高耐圧600V以上のパワー MOSFET！低オン抵抗・超低ゲート電荷量を特長とするMEMS技術のデバイスです。
『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧の スーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。 シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、 世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。 MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、 より小寸法へ展開することで、高パフォーマンスでコストメリットのある MOSFETをご提供いたします。 【特長】 ■高耐圧600V以上 ■耐高dv/dt ■高耐アバランシェ特性 ■高ピーク電流特性 ■増相互コンダクタンス特性 など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
この製品へのお問い合わせ
基本情報
【アプリケーション】 ■ITハードウェア：data center,servers,cloud,laptops,tablets ■屋内外の電灯：HID 電灯 and LED 電灯 ■チャージャー、アダプターなどの電力電源、充電器 ■EV急速充電器 ■ソーラーインバーター等再生エネルギー ■電気自動車、産業用システム ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
カタログ（1）
カタログをまとめてダウンロード
企業情報
当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI（シリコンオンインシュレーター）、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーとして2004年に設立いたしました。(米国本社、英国製造拠点、東京R＆D拠点） 革新的な深いトレンチエッチを持つMEMS構造の高耐圧スーパージャンクションMOSFETを、シンプル且つ低コストプロセスで開発、実現しました。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。