裏面研磨技術を用いたXPS分析(Backside XPS)についてご紹介！
当社で行う「ゲート電極/酸化膜界面の不純物分析」についてご紹介します。 ゲート電極/ゲート絶縁膜界面の不純物の分布や結合状態などを調べるためには 1nm以下の深さ方向分解能が必要。このような場合、裏面(ゲート絶縁膜側) からの測定を行うことで、より信頼性の高い解析が可能になります。 XPSの検出深さは数nm以下と浅いので、Si基板部分を裏面から研磨やウェット エッチングにより除去してXPS測定を行います。 【得られる情報】 ■ゲート電極/ゲート酸化膜界面近傍の不純物の分布・結合状態 ■ゲート電極/ゲート酸化膜界面近傍の組成変化 ■バンドアライメントなど ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【試料作製～XPS分析のフロー】 ■試料表面を基板に接着 ■Si基板を薄片化(裏面研磨) ■Si基板をウェットエッチング ■XPS分析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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企業情報
当社は、受託分析サービスを展開している会社です。 2002年8月の創立以来、信頼性のある分析・解析技術と最新鋭の設備を駆使し、 半導体・液晶・金属・新素材を中核とした幅広いマーケットに最適な ナノレベルの微細加工、分析、解析、信頼性評価、環境安全化学分析、 サービス・ソリューションを提供しております。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。
