独自技術のスパッタリング成膜でハイレベルなDLC成膜を実現！
DLC成膜(膜質:ta-C領域 表面粗度Ra0.16nm 透過率：88％)を 従来では課題の多かったスパッタで実現
RAM CATHODE（4面対向式カソード）により、イオン化率を劇的に向上させ HIPIMS電源を使用せず、DCパルス電源でDLC（ta-C）の形成が可能 【従来のスパッタリング法】 カーボンのイオン化率が低い為、ta-C領域を得るには、HIPIMS電源を使用し、 強制的にイオン化率を上げなければなりませんでした。 【当社が開発したRAMカソード】 ４面に対向するターゲットを配することでターゲット間の磁界により プラズマの拘束を高めることが可能となり、高密度プラズマが形成されます。 拘束されたプラズマ内において電子、反跳アルゴン、C fluxは、 互いに衝突を繰り返すことでArイオン及びCfluxのイオン化が促進され、 DLC膜においてC-C結合を容易に形成することができます。 その結果、HIPIMS電源を使用することなく、高硬度で平滑度の高いDLC形成を実現化しました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：京浜ラムテック株式会社
- 価格：応相談
