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ウェハやガラス等の多種基板の処理可能 幅広い用途対応した可変雰囲気熱処理装置 （Ｏ２ｏｒH2雰囲気アニールサンプルテスト対応）
当社では、真空・酸素雰囲気(常圧)・還元雰囲気(常圧)の雰囲気での 処理が選択できる急昇降温型の「横型アニール装置」を取り扱っています。 6インチまでの各種基板(ウェハ、セラミック、ガラス、実装基板)の処理に 対応しており、薄膜やウェハのアニール、ナノ金属ペーストの焼成、 有機材のキュアなど多くの用途に実績を持っています。 御評価をご希望の方はサンプルテストをお受けしております。 仕様詳細や対応可能なテスト内容などにつきましてはお問い合わせください。 【特長】 ■各種雰囲気(真空、N2、O2、H2)での均一な加熱処理(～900℃) ■加熱炉体の移動による急速冷却 ■石英チューブによるクリーン雰囲気中処理 ■幅広い用途への対応 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
化合物半導体の電極膜の合金化・低抵抗化に多用されている石英管タイプのアニール装置。高温処理型で急冷機構装備。透明電極膜にも対応
Ｓｉプロセスに実績豊富なアニール装置を化合物半導体プロセス用にカスタマイズ。 ＧａＡｓ用のホットプレートタイプに比べ高温（９００～１０００℃）まで対応。 窒化膜半導体の電極の合金化に実績。 急速昇降温型の加熱炉を装備し、均一な加熱と最適な温度プロファイルで電極膜のアニールを制御。 生産量・プロセスにあわせて最適な装置構成を提案可能な実績豊富なウェハプロセス用熱処理装置。
小径ウェハ（４インチ）や化合物半導体のニッチプロセスに対応。結晶プロセスにもウェハプロセス（合金化や電極アニール）にも対応。
化合物半導体のエピタキシャル層や研磨後のＳｉウェハのアニールなど特殊な用途に対応した専用アニール装置。 高真空排気後に大気圧まで水素のみで雰囲気置換を実施、高純度還元雰囲気中で高温（１０００℃）均一加熱
ウェハプロセス対応 本格量産システム アニール・シンター・ポリイミドキュア ミニバッチ＋急速冷却機構でハイスループット対応
クリーンな真空中で均一加熱。高いクリーンネスや低酸素濃度を求められるプロセスに最適。縦型石英管型アニール装置。 最大８インチ相当のウェハや各種基板に対応。ＣｔｏＣシステム採用による自動化＆クリーンシステム。 中温から高温まで安定した温度分布性能と急令機構による短タクト処理 真空だけでなく各種雰囲気（不活性、酸化、還元）雰囲気処理も可能な多機能型熱処理装置
大気圧水素雰囲気中で均一加熱、。薄膜・ウェハ・化合物・セラミック基板、豊富な経験と実績を柔軟なハード対応とサンプルテストで提供
水素の還元力を最大限に活用し従来に無い薄膜・基板表面の高品位化を実現 デリケートな化合物デバイスや誘電体基板の熱処理（べーく・アニール）に最適。 実績と経験に支えられた信頼性の高いハード構成で安全性も確保 電極・配線膜の高品質化に、高融点金属膜の抵抗値・応力制御に研磨後のウェハの終端処理に、特殊用途の熱処理に多くの実績を元に初期段階からテストを含めて対応
