更新日： 集計期間:2025年04月02日～2025年04月29日
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鉛フリーの鉛めっき、RoHS対応！オン抵抗と性能指数の改善により効率が向上
『OptiMOS 6 Power MOSFET』は、テレコム、サーバー、デスクトップPC、 ワイヤレス充電器、急速充電器などのスイッチモード電源（SMPS） アプリケーションに好適です。 オン抵抗と性能指数の改善により効率が向上。熱設計が容易になり、 並列数を減らすことで、システムコストの削減につながります。 また、「OptiMOS 5」に比べて、伝導損失やスイッチング損失が低減され 高い信頼性、高い電力密度を実現しています。 【特長】 ■RDS（on）を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■175℃のジャンクション温度に対応 ■高いアバランシェエネルギー定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高信頼性と低損失を実現した1200V耐圧SiC MOSFETディスクリート製品
・放熱性を兼ね揃えた絶縁型パッケージ(Rth(j-c)=0.22℃・w Typ) ・ソース端子のインダクタンスの影響を低減して、より高速なスイッチングと低損失を実現する4ピン構造を採用 ・業界トップクラスの低オン抵抗(15mΩ Typ Tj=150℃)
産業機器にも最適な1200V ！高速スイッチングや低オン抵抗を実現、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献！
東芝デバイス＆ストレージの産業機器・大容量電源向け1200V Sic MOSFETを紹介します。 SiC MOSFETの信頼性を向上させる株式会社東芝の第2世代チップデザインを採用。 ゲートしきい値電圧を4.2V～5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)を低減します。 また、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵し、 電力損失も低減します。 【応用機器】 ■産業機器等の高出力・高効率大容量AC-DCコンバーター ■太陽光インバーター ■UPS等の大容量双方向DC-DCコンバーター ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
温度に依存しないターンオフスイッチング損失！自動車業界の高い要求条件に合わせて設計
車載用「CoolSiC MOSFETファミリー」は、ハイブリッド車や 電気自動車の車載充電器やDC/DCアプリケーションにおいて、 優れた性能、品質、信頼性を発揮します。 このファミリ品は、信頼性、品質、性能に関する自動車業界の 高い要求条件に合わせて設計されています。 電力密度の向上、高周波化を実現し、冷却処理を減らすことが可能です。 【特長】 ■革新的な半導体素材：シリコンカーバイド（SiC） ■きわめて低いスイッチング損失 ■閾値なしの定常特性 ■IGBT互換の駆動電圧（15Vでターンオン） ■0Vターンオフゲート電圧 ■ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS（th）=4.5 V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SuperSO8パッケージとPQFNパッケージ(3.3×3.3)！高い電力密度を実現
「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの 新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。 インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。 オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により 効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、 システムコストの削減につながります。 【特長】 ■RDS(on)を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■高いスイッチング周波数に好適 ■175℃のジャンクション温度に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ヒートシンクへの熱抵抗の最小化！プリント基板を介して伝わる熱量は5％以下！
当製品は、優れた熱性能を可能にする新しいトップサイド冷却パッケージです。 TO-Leaded top-side cooling (TOLT)パッケージをポートフォリオに 導入することで、高性能パッケージの提供を拡大可能。 TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、 好適な熱性能を実現するトップサイドクーリングの利点を備えています。 【特長】 ■低 RDS(on) ■高電流定格 ■上面冷却 ■ネガティブスタンドオフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
熱設計が簡略化され、より高い効率を実現できます
『200VウルトラジャンクションX4クラスMOSFET』は、高効率アプリケーションに 好適な低RDS(on)MOSFETです。 当製品は、TO-220、TO-247-3L、TO-263とよびTO-268HVパッケージで、 60～220Aの公称定格電流でご利用いただけます。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【メリット】 ■低イオン抵抗RDS(on)により導通損失を低減 ■低い熱抵抗RthJCにより熱設計が簡略化 ■高アバランシェエネルギー容量EASがもたらす高いサージ耐量 ■ゲート電荷量Qgの減少によるゲートドライバ要件を低減 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に封止！高い電力密度と性能を保有
インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した 製品ラインアップが拡張されました。 PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまでとなります。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用 ■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化 ■低いPCB損失 ■PCB寄生容量の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SuperSO8 5x6 (SSO8) パッケージ搭載！並列接続数を低減しシステムコスト削減を実現
『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と 高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。 インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の 製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。 システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。 逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を 最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が 向上します。 【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワー密度の向上が可能！ThinPAK 8x8に封止されたスーパージャンクションMOSFET
『650V CoolMOS CFD7』は、高速ボディダイオードを内蔵し、大電力の 共振トポロジーに好適なスーパージャンクションMOSFETです。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフルブリッジ (ZVS) 回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、高い効率を実現。 産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率と全負荷効率の向上、 また転流本格使用に備えた優れた堅牢性といった利点があります。 【特長】 ■転流本格使用に備えた優れた堅牢性 ■バス電圧が上昇した設計のための安全マージンの追加 ■パワー密度の向上が可能 ■産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率 ■産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率の向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
インフィニオンの先進のトレンチMOSFET技術を代表する製品！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V」について、 ご紹介いたします。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減します。 ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されて いるため、並列接続に優れたデバイスです。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ■200Vでクラス最高レベルの性能 ■ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせ ■並列接続時の電流共有の改善 ■豊富なパッケージ展開 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
産業用認証とTj_max＝175°Cにより優れたパワーハンドリングと堅牢性を実現！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 120V」について、 ご紹介いたします。 ハードスイッチとソフトスイッチの両アプリケーション、また、 高スイッチング周波数および低スイッチング周波数に適しており、 ノーマルレベルとロジックレベルが利用可能。 産業用電源、ソーラーなどさまざまなアプリケーションで使用できます。 【特長】 ■スイッチング損失、導通損失において好適なバランスを実現 ■150V耐圧不要時にRDS(on)やFOMを低減 ■パッケージの幅広い選択肢 ・FR4基板およびIMS基板向け面実装 ・上面冷却 ・スルーホール ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
グリーンで効率的なエネルギーアプリケーション向けに、高効率を実現！
『SiC MOSFET 2000 V』は、O-247PLUS-4-HCCパッケージ 12～100mΩのラインアップで提供しています。 10～80Aのダイオード製品と組み合わせることで、過酷な高電圧および 高スイッチング周波数条件下でもシステムの信頼性を損なうことなく 電力密度を向上させるよう設計されています。 CoolSiC技術の低い電力損失は、2000V用に最適化されたパッケージの .XT相互接合技術によって信頼性を向上させ、グリーンで効率的な エネルギーアプリケーション向けに、高効率を実現します。 【特長】 ■VDSS ＝ 2000V：DCリンク1500Vまでのシステム用 ■きわめて低いスイッチング損失 ■革新的なHDCパッケージ ■沿面距離 14mm ■空間距離 5.4mm ■業界標準となるゲート閾値電圧：VGS(th) ＝ 4.5V ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
業界標準のSuperSO8パッケージで、4.5Vで非常に低いRDS(on)とQgが特長！
当社で取り扱う「Nチャネル パワーMOSFET 150V」について、 ご紹介いたします。 OptiMOS 5 150V同様の優れた性能に加え、わずか4.5VのVGSで動作する 性能を搭載。 小型で軽量なUSB-PD EPR充電器およびアダプタアプリケーションで 好適な熱管理を実現します。 【特長】 ■競争力のあるRDS(on)レベル ■きわめて低いスイッチング損失 ■VGS＝4.5Vに完全に最適化 ■5V供給の同期整流器(SR)に対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3×3.3)に搭載！高い放熱性能
当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。 PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまで。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％と大幅に削減 ■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善 ■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供 ■最適化された新しいレイアウトの可能性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
