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高精度機械加工と高放熱構造の組み合わせにより、高度なご要求にお応えします！
当社では、放熱基板『高精度放熱Via』を取り扱っています。 基板適用工法は、一般貫通TH、BVH、IVH、ビルドアップ工法に対応。 仕上げメッキは無電解NiAu、ボンディング用NiAuその他インピーダンス コントロールに対応します。 高精度機械加工と高放熱構造の組み合わせにより、高度なご要求にお応えします。 【特長】 ■基板適用工法：一般貫通TH、BVH、IVH、ビルドアップ工法対応 ■仕上げメッキ：無電解NiAu、ボンディング用NiAu その他インピーダンスコントロール対応 ■樹脂ダム構造 高・低 両規格に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基板下面と金属ベースを熱圧着によって接合した、特殊基板。 スルーホール部は銅めっきによって金属ベースと接合可能。
基板下面にあらかじめ半田めっき、あるいはすずメッキを施し、金属板と熱圧着をすることで、完全な面での接合を提供します。 基板には低誘電材を用いた高周波対応基板や、フッ素樹脂基材を使用することも可能です。こうした組み合わせでは、高周波利用での非常に有効な放熱構造の提供が可能です。 加えて、RFでのＥＭＩ対策にも有効となります。
金属コアと通常基板部のGNDを、スルーホールめっきで接続した基板。 従来にはない放熱特性の改善と、EMI対策を両立。
当社では、『厚銅・特殊基板』を取り扱っています。 その中の一つとしてご推奨するのが、金属基板（アウタータイプ） です。 【特長】 基板に金属を接着することで発熱した部品の熱を金属を通して放熱する基板。 ■金属コア基板 ・金属コア部分と基板をTHメッキで結合 ・AL、銅など多くの金属に対応可 ・熱伝導性の改善、 高周波対応、EMI対策などにも有効 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
カップ角度及び底面サイズは自由に選択可能！実装後基板の背を低く抑える事ができます
当製品は、座グリ部にICを設置する事により、実装後基板 の背を低く抑える事ができる『高精度デバイス用基板』です。 LED光のリフレクター用で、カップ角度及び底面サイズは自由に選択可能。 この他にも「高放熱デバイス用基板」や「極薄ガラスクロス多層基板」 をご用意しております。 【特長】 <高精度デバイス用基板> ■実装後基板の背を低く抑える事が可能 ■カップ角度及び底面サイズは、自由に選定できる <高放熱デバイス用基板> ■各種放熱技術の組み合わせで、高度なご要求にお応え ■銅ピラーは圧入ではないためスルーホールメッキを痛めない ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
