更新日： 集計期間:2026年09月16日～2026年10月13日
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ハードスイッチング動作とソフトスイッチングトポロジーの両方で、主要な特性値が大幅に改善！
D2PAK-7L(TO-263-7)パッケージの当製品は、第1世代の技術がもつ強みを 活かして、よりコスト最適化された、効率的でコンパクト、高信頼性の ソリューションのシステム設計を加速させられます。 第2世代は、AC-DC、DC-DC、DC-ACステージのすべての一般的な組み合わせに 適したハードスイッチング動作とソフトスイッチングトポロジーの両方で、 主要な特性値が大幅に改善されています。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■きわめて低いスイッチング損失 ■過負荷時の最大温度 Tvj ＝ 200℃ ■短絡耐量 2 μs ■業界標準となる閾値電圧、VGS(th)＝4.2V ■寄生ターンオンに対する堅牢性、0 Vターンオフゲート電圧を印加可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
同クラスで最も低いRDS(on)とWide SOAを備えたマーケットリーダー！
インフィニオンの「OptiMOSリニアFETファミリー」に、3つの新しいPQFN (5 x 6mm)(SuperSO8)製品と1つの新しいPQFN(3.3 x 3.3 mm)(S3O8)製品が 加わりました。 いずれの製品もきわめて低いRDS(on)、25℃および125℃での広い安全動作領域 (SOA)を実現しています。OptiMOS Linear FETは、オン抵抗とリニアモード性能 のトレードオフを解決する画期的なアプローチです。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■低RDS(on) ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■小型、低背パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低電圧駆動MOSFETラインナップを拡充中！
携帯電話をはじめとするモバイル機器では、消費電力を減らして 駆動時間の長時間化を図るため、回路の損失低減が必要と なっており、低電圧駆動のMOSFETが求められています。 当社では、第一弾として、ウエハプロセスの最適化により、 1.8V、1.5V駆動品を拡充し、第二弾で1.2V、第三弾で0.9V までの開発を予定しております。
先端パワー技術OptiMOS 7 80Vを用いたMOSFET製品を発売します！
本製品は、汎用性、堅牢性に優れた高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2) での提供です。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 また、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■高いアバランシェ耐量 ■高い(安全動作領域(SOA))耐久性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低容量・低ゲート電荷により、スイッチング損失を大幅削減！
当社で取り扱う「MOSFET LM MOSFET(産業機器)」について、 ご紹介いたします。 低RDS(on)で、システム効率を飛躍的に向上。 低容量・低ゲート電荷により、スイッチング損失を大幅削減しました。 先進パッケージで、卓越した熱性能を提供いたします。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【製品(一部)】 ■NVMFS5C450NAFT1G-YE ■NVMFS5C450NET1G ■NVMFS5C450NET1G-YE ■NVMFS5C450NET3G-YE ■NVMFS5C450NWFET1G ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
デバイスの過渡熱抵抗など図を用いて解説！適当なパラメータを持つMOSFETを例にして計算を行います
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当レポートは、しるとくレポNo.52でお話ししたMOSFETのアバランシェ 耐量試験の続きとなります。 デバイスの過渡熱抵抗やアバランシェ動作時の損失と時間の関係について 図やグラフを用いて解説。 デバイス選定の際に、異なる条件で測定されたデバイスを比較しても あまり意味はありません。データシート値のみを参考にするだけではなく、 できるだけ実動作に近い環境で実測することをお勧めします。 【掲載内容】 ■デバイスの過渡熱抵抗 ■アバランシェ動作時の損失と時間の関係 ■Tjと時間のグラフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
先進のPowerTrench T10テクノロジーにより、業界最高水準のRDS(on)を実現！
当社で取り扱う「MOSFET LM MOSFET(オートモーティブ)」について、 ご紹介いたします。 スイッチング用途において優れた性能と信頼性を実現する、 低～中電圧パワーMOSFETの包括的ポートフォリオ。 高電力密度、スイッチング損失の低減、優れた熱性能を兼ね備え、 システム性能を大幅に向上しました。 【製品(一部)】 ■STTFS015N10MCL ■STMFSC3D1N08M7 ■STMFSC017N15M5 ■STMFSC008N10M5 ■STD5407N ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
