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ウェハやガラス等の多種基板の処理可能 幅広い用途対応した可変雰囲気熱処理装置 （Ｏ２ｏｒH2雰囲気アニールサンプルテスト対応）
当社では、真空・酸素雰囲気(常圧)・還元雰囲気(常圧)の雰囲気での 処理が選択できる急昇降温型の「横型アニール装置」を取り扱っています。 6インチまでの各種基板(ウェハ、セラミック、ガラス、実装基板)の処理に 対応しており、薄膜やウェハのアニール、ナノ金属ペーストの焼成、 有機材のキュアなど多くの用途に実績を持っています。 御評価をご希望の方はサンプルテストをお受けしております。 仕様詳細や対応可能なテスト内容などにつきましてはお問い合わせください。 【特長】 ■各種雰囲気(真空、N2、O2、H2)での均一な加熱処理(～900℃) ■加熱炉体の移動による急速冷却 ■石英チューブによるクリーン雰囲気中処理 ■幅広い用途への対応 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
化合物半導体の電極膜の合金化・低抵抗化に多用されている石英管タイプのアニール装置。高温処理型で急冷機構装備。透明電極膜にも対応
Ｓｉプロセスに実績豊富なアニール装置を化合物半導体プロセス用にカスタマイズ。 ＧａＡｓ用のホットプレートタイプに比べ高温（９００～１０００℃）まで対応。 窒化膜半導体の電極の合金化に実績。 急速昇降温型の加熱炉を装備し、均一な加熱と最適な温度プロファイルで電極膜のアニールを制御。 生産量・プロセスにあわせて最適な装置構成を提案可能な実績豊富なウェハプロセス用熱処理装置。
小径ウェハ（４インチ）や化合物半導体のニッチプロセスに対応。結晶プロセスにもウェハプロセス（合金化や電極アニール）にも対応。
化合物半導体のエピタキシャル層や研磨後のＳｉウェハのアニールなど特殊な用途に対応した専用アニール装置。 高真空排気後に大気圧まで水素のみで雰囲気置換を実施、高純度還元雰囲気中で高温（１０００℃）均一加熱
加熱効率向上で省エネルギー化！高速応答性でサーマルバジェット低減を実現
『LEDアニール装置』は、ハロゲンヒータ、フラッシュランプに次ぐ 第三の光加熱源です。 加熱効率向上で省エネルギー化、高速応答性でサーマルバジェット低減を実現。 放射温度計によるリアルタイム温度計測が可能です。 また、基板表面の加熱ができ、金属材料に優れた加熱効率を発揮します。 【特長】 ■加熱効率向上 ■高速応答性 ■高精度温度計測 ■高均一性 ■基板表面の加熱が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4 、又は6 基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）
高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
ニーズに合わせたラインアップ！成膜装置や、ランプ加熱によるアニール装置
大村技研では、お客様のニーズに合わせて、成膜装置や ランプ加熱によるアニール装置を設計・製作します。 縦型LP-CVD装置、縦型アニール装置、PE-CVD装置、 MO-CVD装置をラインアップしています。 【特長】 ■ニーズに合わせた設計・製作 ■成膜装置やランプ加熱によるアニール装置 ■多様なラインアップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ウェハプロセス対応 本格量産システム アニール・シンター・ポリイミドキュア ミニバッチ＋急速冷却機構でハイスループット対応
クリーンな真空中で均一加熱。高いクリーンネスや低酸素濃度を求められるプロセスに最適。縦型石英管型アニール装置。 最大８インチ相当のウェハや各種基板に対応。ＣｔｏＣシステム採用による自動化＆クリーンシステム。 中温から高温まで安定した温度分布性能と急令機構による短タクト処理 真空だけでなく各種雰囲気（不活性、酸化、還元）雰囲気処理も可能な多機能型熱処理装置
大気圧水素雰囲気中で均一加熱、。薄膜・ウェハ・化合物・セラミック基板、豊富な経験と実績を柔軟なハード対応とサンプルテストで提供
水素の還元力を最大限に活用し従来に無い薄膜・基板表面の高品位化を実現 デリケートな化合物デバイスや誘電体基板の熱処理（べーく・アニール）に最適。 実績と経験に支えられた信頼性の高いハード構成で安全性も確保 電極・配線膜の高品質化に、高融点金属膜の抵抗値・応力制御に研磨後のウェハの終端処理に、特殊用途の熱処理に多くの実績を元に初期段階からテストを含めて対応
真空アニール装置
液晶ディスプレイの注入後の気泡や色ムラ等の不良を解消するための装置です。 注入前に加熱して真空引きすることにより、セル内部の水分や有機ガスを除去できるので、パネルの品質も向上させることが出来ます。内部ヒーターやファンの改良により、クリーン度の高い槽内環境を実現しました。 当社独自の技術により、真空加熱中の温度分布がよく、プロセス時間も短縮されます。
高圧アニール装置
LCD用低温ポリシリコンTFT基板や半導体ウェハの素子特性を向上させ、均一化するための装置です。 従来は1300℃で熱酸化させていた工程を、この装置では水蒸気で加圧加熱することにより600℃以下の低温で同じ効果を得ることができます。
半導体など各種材料に！数ミリ秒から数百ミリ秒の超短時間でアニーリング可能です
フラッシュランプアニーリング装置 FLAは、DTF-FLA ウルトラショートタイムアニーリング用にデザインされたスタンドアローン装置です。半導体材料、その他の材料に対して、数ミリ秒から数百ミリ秒の超短時間のアニーリングをすることが可能です。非常に短いパルス（マイクロ/ミリ秒レベル）のキセノンフラッシュランプにより、超高速昇温レートで表面のみ加熱しますので、フレキシブル基板、 耐熱温度の低い基板上の膜のアニ－リング処理等に使用できる研究開発用の小型装置です。コンパクトで使い勝手がよく、各種アプリケーションの研究開発に最適です。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。
GaN基板の処理も可能！コンタクトアニール用ランプアニール(RTP)装置のご紹介
『RLA-3100-V』は、6インチまでの幅広いウェーハサイズに対応可能な コンタクトアニール用ランプアニール(RTP)装置です。 耐真空設計された石英チューブの採用でクリーンな真空(LP)環境、 N2ロードロック雰囲気での処理が可能です。 また、自動ウェーハ載せ替え機構を装備し、C to C搬送を実現します。 【特長】 ■～6インチまでの幅広いウェーハサイズに対応 ■自動ウェーハ載せ替え機構を装備し、C to C搬送を実現 ■真空対応によりアニール特性向上 ■N2ロードロック対応により短TATを実現 ■GaN基板の処理も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ワークサイズに応じて、フラッシュランプを複数本配置！大面積で一括照射、高照射が可能！
『SUS980シリーズ』は、結晶化、剥離、酸化膜形成などの用途にお使いいただける フラッシュランプアニール装置です。 ランプに流れる電流を半導体スイッチでON／OFF制御することで、 ランプ電流パルス幅の調整が出来、加熱深度をコントロール(0.1～60msec)。 ワークサイズに応じて、フラッシュランプを複数本配置し大面積で一括照射、 高照射が可能です。 【特長】 ■深さコントロール(バルス制御) ■ランプに流れる電流を半導体スイッチでON／OFF制御 ■ランプ電流パルス幅の調整が出来、加熱深度をコントロール(0.1～60msec) ■複数パルスの照射も可能 ■高出力・大面積一括処理(タクト短縮、高均一度) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
最大到達温度1 000℃！試作開発用途のほか、インラインシステムにも組み込み可能な高速アニール加熱装置です
『RTP/VPOシリーズ』は、卓上型タイプの 真空・プロセスガス高速アニール装置です。 SiCの熱酸化プロセス及びGaNの結晶成長など高い純度や安定性を 要求される研究開発に適している「RTP-150」をはじめ「RTP-100」や 「VPO-1000-300」をラインアップしています。 【RTP-150 特長】 ■φ6インチ対応 ■最大到達温度1000℃ ■リニアな温度コントロールを実現 ■コンタミネーションの発生を大幅に低減 ■オプションで様々な実験環境に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
生産の効率化、サイクルタイムの短縮が図れます。
高真空アニール装置 「SAF-52T-II」は、主に水晶振動子などの加工時に生ずる内部応力の歪みの除去、電極膜の安定化のための熱処理を行うことを目的として開発された装置です。 W460×D350×H35mm の加熱棚が左右計10段、170×134mmの標準トレーを最大60枚収納可能です。 【特徴】 ○独立して稼動可能な処理室を2室有している ○生産の効率化、サイクルタイムの短縮が図れる ○効率的なサイクルタイム/全自動による省力化 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
