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これまでの非破壊解析では困難であった低抵抗ショート不良の解析が可能に！
磁場顕微鏡は、電流により発生する磁場分布を測定対象外から測定し、 測定対象内に流れる電流経路を推定する非破壊の解析技術です。 磁場顕微鏡で特定したショートなどの異常個所を3次元X線顕微鏡(X線CT)で 観察することにより、非破壊で詳細な原因解析が可能。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【解析フロー】 1.磁場顕微鏡による異常検出 2.3次元X線顕微鏡による観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で観察した事例を紹介！
パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が 進められています。 X線CTは非破壊で物質の形状を3次元的に可視化し、定量評価できる手法です。 PDF資料にて、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡 (X線CT)で観察した際のCT像をご覧いただけます。 【概要】 ■X線CTによるエッチピットの形状解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高分解能・高コントラストな観察を実現！非破壊で3次元観察することが可能
「MEMS」には、立体的で可動部を有するMEMS構造体が中空で 封止されています。 この構造をあるがままに観察するためには開封などの加工を行わず 観察することが必要です。 3次元X線顕微鏡(X線CT)は、非破壊で3次元観察でき、できばえ解析・ 不具合解析・リバースエンジニアリングに有効です。 【3次元X線顕微鏡 特長】 ■対象物の内部を非破壊で3次元観察することが可能 ■試料を透過したX線を光学レンズで拡大するため、高分解能・ 高コントラストな観察が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
表面の化学組成、結合状態および不純物分布などを詳しく調査！
当社で行う「半導体の表面・薄膜解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスのプロセス開発・工程管理・不良解析において、材料評価・ 故障モードの特定に有効な分析をご提案。 表面の化学組成、結合状態および不純物分布などを詳しく調べ、研究開発 および製造プロセス・不良解析に役立つ情報をご提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【最表面】 ■組成：XPS ■結合状態：XPS ■汚染：TOF-SIMS・ICP-MS ■ラフネス：AFM・SEM ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
磁気抵抗素子の特性は、各種分析手法を組み合わせで解析することが重要！
当社で行う「磁性金属多層膜の組成・状態分析」についてご紹介します。 GMR素子やMTJ素子(磁性金属多層膜を含むスピントロニクス素子)は、 HDD装置の磁気ヘッドやMRAMへの実用化が進んでいます。 このような磁気抵抗素子の特性は、構造や界面により大きく変化するため、 それら挙動を各種分析手法を組み合わせで解析することが重要です。 【界面の状態解析】 ■XPS ■HAXPES ■TEM-EELS ■3DAP(APT) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
二次電池の充放電過程における正極/負極材料の粒径・ひずみ量評価などの用途に！
当社で行う「リートベルト解析によるX線回折データの定量分析」 についてご紹介いたします。 X線回折データにリートベルト解析を適用することにより、標準試料を 必要とせずに、試料に含まれる結晶相の質量分率、結晶子サイズ、 均一ひずみの定量が可能です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■標準試料を必要とせずに、試料に含まれる結晶相の質量分率、 結晶子サイズ、均一ひずみの定量が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ナノ粒子の形状(球や楕円など)およびサイズ分布の算出が可能！
当社で行う「SAXSによるDDS製剤高分子ミセルの粒子評価」について ご紹介いたします。 DDS(ドラッグデリバリーシステム)とは、体内の必要箇所に対して選択的に 薬剤を作用させる薬物輸送システムのことで、副作用を抑えることから 大きな期待が寄せられています。 DDSでは高分子ミセルを用いることがあり、当社ではSAXS(X線小角散乱法) により高分子ミセルの粒子形状・サイズ分布の評価を行います。 【特長】 ■SAXS：X線の散乱を用いて物質の構造を解析する分析手法 ■対象試料：個体でも液体でも可能 ■非破壊で分析可能 ■ナノ粒子の形状(球や楕円など)およびサイズ分布の算出が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
金属との接合状態や樹脂材料成分の分散状態を明確に観察可能！
当社で行う「金属表面のコーティング膜解析」についてご紹介します。 金属表面に腐食防止などを目的に形成されたコーティング膜(樹脂や セラミックス)を評価する際には、イオンミリングによる断面加工を施す ことで、金属との接合状態や樹脂材料成分の分散状態を明確に観察可能。 イオンミリングは、SEMなどの断面観察用の試料作製に用います。Arイオンを 試料の加工該当部に照射し、そのスパッタ効果を用いて加工します。 【イオンミリング加工のメリット】 ■介在物を脱粒させずに、そのままの状態で確認できる ■空隙が確認された場合は、脱粒によるものではないことが特定できる ■元素分布確認(EDS分析)にて、白色樹脂内の粒子、金属との界面、 金属表面のメッキ層の積層が明確に確認可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを検出することが可能！
当社で行う「Siウェーハのひずみ解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスの製造工程においては、ウェーハ薄研削加工の際に生じる 残留応力によって、製品の故障・不良・劣化につながる可能性があります。 今回、Siウェーハに対して機械研磨を行うことで表面の結晶性を低下した 状態にし、研磨前後の結晶性変化をX線ロッキングカーブ測定で評価。 X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを 検出することができます。 【技術概要】 ■ロッキングカーブ測定 ・回折が起こる角度位置に検出器を固定し、試料のみ回転させることで、 回折条件を満たす回転の角度分布が測定できる。 ・角度分布(ロッキングカーブ)のピーク幅・強度は、結晶ひずみなど 結晶面の傾きのばらつきを反映し、結晶性の評価指標となる ・単結晶では、高角度分解能測定により、微小なひずみを評価できる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
内部欠陥の有無を試料にダメージを与えることなく確認できる！
アルミダイカスト部品について、3次元X線顕微鏡(X線CT)による非破壊観察で 内部欠陥の有無などの情報を取得することができます。 また、内部に欠陥が確認された場合、イオンミリングなどを用いた断面加工にて 欠陥を露出させて状態を確認し、介在物が存在する際には、その成分を確認する ことで発生原因を推定することができます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【概要】 ■非破壊観察(X線CT)による内部情報の取得 ■断面構造解析(断面加工＋元素分析) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
膜構造・組成情報があらかじめ分かれば、多層膜もシミュレーションにより評価可能！
当社で行う「X線反射率測定(XRR)による薄膜評価」についてご紹介いたします。 X線反射率測定(XRR)は、臨海全反射各近傍でのX線の減衰や干渉縞のある X線プロファイルと計算で得られたプロファイルをフィッティングさせることで、 表面(界面)粗さ・膜密度・膜厚の情報を得ることができます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【解析可能な薄膜】 ■試料表面：鏡面(表面粗さ 5nm以下) ■試料サイズ：30mm×30mm以上 ※サイズが小さい場合はご相談 ■膜厚：2nm～500nm ■必要な情報：膜構造および膜組成情報 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
裏面研磨技術を用いたXPS分析(Backside XPS)についてご紹介！
当社で行う「ゲート電極/酸化膜界面の不純物分析」についてご紹介します。 ゲート電極/ゲート絶縁膜界面の不純物の分布や結合状態などを調べるためには 1nm以下の深さ方向分解能が必要。このような場合、裏面(ゲート絶縁膜側) からの測定を行うことで、より信頼性の高い解析が可能になります。 XPSの検出深さは数nm以下と浅いので、Si基板部分を裏面から研磨やウェット エッチングにより除去してXPS測定を行います。 【得られる情報】 ■ゲート電極/ゲート酸化膜界面近傍の不純物の分布・結合状態 ■ゲート電極/ゲート酸化膜界面近傍の組成変化 ■バンドアライメントなど ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
