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半導体など各種材料に！数ミリ秒から数百ミリ秒の超短時間でアニーリング可能です
フラッシュランプアニーリング装置 FLAは、DTF-FLA ウルトラショートタイムアニーリング用にデザインされたスタンドアローン装置です。半導体材料、その他の材料に対して、数ミリ秒から数百ミリ秒の超短時間のアニーリングをすることが可能です。非常に短いパルス（マイクロ/ミリ秒レベル）のキセノンフラッシュランプにより、超高速昇温レートで表面のみ加熱しますので、フレキシブル基板、 耐熱温度の低い基板上の膜のアニ－リング処理等に使用できる研究開発用の小型装置です。コンパクトで使い勝手がよく、各種アプリケーションの研究開発に最適です。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。
GaN基板の処理も可能！コンタクトアニール用ランプアニール(RTP)装置のご紹介
『RLA-3100-V』は、6インチまでの幅広いウェーハサイズに対応可能な コンタクトアニール用ランプアニール(RTP)装置です。 耐真空設計された石英チューブの採用でクリーンな真空(LP)環境、 N2ロードロック雰囲気での処理が可能です。 また、自動ウェーハ載せ替え機構を装備し、C to C搬送を実現します。 【特長】 ■～6インチまでの幅広いウェーハサイズに対応 ■自動ウェーハ載せ替え機構を装備し、C to C搬送を実現 ■真空対応によりアニール特性向上 ■N2ロードロック対応により短TATを実現 ■GaN基板の処理も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ワークサイズに応じて、フラッシュランプを複数本配置！大面積で一括照射、高照射が可能！
『SUS980シリーズ』は、結晶化、剥離、酸化膜形成などの用途にお使いいただける フラッシュランプアニール装置です。 ランプに流れる電流を半導体スイッチでON／OFF制御することで、 ランプ電流パルス幅の調整が出来、加熱深度をコントロール(0.1～60msec)。 ワークサイズに応じて、フラッシュランプを複数本配置し大面積で一括照射、 高照射が可能です。 【特長】 ■深さコントロール(バルス制御) ■ランプに流れる電流を半導体スイッチでON／OFF制御 ■ランプ電流パルス幅の調整が出来、加熱深度をコントロール(0.1～60msec) ■複数パルスの照射も可能 ■高出力・大面積一括処理(タクト短縮、高均一度) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
