GaN(窒化ガリウム,ガリウムナイトライド)
次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。
株式会社新陽の主要製品である『GaN(窒化ガリウム,ガリウムナイトライド)』 のご紹介です。 シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍（3.42eV）広く、絶縁破壊電圧も 約10倍（3.0MV/cm）という特性を持っております。 Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1600Vに達します。 また、青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生でき、各種光デバイスにも 使用され、SiCと共に次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。 【特長】 ■シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍広い ■絶縁破壊電圧も約10倍 ■耐圧1600V ■青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生 ■各種光デバイスにも使用される ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社新陽
- 価格：応相談
