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触媒CVDおよびiCVDアプリケーション向け！統合されたガス分配システム
当社では、触媒CVDおよびiCVDアプリケーション向けにホットワイヤーソースを 提供しています。 インラインおよびダイナミック製膜プロセスには特殊な直線形エネルギー源が 利用可能。 特殊設計のソースフランジ、すばやく取り付けができるワイヤーコンポーネント によって構成されており、必要に応じて、単にユニット毎に交換することで、 このワイヤーコンポーネントダウンタイムを短縮できます。 【特長】 ■無機（例えばSiH4）および有機（例えばCxHy、プラスチックモノマーの 前駆体が使用可能 ■統合されたガス分配システム ■連続的なシート、キャリア、またはロール・ツー・ロールプロセス ■自由な運転姿勢：上向き（制限付き）、下向き（制限付き）、垂直 ■プロセス要求に応じたワイヤー間隔に調整可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
頑丈でスケーリング可能な設計！高エネルギーで強く集束されたビーム
『LION』は前処理と表面改質に適したコンポーネントです。 アルゴン処理で炭化水素を除去し、必要なら酸素追加が可能。イオンビームは 強く収束され、高エネルギー化しています。 物理的エッチングを必要とするインライン製膜システムに理想的なデバイスで、 シンプルで頑丈な設計のため、イオンソーズは容易にスケールアップ可能。 メインアプリケーションは、大面積ガラス製膜と金属箔製膜です。 【特長】 ■アルゴン処理で炭化水素を除去し、必要なら酸素追加が可能 ■仰角調節可能な外付けバージョン、フランジ取付けバージョン提供可能 ■頑丈でスケーリング可能な設計 ■高エネルギーで強く集束されたビーム ■様々な種類の基板材料の前処理 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
プロセス適合のために電極間隔を自由に調整可能！低放電電圧で穏やかな処理を実現
『HCS』は、ホローカソードとアノードの組込みが特長の表面処理 コンポーネントです。 電子はカソードの深い溝壁の電位降下間に制限されています。これにより、 ガスのイオン化が促進され、プラズマ密度も増加。溝の中にプラズマを押し込むと、 電極プレートの下に非常に強力で明るいプラズマが生まれます。 シンプルでスケーリング可能な設計で頑丈の挙動および簡単なカスタマイズを 実現。高密度プラズマの処理に関して、CCPおよびICPに匹敵し、コストはICPより 低廉です。 【特長】 ■ホローカソード設計、基板に依存しない ■高い電子密度とイオン化効率がラジカルの高密度を促進 ■表面クリーニング、活性化、エッチング目的のスケーリング可能なイオン源 ■薄膜のコーティングにも特定の部品設計により適用可能 ■動的および静的な基板搬送に使用可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
