更新日： 集計期間:2025年04月16日～2025年05月13日
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シリコン・フォトトランジスタチップをメタルパッケージに組み込みました！
シリコンフォトトランジスタ KS853は、プレーナータイプのNPN型シリコン・フォトトランジスタチップをメタルパッケージに組み込んだフォトトランジスタです。 高感度NPNフォトトランジスタ（λp：900nm）を使用し、TO-18メタルパッケージで高性能・高信頼性があります。また、RoHS対応品もご用意しています。 フォトセンサ用受光素子、光電スイッチ用受光素子などの用途に適しています。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
高度な拡散技術により、高性能・高信頼性
オプトテクノでは、センサの高機能化・複雑化にともなうさまざまなニーズにきめ細かにお応えするため、カスタム・メイド半導体の設計・製作に力を入れています。 半導体の小型化、軽量化、高密度化などお気軽にご相談ください。 試作品の仕様の打ち合わせから量産までトータル・システムで承っておりますので、製作工数や部品購入費・管理費の削減など、製造諸費用のさらなるコストダウンがはかれます。
汎用高耐圧増幅用の PNP エピタキシャルプレーナ型トランジスタ
・小型パッケージのSC-70を採用しています。 ・高耐圧：BVceo = -160V です。 ・ELM2N5551FAとコンプリメンタリです。 ・Pb フリー、ハロゲンフリーです。
半導体のPN接合を利用！電流の増幅やスイッチング、交流電流から直流電流への変換などに使用
『バイポーラトランジスタ』は、半導体をNPN、または PNPと交互に 接合した素子です。 エミッタ、ベース、コレクタと呼ばれる3つの端子で構成され、 ベース-エミッタ間に微弱な電流を流すとコレクタ-エミッタ間に 数十倍から数百倍の電流が流れます。 主に電圧・信号増幅やスイッチング制御などに用いられる製品です。 【ラインアップ(抜粋)】 ■onsemi トランジスタ KSC1815YTA ■Toshiba トランジスタ 2SC2712-Y(F) ■STMicroelectronics トランジスタ TIP31C ■ローム 抵抗内蔵トランジスタ DTC114EKAT146 ■Toshiba 抵抗内蔵トランジスタ RN1102(TE85L F) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ツェナーダイオードとトランジスタまたはMOSFETの複合型素子！
2素子内蔵タイプのため、セットの小型化はもちろん使用方法も電圧検出、保護用といったように多様性を有しており、豊富なラインアップをそろえています。
フォトインタラプタ、産業用電子機器など様なデバイスやアプリケーションで使用可能！
「フォトトランジスタ」は、フォトダイオードとトランジスタを一体化した 構造となっており、フォトダイオードの出力電流(光電流)をトランジスタで 増幅して出力する素子です。 感度はフォトダイオードよりも高く、光信号を電気信号に変換するトランジスタや 光検出器によく使われます。 赤外線、可視光線、紫外線などの光を感知すると、受け取った光と強度のレベルに 応じて、エミッタとコレクタの間の電流を変化させます。 【特長】 ■小型 ■高感度 ■長寿命 ■リフロー面実装をサポート ■優れた電磁ノイズ耐性 ■大きな光電流が得られる ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
