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シリコン・フォトダイオードチップをメタルパッケージに組み込みました！
シリコンフォトダイオード KD834は、プレーナータイプのシリコン・フォトダイオードチップをメタルパッケージに組み込んだフォトダイオードです。 高感度フォトダイオード（λp：900nm）を使用し、TO-18メタルパッケージで高性能・高信頼性があります。また、RoHS対応品もご用意しています。 フォトセンサ用受光素子、光電スイッチ用受光素子などの用途に適しています。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
光通信用フォトダイオード
オプトテクノでは、センサの高機能化・複雑化にともなうさまざまなニーズにきめ細かにお応えするため、カスタム・メイド半導体の設計・製作に力を入れています。 半導体の小型化、軽量化、高密度化などお気軽にご相談ください。 試作品の仕様の打ち合わせから量産までトータル・システムで承っておりますので、製作工数や部品購入費・管理費の削減など、製造諸費用のさらなるコストダウンがはかれます。
630-1650nm、800-1650nm、1000-1650nmの波長帯域の製品をご提供！
当社で取り扱う「InGaAs PIN フォトダイオード」をご紹介いたします。 630-1650nmの製品は、QSPDI-25ミニチュア積分球モジュール、 レセプタクル付属(FC、ST、SC、U1.25またはU2.5アダプター)。 また、800-1650nmの製品は、2-3GHz同軸マウントフォトダイオード、 FC,ST,SC,U1.25 or U2.5 adapterに互換性のあるモジュールがございます。 【ラインアップ(一部)】 ■630-1650nm ・QSPDI-25ミニチュア積分球モジュール、レセプタクル付属 (FC、ST、SC、U1.25またはU2.5アダプター) ■800-1650nm ・2-3GHz同軸マウントフォトダイオード ・FC,ST,SC,U1.25 or U2.5 adapterに互換性のあるモジュール ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
波長は1300～1600nm！計測機器、データコム、FTTHなどの用途に使用可能
当製品は、InP基板上にMOCVD(Metal Organic Vapor Deposition)で 成長させたInGaAs材料を使用したフォトダイオードです。 1300nmから1600nmの広い動作波長範囲に対応した前面入射型で、 サブマウントに容易に実装することができます。 ご用命の際は当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■InGaAs材料 ■平面的なZn拡散構造 ■直径70μmの受光部 ■前面入射型フォトダイオード ■高い応答性(0.85 A/W on a Wide Range (1300nm to 1600nm)) ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
フォトダイオード
フォトダイオードは、超高速の光学イベントを検出するためのデバイスです。 光が当たると電気出力を生成し、内部ゲインはありませんが、広いダイナミックレンジで動作します。 PHOTEK社フォトダイオードの立ち上がり時間は100ps未満で、10mm、25mm、または40mm直径の光電入力面から選択できます。
シリコンフォトダイオード
OSPD50シリーズは、高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。端子間容量6pF、遮断周波数25MHz以上を実現しました。アクティブエリアは標準で0.8mmx0.8mm, 1.2mmx1.2mm, 2.0mmx2.0mmの３種類を用意しプラスチックパッケージサイズは小型で4x4.8x1.8mmになります。分光感度特性は可視〜赤外域用(λ=320nm~1100nm), 赤外域用(λ=760nm~1100nm)及び特別感度波長範囲としてλ=600nm~720nmの３タイプを用意。実装面積の小スペース化を可能にするリードフォーミングタイプへの対応も可能です。魅力的な低価格と短納期にて対応致します。
アクティブエリア3.6 mm²の650nm Pin Photo Diode
高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。 アクティブエリアは標準で1.9mmx1.9mmを用意。 パッケージサイズは小型で5.2x4.8x1.43mmになります。 お客様のご要求仕様へのカスタマイズ対応も検討します。 お気軽にお問い合わせください。
【200nmから950nmの広い波長範囲において非常に高い感度を持つフォトダイオード】
ElFys社のブラックシリコンフォトダイオードは、原子層蓄積（ALD）コーティングを組み合わせた表面ナノ構造技術により集光性を高めた、広い波長範囲において高感度に光を検出できるフォトダイオードです。 波長範囲200nmから950nmにおいて96％以上の外部量子効率を持ちます。特に紫外域（UV）においては非常に高い感度を持ち、一般的なpn結合のフォトダイオードの約2倍光応答性が優れています。
【ウェアラブルデバイスに適した超高感度・SMDパッケージ】ブラックシリコンフォトダイオード
ElFys SMシリーズは、可視光・近赤外光の受光性能に優れたSMDパッケージのブラックシリコンフォトダイオードです。 ■超高感度 超高感度で、より多くの光電流を出力。 PPG（光電式容積脈波）モジュールのエネルギー効率を向上させます。 ■SMD小型パッケージ 「小型パッケージ」と「高い受光部充填率」で、 革新的なウェアラブル製品の設計を可能にします。 特に、ウェアラブルデバイスのヘルスモニタリング用途に適しています。
高感度と高速応答を同時に実現！青紫レーザ対応高速フォトダイオード
コーデンシでは、独自技術により、新しいシリコン受光素子を開発。この新開発の受光素子は、高感度と高速応答を同時に実現するもので、青紫レーザー光に対しても高い安定性を有しております。青紫対応高速ダイオード"PDZ702NB"として、量産しております。
外部での電磁シールドが不要！フォトダイオードの容量を数分の一以下にし広帯域化に成功
受光システムは広帯域化すると感度が低下してしまう、また、高感度の 受光ICは外来ノイズの影響を受けやすい課題がありました。 この度、その様な課題を解決する新型受光素子の開発に成功し、広帯域化、 高感度でありながら外来ノイズの影響を受け難い受光ICを製品化しました。 当社の新型フォトダイオードは独自の構造により、従来技術の限界の 数分の一以下の超低容量化により広帯域化を実現。 内部にシールド効果を持たせることが出来るので、外部での電磁シールドを 不要とする事が出来ます。 【特長】 ■広帯域での高感度化 ■従来技術のフォトダイオードに比べ寄生容量が数分の一以下 ■外来ノイズの影響を受けない受光素子 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Low PDL InGaAs フォトダイオード
■有効径：0.3～5mm ■高感度 ■カットオフ周波数(1.7um) ■低偏波依存性損失(Low PDL) ■コネクタ付可能(FC、SC、ST、SMA)
4・8・12・16のエレメントがリニアアレイとして配置
■ファイバリボンに合わせて250umピッチのデザイン ■80umの有効径でハイスピード・低暗電流対応 ■光アイソレーション50dB ■O・S・C・Lバンドに対応
InGaAs Thermoelectric Cooled PD
■シングル／デュアルステージTEクーラ ■有効径：0.3mm～5mm ■高シャント抵抗 ■低暗電流／低リーク電流 ■高感度 ■カットオフ波長：1.7、1.9、2.05、2.2、2.6μm ■標準パッケージ：TO-5、TO-8、TO-66 ■ファイバピグテール・SMAレセプタクル付カスタムパッケージ
Extended InGaAs PD
■有口径：0.3mm～3mm ■カットオフ波長：1.9μm、2.05μm、2.2μm、2.6μm ■高シャント抵抗 ■各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ、ボールレンズ ■パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5
