SiCの研削 加工事例
SiCの両面研削を実現！両面研削加工
今後の市場拡大が予想されるSiC(シリコンカーバイド)、 GaN(ガリウムナイトラ)などのパワーデバイスにおいて、コスト削減は 重要な課題です。 その中でも、従来の加工プロセスと異る方法でコスト 削減を実現した加工事例をご紹介いたします。 【研磨結果】 ■表面粗さ＜0.5nm (後工程CMP) ■TTV＜2μm/Warp＜10μm ■高速圧研磨装置『EJD-6BY』と 固定砥石 『MAD Plate』を使用することで SiCの両面研削加工を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：日本エンギス株式会社
- 価格：応相談
