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パワー半導体(パワーデバイス) - メーカー・企業と製品の一覧

更新日： 集計期間:2025年11月05日～2025年12月02日
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パワー半導体の製品一覧

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【資料】WTIブログ　電源・パワエレ編　2017年～2019年度

【資料】WTIブログ　電源・パワエレ編　2017年～2019年度

「電源機器の寿命検証」や「DC-DCコンバータ設計　電源設計時の着眼点」など当社技術のノウハウが満載！

当資料は、技術者不足を解決する「開発設計促進業」である 株式会社Wave Technologyの2017年度～2019年度までの WTIブログ、電源・パワエレ編についてまとめています。 「CMOS[低耐圧MOSFET]とパワー半導体との違い」をはじめ、 「電源機器の寿命検証」や「SiCデバイスを使って電源を 効率化してみました」などを掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■2017.5.16 技術者は原理原則の理解が大事なんです！ ■2017.9.5 太陽光発電システムの縁の下の力持ち～パワコンとは～ ■2017.9.19 CMOS[低耐圧MOSFET]とパワー半導体との違い ■2017.12.5 自動車の電気化を支える機器の開発 ■2018.3.13 回路図には登場しないインダクタンスに注意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • 組込みシステム設計受託サービス
  • 基板設計・製造

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『CSD22206W』

『CSD22206W』

8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD22206W』

この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは バッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。 【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの小さな占有面積 ■鉛不使用 ■ゲートESD保護 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。

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Nチャンネル パワーMOSFET 600V-温度センサー搭載

Nチャンネル パワーMOSFET 600V-温度センサー搭載

低周波かつ大電流のスイッチングアプリケーション向けに最適化！

当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET 600V-温度センサー搭載」 について、ご紹介いたします。 温度センサーを搭載した当製品は、容易な実装と共にジャンクション 温度の検出精度とロバスト性を向上。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSの ライン整流に好適です。 【特長】 ■高パルス電流対応 ■最適化された価格性能 ■低周波スイッチングアプリケーション向けに最適化 ■ソースの寄生インダクタンスを低減 ■シームレスな診断機能 ■大電流対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3

OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3

ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3×3.3)に搭載！高い放熱性能

当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。 PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまで。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％と大幅に削減 ■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善 ■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供 ■最適化された新しいレイアウトの可能性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V

Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V

インフィニオンの先進のトレンチMOSFET技術を代表する製品！

当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V」について、 ご紹介いたします。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減します。 ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されて いるため、並列接続に優れたデバイスです。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ■200Vでクラス最高レベルの性能 ■ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせ ■並列接続時の電流共有の改善 ■豊富なパッケージ展開 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

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パワーMOSFET OptiMOS 6 200 V

パワーMOSFET OptiMOS 6 200 V

ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせを実現！

新しい『OptiMOS 6 200 V MOSFET』は、インフィニオンの先進トレンチ MOSFET技術を代表する製品です。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減しています。ゲート閾値電圧の ばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、 並列接続に優れたデバイスです。 本製品は、穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、 出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、 様々な動作条件においてシステム効率を向上させます。 【主な特長】 ■RDS(on)を42％低減 ■3倍ソフトなダイオードで、キャパシタンス直線性も向上 ■Qrrが89％低減 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他半導体

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OptiMOS パワーMOSFET 25V～100V

OptiMOS パワーMOSFET 25V～100V

ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に封止！高い電力密度と性能を保有

インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した 製品ラインアップが拡張されました。 PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまでとなります。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用 ■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化 ■低いPCB損失 ■PCB寄生容量の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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最新パワーソリューション製品のラインアップ【Cystek】

最新パワーソリューション製品のラインアップ【Cystek】

電源用途に向けたパワーMOSFET製品の製品紹介

【BOOST MOS】 用途：昇圧型DC-DCコンバータ等 パッケージ：TO-252、TO-220FP 耐圧：100V～250V 特徴：低R<sub>DS(ON)</sub>、高電流対応、低Qg 【BUCK MOS】 用途：降圧型DC-DCコンバータ パッケージ：TO-220FP 特徴：超低オン抵抗（5.3mΩ～） 【SR MOS（シンクロナス整流用MOS）】 用途：整流段における効率向上 特徴：高速スイッチング、低Qg 【Power Saving MOS】 超低電流用（例：0.033Aクラス） 小型SOT-23パッケージ 【Power Switch MOS】 用途：電源ラインのON/OFF制御 パッケージ：DFN3x3、SOP-8など多様 特徴：低オン抵抗・高電流制御対応 【Signal Switch MOS】 小電流・低電圧向けスイッチ用途 超小型パッケージに対応（SOT-23など） 【GaN/SiC WBGデバイス】 GaN HEMTおよびSiC SBD（ショットキーバリアダイオード） 650Vクラスなどの高耐圧製品を予定

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パワー半導体（パワーデバイス）の放熱に貢献！『エッチング加工』

パワー半導体（パワーデバイス）の放熱に貢献！『エッチング加工』

電気自動車（EV）やスマートフォンで活用されるパワー半導体の発熱を抑制！エッチング加工を使用した「放熱板」にて効率よく放熱します

パワー半導体（パワーデバイス）とは、大電流や高電圧を扱うことが可能な半導体の事で、 電気自動車やスマートフォンなど、幅広い範囲で開発されています。 当社では、主にパワー半導体（パワーデバイス）のチップの支持固定と 配線接続をするリードフレームとその放熱板の加工及び、 生産工程などで使用される、治具・メタルマスクなどでご協力させて頂くことが多いです。 金型を使うことなく、複雑・微細な形状の加工が可能で、 ミクロンレベル（3μm～2mm）の精度で短時間に製作します。 【特長】 ■金型なしで、複雑な部品などミクロンレベルの加工精度が短時間で製作可能 ■リードフレームでは、純銅から銅合金などの多種の材料を 　保有しており、エッチング加工が可能 ■放熱板では、厚銅を平井精密工業の機械加工（ファイバーレーザ加工・ 　ワイヤ放電加工）で対応する事が出来る ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 加工受託

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高電圧 電力変換システム用パワー半導体

高電圧 電力変換システム用パワー半導体

高電圧 電力変換システム用！様々な電力交換システムに適しています。

2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの構築を可能にします。 他の利点として、使用数量削減によりゲート駆動回路を構成する要素の減少も可能で、コストダウン、シンプルな設計による信頼性の向上、およびPCBスペースを節約し、小型化に貢献します。 【特徴】 ○高ブロッキング電圧 ○独自の高電圧パッケージ ○端子間の沿面距離増加 ○オン抵抗の温度係数が正 ○省スペース（デバイスの複数直列接続を削減） 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

  • その他半導体
  • その他電子部品

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【資料】しるとくレポNo.52＃アバランシェ試験（1）

【資料】しるとくレポNo.52＃アバランシェ試験（1）

アバランシェ降伏、UIS試験回路と波形など！パワーMOSFETのアバランシェ耐量試験について解説

★★しるとくレポ　知って得するお役立ち情報★★ アバランシェ試験で測定するアバランシェ耐量とは、パワーデバイスに 耐電圧以上の電圧を印加していくと急激に電流が流れはじめ破壊に至って しまうのですが、どのくらいのエネルギーまで耐えられるかということを指します。 当レポートでは、アバランシェ降伏やUIS試験回路と波形について 図を用いて解説。 万が一アバランシェモードに入った場合であっても問題ないかを 検証するために、パワエレ回路設計を行う際にはパワーMOSFETの アバランシェ耐量を調べておく必要があります。 【掲載内容】 ■アバランシェ降伏のイメージ図 ■アバランシェ耐量を測定する試験回路と波形 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他計測・記録・測定器
  • その他受託サービス
  • 受託検査

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【POTENS】低耐圧から高耐圧まで　MOSFET　代替検討に！

【POTENS】低耐圧から高耐圧まで　MOSFET　代替検討に！

パワー半導体FET　低耐圧　MOSFET　高耐圧　SJ　MOSFET　添付資料をダウンロード！お気軽にお問い合わせく下さい！

ポテンツセミコンダクター社は2012年9月台湾にて設立した会社です。 パワー半導体を中心に製品展開を行っています。 新規設計や、代替え品として、検討ください。 国内外メーカーの代替品となる製品もございますので、EOL等での置き換えが必要な際には、ぜひお問い合わせください。 技術サポートの特色として、20年以上の半導体開発経験を持つ半導体開発チームと 電源メーカで設計技術を蓄積してきたメンバーで構成した応用技術チームが連携し、 お客様が採用する過程で発生しうる技術的な課題（回路構成、効率、ノイズ、発熱等）に対してもお客様と一緒に解決してまいります。 また低耐圧製品から高耐圧製品（600V - 1500V)まで幅広いラインナップを取り揃えています。 製品ラインナップ製品は、 低耐圧から高耐圧品まで用意しています。 ・MOSFET ・IGBT　 ・Super Junction　 ・SiC　 ・Gan ◇カスタム設計対応 お客様のご要望に合せ回路/レイアウト設計サービスを提供出来ます。 是非、お問い合わせください。

  • スクリーンショット 2024-01-15 132048.png
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Q&A形式で学ぶスイッチング電源用電子部品入門講座

Q&A形式で学ぶスイッチング電源用電子部品入門講座

★スイッチング電源の基礎から、ノイズ、サージ、バリスタまで、徹底理解。 ★最適な部品選定の方法・トラブル未然防止のポイントとは

講　師 パナソニックエレクトロニックデバイス株式会社　デバイスアプリケーション本部　アドバンストデバイスアプリケーションセンター　西山　公治　氏 対　象 スイッチング電源に関心のある初心者・技術者など 会　場 川崎市教育文化会館 第1学習室 【神奈川・川崎市】JRまたは京急線の川崎駅から徒歩12分。川崎駅よりバス5分 日　時 平成23年12月9日(金)　10:30-16:30 定　員 30名　※お申込みが殺到する恐れがあります、お早めにお申し込みください。 聴講料 【早期割引価格】1社2名まで46,200円(税込、テキスト費用を含む) ※但し11月25日までにお申込いただいたTech-Zone会員に限る。会員登録は無料 ※11月25日を過ぎると【定価】1社2名まで49,350円(税込、テキスト費用を含む) となります

  • 技術セミナー

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【POTENS】『MOSFET』低耐圧から1000V以上まで！

【POTENS】『MOSFET』低耐圧から1000V以上まで！

汎用の低耐圧から1000V以上の高耐圧まで幅広いラインアップ！SiCや話題のGaNなどライアップ拡充中！他社相当品も豊富！

Potens(ポテンツ)は2012年9月に設立された台湾のFABレスメーカーです。 パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしています。 ＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に、300品種以上を保有。 ＜100V耐圧～1000V耐圧＞ Double Trench構造MOSFETやIGBT、GaN、Super Junctionなど500品種以上を保有。SiC SBDも保有。 ＜1000V耐圧以上＞ SiCを中心に100品種以上を保有。 国内外メーカーの代替品となる製品もございますので、 EOL等での置き換えが必要な際には、ぜひお問い合わせください。

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【POTENS】FET　低耐圧から高耐圧まで　各種製品紹介　

【POTENS】FET　低耐圧から高耐圧まで　各種製品紹介　

低耐圧FETから、高耐圧(1500V)まで各種製品を揃えています。 高耐圧FET製品のクロスリファレンス配布しています。

Potens(ポテンツ)は、2012年9月に設立された台湾FABレスメーカーです。 汎用の低耐圧から1000V以上の高耐圧まで幅広いラインアップがあり、 SiCや話題のGaNなどライアップ拡充しており、他社相当品も豊富！ パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしています。 ＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に、300品種以上を保有。 ＜100V耐圧～1000V耐圧＞ Double Trench構造MOSFETやIGBT、GaN、Super Junctionなど500品種以上を保有。SiC SBDも保有。 ＜1000V耐圧以上＞ SiCを中心に100品種以上を保有。 国内外メーカーの代替品となる製品もございますので、 EOL等での置き換えが必要な際には、ぜひお問い合わせください。

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