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60-V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD18541F5』
54mΩ、60V Nチャネル FemtoFET MOSFETテクノロジ『CSD18541F5』は、 スペースに制約のある多くの産業用ロードスイッチ・アプリケーションで、 フットプリントを最小限にするよう設計され、最適化されています。 標準の小信号MOSFETをこのテクノロジに置き換えることで、 フットプリントサイズを大幅に低減できます。 【特長】 ■低オン抵抗 ■きわめて低いQgおよびQgd ■超小型フットプリント：1.53mm×0.77mm ■低プロファイル：高さ0.35mm ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
20V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD15380F3』
『CSD15380F3』 は、20V、990mΩ、N-チャネルの FemtoFETMOSFETで、多くのハンドヘルドおよび モバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。 容量が非常に小さいため、高速にスイッチングを実行できます。データライン・アプリケーションで 使用するとき、容量が低いことからノイズ・カップリングを最小に抑えられます。 標準の小信号MOSFETをこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。 【特長】 ■非常に低いCiSSおよびCOSS ■非常に低いQgおよびQgd ■超小型フットプリント：0.73mm×0.64mm ■超薄型プロファイル：最大高0.35mm ■鉛およびハロゲン不使用 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD22206W』
この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは バッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。 【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの小さな占有面積 ■鉛不使用 ■ゲートESD保護 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
