複合ウェーハ
SiCOI、SOI、LTOI、LNOI、
SiCOI（Silicon Carbide On Insulator）は、絶縁層（主にSiO₂）上に炭化ケイ素（SiC）単結晶薄膜を形成した先進的な半導体基板です。 SOI（Silicon On Insulator）技術をSiCに応用した構造であり、次世代パワーデバイスおよび高周波デバイス向け材料として注目されています。
- 企業：株式会社豊港 先端材料事業部
- 価格：応相談
シリコン(パワーデバイス) - メーカー・企業と業務用製品 | イプロスものづくり
更新日： 集計期間:2026年05月06日～2026年06月02日
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シリコンの製品一覧
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FZウエハ FZシリコン製品 パワーデバイス用NTDシリコン
半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用できます
NTDシリコン（中性子照射シリコン）は、面内の抵抗率の均一性に優れ、電力用サイリスタ（シリコン制御整流器）として使用され半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用されております。 現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。 詳しくはお問い合わせください。
- 企業：株式会社エナテック 東京本社
- 価格：応相談
合晶科技日本株式会社 製品情報
個別ニーズに最適化したシリコンウェーハをご提供！
当社は、反早退材料のソリューションプロバイダーとして、お客様の 個別ニーズに最適化したシリコンウェーハをを提供しております。 主な製品として、高度な結晶成長技術を用いた12インチ以下のポリッシュド ウェーハや、単層・多層・超厚膜成膜が可能なエピタキシャルウェーハが ございます。 また、パワー半導体向けのSOIウェーハ、電源や光通信ユニットに応用 される高品質なGaNエピタキシャルウェーハも展開しております。 【特長】 ■垂直統合された高度な技術力 ■多様なニーズに応える幅広いラインアップ ■お客様本位の高度なカスタマイズ支援 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：合晶科技日本株式会社 本社
- 価格：応相談
シリコンウエハー各種 4インチ、6インチ、8インチ、12インチ
CZ法／FZ法のシリコン基板を、結晶成長からスライス、ラッピング、エッチング、研磨、酸化膜、エピーまで御対応可能です！
同人産業は、Φ2″、Φ4”、Φ6”、Φ8”、Φ12”まで全てのサイズのシリコンウェハーを得意としております。 SEMI標準規格、JEITA標準規格、特殊規格、すべてご対応可能でございます。 CZ法、FZ方位、いずれもご対応可能です。ダイシング、刳り抜き、放電加工など特殊形状加工も対応可能です。 ※Φ500mmまでの大径シリコンインゴットや、パーツ加工（CNC加工）も得意としております。
シリコン(Silicon)
半導体材料として幅広い分野で使用されています！
株式会社新陽の主要製品である『シリコン(Silicon)』のご紹介です。 Φ2インチ～Φ6インチまでのパワーデバイス用プライムウェハーの 製造を中心に、構造用部品材料としてΦ450mmまでの単結晶大口径シリコン インゴット・プレートの供給と加工も行っております。 パーツはスライス、ラッピング、エッチング、ポリッシングから マシニング加工、微細加工まで各種精密加工承ります。 【特長】 ■資源が豊富 ■高純度化し易く硬くて丈夫 ■安定した酸化膜が形成でき、高集積化し易い ■結晶を大型化し易い ■半導体材料として幅広い分野で使用されている ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社新陽
- 価格：応相談
