハヤ電子は、1973年から小信号トランジスタの生産を開始し、培ってきた半導体技術をゲートドライバやDC/DCコンバータの設計技術へと進化させてきました。 近年では更に、カーボンニュートラルの一翼を担うべく、高効率、高力率の電源技術開発に力を入れております。 (三相PFC、1500V入力対応DC/DCコンバータ、双方向コンバータ等) 一方、多様なニーズに応えるべく、小信号トランジスタも高機能化、複合化と進化を遂げ、高耐圧・大電流トランジスタ、MOSFET、アナログICのラインアップを拡大しております。

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