Si基板上のSiO2膜の電気特性と膜質を、成膜方法ごとに詳細に調査した。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。 【要旨】 水銀プローブ（Hg-Probe）および各種物理分析手法を用いて、Si基板上に異なる方法で成膜したSiO2膜の電気特性と膜質との関係を詳細に調べた。熱酸化SiO2膜と比べて、化学気相蒸着法（CVD）で成膜したSiO2膜は水分や水酸基含有量が高く、SiO2ネットワーク構造の秩序性が低いことをRBS、XPS、FT-IR、SIMSにより明らかにした。Hg-Probeを用いたC-V測定結果から、プラズマCVD成膜のSiO2膜では正の電荷密度が高く、オゾンCVDでは可動電荷密度が高い特徴を有し、加えて、水分含有量と比誘電率には相関関係があることが確認された。I-V測定では、水分含有量の高いオゾンCVD成膜のSiO2膜のリーク電流が顕著であることも示された。また、ウェットエッチングを併用したC-V測定より、プラズマCVDで成膜したSiO2膜は界面付近で電荷分布に拡がりがあることを確認した。 【目次】 １. はじめに ２. 実験 ３. 結果と考察 ４. まとめ
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基本情報
技術情報誌The TRC News「水銀プローブによるSiO2膜の電気特性評価および電気特性と膜質の相関解析」 【要旨】 水銀プローブ（Hg-Probe）および各種物理分析手法を用いて、Si基板上に異なる方法で成膜したSiO2膜の電気特性と膜質との関係を詳細に調べた。熱酸化SiO2膜と比べて、化学気相蒸着法（CVD）で成膜したSiO2膜は水分や水酸基含有量が高く、SiO2ネットワーク構造の秩序性が低いことをRBS、XPS、FT-IR、SIMSにより明らかにした。Hg-Probeを用いたC-V測定結果から、プラズマCVD成膜のSiO2膜では正の電荷密度が高く、オゾンCVDでは可動電荷密度が高い特徴を有し、加えて、水分含有量と比誘電率には相関関係があることが確認された。I-V測定では、水分含有量の高いオゾンCVD成膜のSiO2膜のリーク電流が顕著であることも示された。また、ウェットエッチングを併用したC-V測定より、プラズマCVDで成膜したSiO2膜は界面付近で電荷分布に拡がりがあることを確認した。 【目次】 １. はじめに ２. 実験 ３. 結果と考察 ４. まとめ 図1～9にデータ示す
価格情報
2,200円（税込）
価格帯
~ 1万円
納期
即日
※web申し込み、Paypal決済
用途／実績例
https://www.toray-research.co.jp/technical-info/trcnews/をご覧下さい
企業情報
株式会社東レリサーチセンターでは、受託分析・受託調査を通じて、研究開発や生産分野における様々な課題に対して、分析技術や物性解析による技術支援を行っております。分析・物性評価の長年の実績と豊富な経験に基づき、高度で広範囲にわたるお客様のご要望にお応えできるよう努力を続けております。