更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
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GEN2 シリーズ 32A 600V フルパックで0.1ohm を切る低オン抵抗を実現。
アイスモス・テクノロジーのICE32S60FP は32A 600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵！EU RoHS 指令対応のMOSFET
『XP23/XP26 シリーズ』は、低オン抵抗、高速スイッチング特性を 実現した汎用NチャネルMOSFETです。 リレー回路、スイッチング回路等、様々なアプリケーションに使用可能。 静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております。 パッケージは、小型SOT-23(TO-236)（2.9 X 2.4 X h1.15mm）を採用し、 機器の小型化に貢献します。 【特長】 ■ゲート保護ダイオード内蔵 ■低オン抵抗 ■高速スイッチング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
鉛フリーの鉛めっき、RoHS対応！オン抵抗と性能指数の改善により効率が向上
『OptiMOS 6 Power MOSFET』は、テレコム、サーバー、デスクトップPC、 ワイヤレス充電器、急速充電器などのスイッチモード電源（SMPS） アプリケーションに好適です。 オン抵抗と性能指数の改善により効率が向上。熱設計が容易になり、 並列数を減らすことで、システムコストの削減につながります。 また、「OptiMOS 5」に比べて、伝導損失やスイッチング損失が低減され 高い信頼性、高い電力密度を実現しています。 【特長】 ■RDS（on）を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■175℃のジャンクション温度に対応 ■高いアバランシェエネルギー定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
容易な設計および実装！ゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンスを実現
TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した 「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ 半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品です。 放熱性能15％向上し、単一デバイスで最高レベルの出力密度を実現。 実績済みの強化パッケージによる堅牢性で高信頼性を提供します。 また、設計が容易で、市場投入までの時間を短縮できます。 【特長】 ■TO247パッケージできわめて低いRDS(on) ■.XT技術で最高クラスの放熱性を実現 ■ゲート負電圧の定格を-10Vまで低下 ■-5V～0Vまでゲートオフ電圧の柔軟な選択 ■アバランシェおよび負荷短絡耐量 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高電圧 電力変換システム用！様々な電力交換システムに適しています。
2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの構築を可能にします。 他の利点として、使用数量削減によりゲート駆動回路を構成する要素の減少も可能で、コストダウン、シンプルな設計による信頼性の向上、およびPCBスペースを節約し、小型化に貢献します。 【特徴】 ○高ブロッキング電圧 ○独自の高電圧パッケージ ○端子間の沿面距離増加 ○オン抵抗の温度係数が正 ○省スペース（デバイスの複数直列接続を削減） 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
高信頼性と低損失を実現した1200V耐圧SiC MOSFETディスクリート製品
・放熱性を兼ね揃えた絶縁型パッケージ(Rth(j-c)=0.22℃・w Typ) ・ソース端子のインダクタンスの影響を低減して、より高速なスイッチングと低損失を実現する4ピン構造を採用 ・業界トップクラスの低オン抵抗(15mΩ Typ Tj=150℃)
低ゲート、低出力、低逆回復電荷！優れた温度特性でUSB-PDや急速充電器の設計に好適です
『OptiMOS PD』は、MOSFETの新たな製品ラインアップです。 USB-PDや急速充電器の設計に好適。短いリードタイムと 迅速な見積もり回答でお客様をサポートします。 低ゲート、低出力、低逆回復電荷で優れた温度特性を持ち、 2種類の小型標準パッケージを用意しております。 【特長】 ■ロジックレベルの可用性 ■低いオン抵抗RDS（on） ■低ゲート、低出力、低逆回復電荷 ■優れた温度特性 ■2種類の小型標準パッケージを用意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE20N60 は20A 600VのTO220 パッケージ です。 【特長】 ■TO220パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE10N60FP は10A 600VのTO220 Full Pak パッケージ です。 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE11N70FPは11A 700VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE15N73FPは15A 730VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは22A 600VのTO-263(D2PAK) パッケージ です。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE20N60Bは20A 600VのTO263-2L D2PAK パッケージです。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
高耐圧600V以上のパワー MOSFET！低オン抵抗・超低ゲート電荷量を特長とするMEMS技術のデバイスです。
『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧の スーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。 シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、 世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。 MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、 より小寸法へ展開することで、高パフォーマンスでコストメリットのある MOSFETをご提供いたします。 【特長】 ■高耐圧600V以上 ■耐高dv/dt ■高耐アバランシェ特性 ■高ピーク電流特性 ■増相互コンダクタンス特性 など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
GEN2 シリーズ 15A 600V GEN2 スーパージャンクションMOSFET
アイスモス・テクノロジーのICE15S60FP は15A 600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
