1～3 件を表示 ／ 全 3 件
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 革新的なバリア性や分離性などの気体輸送特性（ガスや蒸気の透過性、拡散性、収着性など）を持つ材料の開発ではサブナノ空隙（1 nm未満の空隙）構造の評価が重要になる。そのため、分子レベルの空隙を評価する技術が求められ、陽電子消滅寿命法は強力なツールとなる。本稿では、polyethylene terephthalateおよびシリカ薄膜に対し、陽電子消滅寿命法と他手法を協奏的に活用することで、サブナノ空隙構造と気体輸送特性の関係にアプローチした例を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．陽電子消滅寿命測定の原理 ３ 結晶化度の異なるPETに対する応用例 ４．密度の異なるシリカ薄膜に対する応用例 ５．まとめ
エリプソメトリによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁膜の傾斜エッチング評価について解析例を紹介する。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。 【要旨】 分光エリプソメトリーは光の偏光状態の変化を測定し、光学定数（屈折率・消衰係数）や膜厚を評価する手法として知られている。2021年に導入した高速分光エリプソメトリーM-2000UIによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁膜の傾斜エッチング評価について解析例を紹介する。 【目次】 １. はじめに ２. エリプソメトリーについて ３. PVA膜スピンコート直後の経時変化 ４. シリコン絶縁膜の傾斜エッチング評価 ５. おわりに
Si基板上のSiO2膜の電気特性と膜質を、成膜方法ごとに詳細に調査した。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。 【要旨】 水銀プローブ（Hg-Probe）および各種物理分析手法を用いて、Si基板上に異なる方法で成膜したSiO2膜の電気特性と膜質との関係を詳細に調べた。熱酸化SiO2膜と比べて、化学気相蒸着法（CVD）で成膜したSiO2膜は水分や水酸基含有量が高く、SiO2ネットワーク構造の秩序性が低いことをRBS、XPS、FT-IR、SIMSにより明らかにした。Hg-Probeを用いたC-V測定結果から、プラズマCVD成膜のSiO2膜では正の電荷密度が高く、オゾンCVDでは可動電荷密度が高い特徴を有し、加えて、水分含有量と比誘電率には相関関係があることが確認された。I-V測定では、水分含有量の高いオゾンCVD成膜のSiO2膜のリーク電流が顕著であることも示された。また、ウェットエッチングを併用したC-V測定より、プラズマCVDで成膜したSiO2膜は界面付近で電荷分布に拡がりがあることを確認した。 【目次】 １. はじめに ２. 実験 ３. 結果と考察 ４. まとめ
