オプション説明一覧 (PICS3D)
半導体LD・光デバイス用3DシミュレーターPICS3Dのオプション群を説明
半導体LD・光デバイス用3DシミュレーターPICS3Dの様々なオプションや物理モデルについて紹介。
- 企業:クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格:応相談
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半導体LD・光デバイス用3DシミュレーターPICS3Dのオプション群を説明
半導体LD・光デバイス用3DシミュレーターPICS3Dの様々なオプションや物理モデルについて紹介。
2D半導体レーザ向けデバイスシミュレーションプログラム(旧LASTIP)向けオプションを説明
半導体レーザ向けデバイスシミュレーションPICS3D Fabry-Perot Edition (旧LASTIP)向けオプション
多種多様な材料や物理モデルを用意、様々な解析が可能な半導体デバイスシミュレータ。カタログのダウンロードは無料!
<主な特徴> ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 (半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能) ■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能 <多様な物理モデルや機能> ■電流-電圧(I-V)特性 ■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布 ■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布 ■熱輸送モデルで用いられる格子温度の2次元分布 ■様々なバイアス条件のもとでのバンド図 ■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果 ■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド ■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の2次元分布 ■光検出器などの光デバイスの2次元光学場分布 ■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性 ■FDTDインターフェイス ■その他機能や詳細については、カタログダウンロード もしくはお問い合わせ下さい。 ■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。
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実用的な3次元シミュレーションへのアプローチの方法
クロスライトのTCADを利用した3次元プロセス、デバイスシミュレーション。メッシュ生成、デバイス構造の作りこみ、解析などを各種デバイス(CMOSイメージセンサー、LDMOS、FINFET、DMOS、LIGBT)を例にその機能やしくみを紹介。また、GPUによるシミュレーションについても紹介。
GPUによるFDTD計算の処理速度の向上
3次元レンズ構造およびCIS 3次元 CMOSイメージセンサーをベンチマーク例としてピックアップ。クロスライトのFDTDのGPUバージョンは3次元の実デバイス構造に対し66倍処理が向上。ベンチマーク結果は安価なGPUカードで、Core i7 3930K PC 10クラスター(60コアに相当する)と同等の処理速度を実現。
2次元に特化した半導体レーザ向けデバイスシミュレーションプログラム(旧LASTIP)
<主な特徴> ■2次元構造モデルに基づいた半導体レーザのシミュレーションソフト ■共振器方向での効果を含まないため計算がより軽く実行可能 ■有限要素計算のメッシュも2次元で設定するため収束がよりスムーズ <多様な物理モデルや機能> ■光出力-電流(L-I)特性 ■電流-電圧(I-V)特性 ■2次元ポテンシャル、電場、電流分布 ■電子とホール密度の2次元分布 ■様々なバイアス条件の下でのバンド図 ■半導体中の深いレベルのトラップの占有数と密度の2次元分布 ■2次元多重横モードの光学場分布 ■2次元局所光学利得分布 ■バイアス電流に対するモード別屈折率依存性 ■バイアス電流に対するモード別利得と屈折率変化の依存性 ■電流に対する自発放出スペクトルの依存性 ■Far-field 分布 ■上記の全ての量の時間発展(過渡的モデル)と温度依存性(一様温度) ■その他機能や詳細については、カタログダウンロード もしくはお問い合わせ下さい。 ■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。
クロスライトソフトウェアのTCADによるパワー半導体デバイスの解析ツール
運動トラック形状のポリシリコンゲート(Race Track Poly Gate)を持つLDMOSと六角型ポリシリコンゲート(Hexagonal Poly Gate)を持つDMOSを題材にデバイスのシミュレーションの概要を紹介。
LEDの多重量子障壁の有無比較のためのツール
多重量子障壁(MQB: Multiple Quantum Barriers)超格子(SL: superlattice)のトンネリングモデルを解説。超格子の有無をシミュレーション比較。(バンド図(band diagram)、L-I特性、内部量子効率(IQE)、電子リーク(electron leakage)など)多重量子障壁は電子のポテンシャルバリアを増加し電子リークをより効果的にブロック。
高応力GaNデバイスの研究ツール
高応力(higly stressed)がかかるGaN多重量子井戸(MQW)の理論モデルを解説。クロスライトのデバイスシミュレーターでシリコン上に任意の結晶方向(crystal orientations)に成長したGaNデバイスLEDについて次のような結果を得ることが可能。シリコン基板からの張力(tensile)は多重量子井戸(MQW)のバンドギャップ(band gap)を減少し波長が長くなる。多重量子井戸(MQW)中の圧電電荷(piezoelectric charges)の減少。内部量子効果(IQE)の減少はEBL(electron blocking layer)インターフェイス上の圧電電荷の増加が原因。
2次元に特化した半導体レーザ向けデバイスシミュレーションプログラム(旧LASTIP)無料試用版あり!
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