SiCの両面研削を実現！両面研削加工
今後の市場拡大が予想されるSiC(シリコンカーバイド)、 GaN(ガリウムナイトラ)などのパワーデバイスにおいて、コスト削減は 重要な課題です。 その中でも、従来の加工プロセスと異る方法でコスト 削減を実現した加工事例をご紹介いたします。 【研磨結果】 ■表面粗さ＜0.5nm (後工程CMP) ■TTV＜2μm/Warp＜10μm ■高速圧研磨装置『EJD-6BY』と 固定砥石 『MAD Plate』を使用することで SiCの両面研削加工を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【採用装置仕様】 ■材質/寸法：SiC(シリコンカーバイド/2inch) ■用途：パワーデバイス、高周波デバイス、光デバイス ■要求精度：表面粗さ＜1nm TTV＜2μm/Warp＜10μm ■装置型式：EJD-6BY ■装置仕様：両面ラップ機 ■研磨方法：固定砥石 MAD Plate 超微粒子ダイヤモンド砥石 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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当社は、米国及びヨーロッパ各国のエンギス姉妹会社が長年蓄積してきた ダイヤモンド・ラッピングのノウハウを基礎とし、常に斬新適確な最先端の ラップ・テクノロジーをお客様に提供することをモットーにしております。 私共全スタッフは、より高精度、高品質のラッピング・プロセス技術をお求めのお客様を心よりお待ちしております。