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熱源はSiCヒーターを採用！高いクリーン性能を実現した高純度アニール炉
『石英ガラス 高純度アニール炉』は、アニール工程における 石英ガラス製品の表面汚染を大幅に減少させることが可能です。 ステンレス炉体と高純度断熱材を採用し、高いクリーン性能を実現。 処理製品の大口径化、長尺化に対応するべく炉体の大型化を進めており、 お客様のご要望に応じて専用設計いたします。 【特長】 ■ステンレス炉体と高純度断熱材を採用し、高いクリーン性能を実現 ■熱源はSiCヒーターを採用し温度分布性能の向上を図る ■対象製品の大きさに合わせて専用設計が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
R&D～量産まで使用可能！3～6インチウェーハ対応の自動搬送搭載縦型炉
『VF-3000H』は、超高温処理が可能で、パワーデバイス製造に適した 活性化アニール炉です。 ミニバッチ、50枚の処理が可能で、3インチ～6インチまで幅広い ウェーハサイズに対応します。 ハードウェアと制御システムの内容を厳選し、R&D用途から量産ラインにまで お使いいただけます。 また、活性化後の炭化除去も可能な「VF-5100」もご用意しております。 【特長】 ■ミニバッチ、50枚処理、R&Dから量産ラインに対応 ■3～6インチまで幅広いウェーハサイズに対応 ■炉内は当社独自のメタルフリー構造 ■ウェーハ近傍の温度モニターが可能 ■N2ロードロックを標準装備 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
縦型抵抗加熱方式を採用！扉式に比べヒータ内への異物巻き込みを極力低減します
『アニール炉』は、二珪化モリブデンヒータを4面縦型に配置し、高温下でかつ、 広範囲にワークを加熱することができる装置です。 縦型抵抗加熱方式を採用する事で、均熱特性が良く、扉式に比べヒータ内への 異物巻き込みを極力低減し、装置占有面積も小さくすることを実現。 また、炉床昇降機構及び、炉床台車引出し機構を装備しているため、より安全 かつ容易に炉床台へのワークの出し入れが行えます。 【特長】 ■縦型抵抗加熱方式を採用 ■二珪化モリブデンヒータを採用 ■大気雰囲気で最大1800℃まで昇温可能 ■炉床昇降機構、炉床台車引出し機構を装備 ■より安全かつ容易に炉床台へのワークの出し入れが行える ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機
◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式（多段5枚カセット） ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット：Φ6〜Φ8inch ・PGコーティング 高純度グラファイト：Φ6〜Φ8inch ◾️ 使用雰囲気： ・真空（1x10-2Pa）、不活性ガス（Ar, N2） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・フルオート自動運転（オプション） ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）
高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
