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容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが可能な炉体移動式のVGF炉です
『MAT-200VGFHQ』は、石英管式炉体移動型の炉構造であるVGF製造炉です。 ヒ素圧1atm中で育成するので、容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが 可能。常用温度は1200℃、最高温度は1300℃です。 また、育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離します。 さらにPBNるつぼと石英アンプルは、再使用が可能です。 【特長】 ■育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離 ■PBNるつぼと石英アンプルは、再使用が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
ガスフロー式で、N2 O2ガスを流すことが可能！オプションにて第三のガスも流せます
『MAT-200KA』は、4”＆6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発された 電気炉です。 ガスフロー式で、N2 O2ガスを流すことが可能。 均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御されます。 また、オプションにて第三のガスを流すことができます。 【特長】 ■4”＆6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発 ■均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御される ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
PBNるつぼと石英アンプルは再使用が可能！炉体移動式のVGF炉をご紹介します
『MAT-150VGFHQ』は、炉体移動式のVGF炉で、かつヒ素圧1atm中で 育成するので容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが出来る 4インチ用縦型VGF製造炉です。 育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離します。 また、PBNるつぼと石英アンプルは、再使用が可能です。 【特長】 ■容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが出来る ■育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
PBN坩堝等を入れた石英アンプルを封着！高真空排気装置で真空引きをします
『MAT-200VS』は、1ゾーン式・2分割型の石英アンプル真空封着炉です。 事前にアンプル溶着機で上下アンプルを溶接した石英アンプルを使用。 溶融GaAs多結晶、種結晶、As金属、PBN坩堝等を入れた石英アンプルの 封着を行います。 詳しくは、お問い合わせください。 【特長】 ■事前にアンプル溶着機で上下アンプルを溶接した石英アンプルを使用 ■溶融GaAs多結晶、種結晶、As金属、PBN坩堝等を入れた石英アンプルを封着 ■電気炉の中に石英アンプルを入れ、上部細管から真空引きを行う ■高真空排気装置で真空引きする ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
