更新日： 集計期間:2026年03月04日～2026年03月31日
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観察・解析のみの対応も可能！必要に応じて組合わせたプランをご提案
当社では、基板故障の大きな要因になるマイグレーション現象に対し 環境試験・観察・解析によりトータルでご提案します。 初期観察や環境試験、専用冶具を使用しての実装済み部品の素子剥がし、 試験後の観察・撮影など、必要に応じてプランを組み合わせます。 観察・解析を取り扱う品目については、電子部品や一般の電子機器が多数を 占めますが、様々なマイグレーションの発生状況に対応してご提案可能です。 ご要望の際は当社までお問い合わせください。 【プラン】 ■初期観察：蛍光実体顕微鏡、蛍光金属顕微鏡など ■環境試験：高温高湿槽、プレッシャクッカ 各試験 ■必要に応じて、専用冶具を使用しての実装済み部品の素子剥がし ■試験後、イオンマイグレーション発生の有無チェック ■必要に応じて、走査型電子顕微鏡(SEM)などを使用しての詳細調査 ■観察・分析結果のまとめ、報告書作成 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
電子部品の故障解析、材料分析による故障個所の観察・分析を行います。
半導体、ケーブル・コネクタ、プリント基板、LCD等の表示デバイス、電源ユニット、バッテリ、ACアダプタ、メモリ等、各種部品の専門家が、故障解析を行います。 ・半導体パッケージ樹脂開封を行い、光学顕微鏡やエミッション顕微鏡での観察、 機械的研磨での走査電子顕微鏡(SEM)観察等から原因推定 ・材料の状態、異物の特定、表面／破断面の解析等、材料分析の観点から、 集束イオンビーム加工観察装置(FIB-SEM)による加工・観察、透過型電子顕微鏡(TEM)による観察等にて 原因推定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
STEMでめっきされたコネクタ端子表面の付着物層(20nm程度)の”表面を保護するサンプリング法”により損失なしで確認可能です
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEMによるAuめっきされたコネクタ端子接点不良解析」 を紹介します。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えTEM、SEM各種断面解析を行っております。 お気軽にご相談いただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
マイクロスコープやFE-SEMにて破面解析を行うことで、破壊現象の推定が可能！
機械部品として使用される金属材料は、使用方法や使用環境によって 壊れてしまう事があります。 マイクロスコープやFE-SEM（電界放出型走査電子顕微鏡）にて破面解析を 行うことで、破壊現象の推定を行うことができます。 当資料では、SNCM420（ニッケルクロムモリブデン鋼）が使用されている ピニオンシャフトで発生した折損についての解析事例を紹介いたします。 【掲載内容】 ■概要 ■検査事例 ■評価 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
STEM-EDS観察は半導体のPoly-Si(ポリシリコン)間の絶縁膜形状や層構造を確認でき半導体の不具合原因究明に応用できます
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 加えて以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEM-EDSによる半導体絶縁膜評価」 を紹介しています。 本事例は問題なしの結果でしたが、異常検出も可能です。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えFIBとの併用で、試料のある領域に対して3D構築を行う不良個所特定も得意としております。 実際に紹介いたしますのでお気軽にお声がけいただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
多様な解析手法と適宜対応で製品の品質向上に役立つサービスをご紹介
当社では、他社の製品サンプルを含め、様々な不良に対する詳細な不良解析サービスを行っております。 広範囲に及ぶ多様な解析手法を用いて、不良の原因を詳細に調査します。 FTIR（フーリエ変換赤外分光法）などの専門的な材料解析技術を利用し、材料自体の問題や不具合を特定することも可能です。 また、必要に応じて工業試験所などの外部設備を利用し、社内設備で対応できない特殊な解析も可能です。 依頼内容や製品の状況を詳細に伺った上で、特に不良が発生しやすいと予測される部分を集中的に解析します。 【サービス事例】 ■LED製品解析 ■ワイヤーボンド接合部解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パナソニックReRAM搭載MN101LR05D 8bitマイクロコントローラ
MN101LR05Dはポータブルヘルスケア、セキュリティ装置、センサー処理用と向けに開発された低消費電力の8bitシングルチップマイクロコントローラです。MN101LR05DはCPUコアが10MHz 8bitのAM13Lで６４KBのReRAM容量と４KBのSRAM容量を特徴としています。 MR101LR05Dは世界初の量産化されたReRAM(Resistive RAM:抵抗変化型メモリー）の実用例であり、既存の不揮発性メモリーの後継技術として多く活用されるとみられています。 MN101LR05Dは180nm CMOSプロセスに４層のAIメタライゼーションを使用して製造されています。この金属酸化物のReRAMセルはメタル3から４に接続するスタックWビアの間に形成されます。 レポートの結果は走査型電子顕微鏡（SEM)、透過型電子顕微鏡（TEM)、エネルギー分散型X線分析（TEM-EDS）、電子エネルギー損失分光法（TEM-EEKS）、および拡がり抵抗測定（SRP)のデータによるものです。
