GaN基板(正方形)
窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。
窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。 より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。
- 企業:株式会社豊港 半導体材料事業部
- 価格:応相談
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窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。
窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。 より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。
高熱伝導率 低膨張 高剛性 強結合 良好な溶接性
AlSiC基板は優れた熱力学的および機械的特性により、高出力 IGBT モジュールを搭載している設備などに幅広く応用されています。