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検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分析結果の紹介
半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析（SIMS）が適しています。 SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出下限を 1E16n/cm3に下げることが出来ました。 【注入条件】 ■エネルギー ：180keV ■ドーズ量 ：1E15n/cm2 (ドーズ量は当社の RBS によって得られた値を使用) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体の特性の決め手となるイオン注入の一連の流れをイラストを用いて解説します。
当資料では、イオン注入の基礎として、目的、装置、その評価についてイラストにてご紹介しています。 株式会社イオンテクノセンターでは、研究開発のためのサンプル作製から 量産請負まで、半導体の前工程のプロセスの受託サービスを行っています。 イオン注入でお困りでしたら、是非当社にお任せください。 【掲載内容】 ■イオン注入の基礎知識
イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介しています
イオンテクノセンターは、先端材料へのイオン注入サービスを行っております。 資料では、イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介。 「イオン注入とは？」をはじめ、「アモルファスとは？」や 「サンプルなどの情報の機密保持は？」等、様々なご質問にお答えしています。 【掲載内容（抜粋）】 ■Q.イオン注入とは？ ■Q.イオン注入できるサンプル、ウェハの大きさや種類を教えてください。 ■Q.イオン注入を立ち合いで確認することはできますか？ ■Q.アモルファスとは？ ■Q.サンプルなどの情報の機密保持は？ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Various implanter line-up for your various requests
We can perform ion implantation processing under various conditions according to customer requirements, with a wide variety of samples from chips to 12-inch wafers. The implantation conditions range from 10 to 8,000 KeV, from room temperature to high-temperature heating (600 ° C), and about 60 types of ionic species can be handled.
Simulation for ion species, depth and concentration.
Customer's request "How much energy and dose should be used to achieve the desired depth and concentration?" And "What depth distribution of dopant ions will be given at the specified energy and dose." , We can provide a simulation. (This service presupposes a request for ion implantation.)
SIMSによってシリコンへボロンをイオン注入したサンプル分析結果を紹介。
材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン質量 分析（SIMS）が好適です。 ここでは SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によってシリコンへボロンを 3keVのエネルギーでイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 特に酸素リークによってボロンの深さプロファイルが正確に分析できている ことがわかります。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。
当ページでは、SIMS (アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素（75As）はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子（29Si30Si16O など）が干渉するため、質量分解能が 3190 必要です。 Q ポール型 SIMS では質量分解能が 200 程度しかなく、質量分離が困難です。 しかしシリコンと砒素の複合分子イオンを測定することによって検出下限を 2×1015 [atoms/cm3]に下げることが出来ました。 【注入条件】 ■エネルギー ：700 [keV] ■ドーズ量 ：1×1015 [atoms/cm2] ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介。
SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 アルミニウムの質量数(27)はマトリックスであるシリコン(28)と隣接して いるため、測定条件を最適化することによって検出下限を 6×1015 [atoms/cm3]にまで下げることが出来ました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
イオン注入・成膜・分析の技術と設備をさまざまな分野のイノベーションにつなげる
株式会社イオンテクノセンターは、時代の求めるプロフェッショナル 集団として、前身であるイオン工学研究所の事業を引き継いだ形で 誕生いたしました。 特にイオン注入、成膜、分析を中心とした技術と設備を備えた先端の 研究開発を行い、日本を代表する創造的ラボラトリーをめざします。 【事業内容】 ■イオン工学に関する研究開発受託 ■イオン工学に関する装置による金属、セラミックス、半導体材料等の 表面処理等の加工 ■物理分析評価サービス業務 ■技術情報提供サービス業務 ■大学及び研究機関における研究成果および特許権、実用新案権、意匠権、 商標権等の産業財産権その他無形財産権の事業支援とその仲介 ■測定器、分析器等精密機械器具の企画、開発、製造、販売並びに技術指導 及び研究に関する業務の受託 ■電子部品及び自動制御機器の企画、開発、製造、販売並びに技術指導及び 研究に関する業務の受託 ■経営コンサルティング業務 ※詳しくは外部リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低エネルギーから8MeＶまでの多彩な注入装置を完備しております。
室温でのイオン注入はもちろん、世界で数社のみが対応可能な高温でのイオン注入では、トップレベルの技術力と設備を誇ります。 弊社では、チップ小片から300ｍｍ（12インチ）径ウエハまで多種多様なサンプル及び、お客様からのご要望に合わせて各種条件での注入処理が可能です。注入条件は10～8,000KeVまで、室温から高温加熱（600℃）まで、イオン種は約60種の対応が可能です。
ご要望のイオン種や深さ、濃度に合わせてシミュレーションが可能です。
お客様のご要望「ご希望の深さと濃度にするにはエネルギーと注入量をどれくらいにすればよいのか」や「ご指定のエネルギーと注入量でドーパントのイオンはどのような深さ分布となるか」に対して、シミュレーションをご提供することが可能です。 （イオン注入のご依頼を前提としたサービスです）
