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遠赤外線ヒーターと均一加熱方式を採用した連続搬送タイプのアニール炉
当社製の遠赤外線ヒーターと均一加熱方式を採用した連続搬送タイプのアニール炉です。 処理時間の大幅短縮、コストダウン、インライン化に最適です。 （特長） ●早い加熱処理 例その１：自動車ヘッドランプ 溶着後の歪除去 ６０分⇒５分 例その２：ＩＣトレー 射出成形後の寸法安定 ２４０分⇒６分 例その３：人工透析器 射出成形後の内部歪除去 １２０分⇒３分 ●コストダウンに貢献 バッチ処理に比較して、 作業人員：１／１０ 設備面積：１／３ エネルギーコスト：１／２ ●２４時間自動化 成形機から直接投入可能 成形時間と同じサイクルで加熱処理可能 取出し後のストッカー設置可能 ●クリーン対応 ＨＥＰＡフィルター、テフロンベルト追加により、炉内クラス１０００以下可能
遠赤外線ヒーターの放射熱を有効利用してアニール時間を大幅に短縮
遠赤外線ヒーターの放射熱を有効利用してアニール時間を大幅に短縮します。 樹脂成形品のアニール処理を画期的に変えるシステムです。 ●処理時間の大幅短縮 遠赤外線の放射加熱及び熱風拡散を併用する事により処理時間を大幅に短縮できます。 従来温風バッチ炉 １〜２時間→ノリタケアニール炉 ３〜５分 ●コンベア式による連続処理 処理時間が短くなる事により、コンパクトな連続炉となります。その為、成形機直結の連続処理にも対応でき、生産効率が上がります。 ●品質向上 応用性に優れた遠赤外線ヒーターと熱風加熱の併用により、均一に加熱する事ができます。さらに、連続処理する事により寸法精度が安定します。 寸法精度：±５/１００ｍｍ→±２/１００ｍｍ
携帯電話部品・車載品など小型部品のアニール処理に最適な連続加熱炉
（仕様） ●使用温度：４０〜２３０℃ ●電気容量：５ＫＶＡ（ブレーカー２０Ａ） ●ベルト幅：１００ｍｍ ●外形寸法：１２２０Ｌ×４００Ｗ×１１５７Ｈ（ｍｍ） ●炉長：７００ｍｍ
R&D～量産まで使用可能！3～6インチウェーハ対応の自動搬送搭載縦型炉
『VF-3000H』は、超高温処理が可能で、パワーデバイス製造に適した 活性化アニール炉です。 ミニバッチ、50枚の処理が可能で、3インチ～6インチまで幅広い ウェーハサイズに対応します。 ハードウェアと制御システムの内容を厳選し、R&D用途から量産ラインにまで お使いいただけます。 また、活性化後の炭化除去も可能な「VF-5100」もご用意しております。 【特長】 ■ミニバッチ、50枚処理、R&Dから量産ラインに対応 ■3～6インチまで幅広いウェーハサイズに対応 ■炉内は当社独自のメタルフリー構造 ■ウェーハ近傍の温度モニターが可能 ■N2ロードロックを標準装備 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機
◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式（多段5枚カセット） ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット：Φ6〜Φ8inch ・PGコーティング 高純度グラファイト：Φ6〜Φ8inch ◾️ 使用雰囲気： ・真空（1x10-2Pa）、不活性ガス（Ar, N2） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・フルオート自動運転（オプション） ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力
Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機
◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式（多段5枚カセット） ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット：Φ6〜Φ8inch ・PGコーティング 高純度グラファイト：Φ6〜Φ8inch ◾️ 使用雰囲気： ・真空（1x10-2Pa）、不活性ガス（Ar, N2） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・フルオート自動運転（オプション） ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力
熱源はSiCヒーターを採用！高いクリーン性能を実現した高純度アニール炉
『石英ガラス 高純度アニール炉』は、アニール工程における 石英ガラス製品の表面汚染を大幅に減少させることが可能です。 ステンレス炉体と高純度断熱材を採用し、高いクリーン性能を実現。 処理製品の大口径化、長尺化に対応するべく炉体の大型化を進めており、 お客様のご要望に応じて専用設計いたします。 【特長】 ■ステンレス炉体と高純度断熱材を採用し、高いクリーン性能を実現 ■熱源はSiCヒーターを採用し温度分布性能の向上を図る ■対象製品の大きさに合わせて専用設計が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
応答性に優れた遠赤外線ヒーターと熱風加熱の併用により、均一に加熱することが可能！
『遠赤外線アニール炉』は、樹脂成形品のアニール処理を画期的に変える システムです。 遠赤外線ヒーターの放射熱を有効利用してアニール時間を大幅に短縮。 処理時間が短くなる事により、コンパクトな連続炉となり、 成形機直結の連続処理にも対応でき、生産効率が上がります。 【特長】 ■処理時間の大幅短縮 ■コンベア式による連続処理 ■品質向上 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）
高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉カスタマイズ自在なヒーター構造： - 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） - 面状ヒーター：Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◉PLCセミオートコントロール タッチパネル画面で温度調節計以外の全ての操作を行います。 煩わしいバルブ開閉・ポンプ起動操作が不要、焼成作業前の「真空/パージ」サイクルと焼成作業後の「ベント」を1ボタンで自動シーケンスで行います。 ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
縦型抵抗加熱方式を採用！扉式に比べヒータ内への異物巻き込みを極力低減します
『アニール炉』は、二珪化モリブデンヒータを4面縦型に配置し、高温下でかつ、 広範囲にワークを加熱することができる装置です。 縦型抵抗加熱方式を採用する事で、均熱特性が良く、扉式に比べヒータ内への 異物巻き込みを極力低減し、装置占有面積も小さくすることを実現。 また、炉床昇降機構及び、炉床台車引出し機構を装備しているため、より安全 かつ容易に炉床台へのワークの出し入れが行えます。 【特長】 ■縦型抵抗加熱方式を採用 ■二珪化モリブデンヒータを採用 ■大気雰囲気で最大1800℃まで昇温可能 ■炉床昇降機構、炉床台車引出し機構を装備 ■より安全かつ容易に炉床台へのワークの出し入れが行える ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
超高温熱処理と優れた温度均一性の実現により、ブール・インゴット、ウエハのバッチ処理が可能であり、欠陥や転位を最小限に抑えます。
ワイドバンドギャップ半導体デバイスの歩留まりを向上するためには、応力に起因する欠陥や転位を最小限に抑える必要があります。その手法の一つとして、半導体結晶の超高温熱処理があります。c.CRYSCOO HTA高温アニール炉は、ワイドバンドギャップ半導体のバルク結晶からデバイスまでのバリューチェーンにおいて生産性を大幅に改善させるために開発されました。優れた温度制御(最高温度2200℃)、均一性、低クロスコンタミネーションの実現により、c.CRYSCOO HTAは従来の炉を凌駕する最高のパフォーマンスを発揮します。10個以上のブール・インゴット、あるいは100枚以上の未加工ウェハーの同時処理が可能です。
アニール炉のOEM、ODM、受託製作実績例
会社設立以来、繊維機械メーカーとして、精練機、連続減量加工機、染色機など、さまざまな装置を開発・製作してきました。 近年は繊維機械で培った、染色・洗浄・乾燥・塗工などのコア技術と、高圧容器・真空容器・撹拌槽などの製造技術を用い、多品種少量生産のモノづくりを行っています。 今後も提案型企業として、時代のニーズやお客様のご要望にこたえて参ります。 【製作実績例】 機械スピード ：常用40～120m/min 機械構成 ：炉体、加熱装置、循環ファン、吹出ノズル、ファンヒータ収納チャンバ、炉体前保温開閉装置
