更新日： 集計期間:2026年06月03日～2026年06月30日
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先端パワー技術OptiMOS 7 80Vを用いたMOSFET製品を発売します！
本製品は、汎用性、堅牢性に優れた高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2) での提供です。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 また、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■高いアバランシェ耐量 ■高い(安全動作領域(SOA))耐久性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低容量・低ゲート電荷により、スイッチング損失を大幅削減！
当社で取り扱う「MOSFET LM MOSFET(産業機器)」について、 ご紹介いたします。 低RDS(on)で、システム効率を飛躍的に向上。 低容量・低ゲート電荷により、スイッチング損失を大幅削減しました。 先進パッケージで、卓越した熱性能を提供いたします。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【製品(一部)】 ■NVMFS5C450NAFT1G-YE ■NVMFS5C450NET1G ■NVMFS5C450NET1G-YE ■NVMFS5C450NET3G-YE ■NVMFS5C450NWFET1G ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
デバイスの過渡熱抵抗など図を用いて解説！適当なパラメータを持つMOSFETを例にして計算を行います
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当レポートは、しるとくレポNo.52でお話ししたMOSFETのアバランシェ 耐量試験の続きとなります。 デバイスの過渡熱抵抗やアバランシェ動作時の損失と時間の関係について 図やグラフを用いて解説。 デバイス選定の際に、異なる条件で測定されたデバイスを比較しても あまり意味はありません。データシート値のみを参考にするだけではなく、 できるだけ実動作に近い環境で実測することをお勧めします。 【掲載内容】 ■デバイスの過渡熱抵抗 ■アバランシェ動作時の損失と時間の関係 ■Tjと時間のグラフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
先進のPowerTrench T10テクノロジーにより、業界最高水準のRDS(on)を実現！
当社で取り扱う「MOSFET LM MOSFET(オートモーティブ)」について、 ご紹介いたします。 スイッチング用途において優れた性能と信頼性を実現する、 低～中電圧パワーMOSFETの包括的ポートフォリオ。 高電力密度、スイッチング損失の低減、優れた熱性能を兼ね備え、 システム性能を大幅に向上しました。 【製品(一部)】 ■STTFS015N10MCL ■STMFSC3D1N08M7 ■STMFSC017N15M5 ■STMFSC008N10M5 ■STD5407N ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
