更新日： 集計期間:2025年08月27日～2025年09月23日
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◆ラージアクティブエリア ◆ビームの移動確認等に最適 ◆センサー用途
FCI-InGaAs-QXXXシリーズは、アクティブエリアを大口径にしたInGaAsフォトダイオードです。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージ ◆低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇
◆波長感度は200nmから1100nm 石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージされた、それらのディテクターは200nmから1100nmの波長感度です。 それらは、低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇することができます。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
■広いアクティブエリア■高い感受性■強い耐久性■ワイドアングル■チップオンPCB
◆メディカル向けセンサー◆各種光センサー◆選べる４パターン SPO2（動脈血酸素飽和度）を測定するための受光用フォトダイオードです。これらのフォトダイオードはスマートフォン，スマートウォッチ，メディカル端末に組み込まれ使用されます。 SJ SYSTEMはSPO2（動脈血酸素飽和度）をパルスオキシメーターで計る技術の専業メーカーであり、SPO2向けにLEDモジュール，PDモジュール，反射モジュールの製造販売を行っています。これらの製品はヘルスケアフィールドで使われ、スマートフォン，スマートウォッチで使用されております。
◆高速70μm InGaAsフォトディテクター◆TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合
FCI-H155/622M-InGaAs-70シリーズは、広範囲なトランスインピーダンスアンプを備えた高速70μm InGaAsフォトディテクターです。4 ピン TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合することで、高速シグナルディテクションとアンプの理想的な状態を提供します。 【モデル名：アクティブエリア(直径)・応答度1310nm・応答度1550nm・ダークカレント・キャパシタンス・ライズタイム・逆電圧】 ●FCI-InGaAs-70：70 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.03 nA、Vr=5.0V・1.5 pF、Vr=5.0V・0.2 ns、Vr=5.0V・20 V、max ●FCI-InGaAs-120：120 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.05 nA、Vr=5.0V・2 pF、Vr=5.0V・0.3 ns、Vr=5.0V・20 V、max ●FCI-InGaAs-300：300 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.3 nA、Vr=5.0V・10 pF、Vr=5.0V・1.5 ns、Vr=5.0V・15 V、max
VCSEL光通信用に最適なGaAs PIN-フォトダイオード(TO-46 Can／ROSA対応)
■最大25Gbpsまで対応 ■SC／LCレセプタクル対応ROSA or TO46-CANパッケージでの提供が可能 ■ボールレンズ or ドームレンズ付き／TIA付き
フォトダイオードの世界市場がセンシング技術に明るい未来を照らし、目覚ましい成長を予測
世界のフォトダイオード市場は、2022年に約4億1,010万米ドルの売上を達成し、センシング技術を再定義しようとしている。データ収集と精密センシングの強化を約束するビジョンにより、業界の専門家は、この市場が2031年までに推定8億4,050万米ドルの収益に達すると予測している。この予想変換は、2023年から2031年までの予測期間中に8.3%という驚異的な複合年間成長率（CAGR）を強調するものである。 光センシングの縁の下の力持ちであるフォトダイオードは、光を電気信号に変換する上で極めて重要な役割を果たしており、通信システムや産業オートメーションから医療機器や環境モニタリングに至るまで、幅広いアプリケーションで正確な計測を可能にしている。世界がスマートソリューションとデータ主導の洞察に向かうにつれて、光信号を捕捉し解釈するフォトダイオードの役割が最も重要になる。 応募方法は[PDFダウンロード]ボタンからご確認いただくか、関連リンクから直接ご応募ください。
【200nmから950nmの広い波長範囲において非常に高い感度を持つフォトダイオード】
ElFys社のブラックシリコンフォトダイオードは、原子層蓄積（ALD）コーティングを組み合わせた表面ナノ構造技術により集光性を高めた、広い波長範囲において高感度に光を検出できるフォトダイオードです。 波長範囲200nmから950nmにおいて96％以上の外部量子効率を持ちます。特に紫外域（UV）においては非常に高い感度を持ち、一般的なpn結合のフォトダイオードの約2倍光応答性が優れています。
【ウェアラブルデバイスに適した超高感度・SMDパッケージ】ブラックシリコンフォトダイオード
ElFys SMシリーズは、可視光・近赤外光の受光性能に優れたSMDパッケージのブラックシリコンフォトダイオードです。 ■超高感度 超高感度で、より多くの光電流を出力。 PPG（光電式容積脈波）モジュールのエネルギー効率を向上させます。 ■SMD小型パッケージ 「小型パッケージ」と「高い受光部充填率」で、 革新的なウェアラブル製品の設計を可能にします。 特に、ウェアラブルデバイスのヘルスモニタリング用途に適しています。
光検出素子の概要を解説！技術資料を無料プレゼント中
フォトダイオード（PD ）は、半導体の PN 接合部に光を照射したときにその光強度変化を電気信号（電圧、電流）に変換する受光素子です。フォトダイオードはその特性や構造によって、PNPD、PIN-PD、そして APDの３つに大分されています。各々の特性の違いを理解して、用途に応じて使い分けます。 【掲載内容のご紹介】 ・ フォトダイオードとは ・ フォトダイオードの用途 ・ フォトダイオードの構造と原理 ・ 等価回路 ・ フォトトランジスタ 光検出素子（フォトダイオード・フォトトランジスタ・光給電素子）の概要に関する解説資料を無料でプレゼントしています！詳しくはPDFをダウンロードしてご入手ください。 弊社の取り扱っているフォトダイオードについての詳細は、お気軽にお問い合わせください。
波長は1300～1600nm！計測機器、データコム、FTTHなどの用途に使用可能
当製品は、InP基板上にMOCVD(Metal Organic Vapor Deposition)で 成長させたInGaAs材料を使用したフォトダイオードです。 1300nmから1600nmの広い動作波長範囲に対応した前面入射型で、 サブマウントに容易に実装することができます。 ご用命の際は当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■InGaAs材料 ■平面的なZn拡散構造 ■直径70μmの受光部 ■前面入射型フォトダイオード ■高い応答性(0.85 A/W on a Wide Range (1300nm to 1600nm)) ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
