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◆感度範囲：400nm～1100nm◆はんだ付け可能チップフォトダイオード◆太陽電池等◆光導電性（太陽電池）はんだ付け可能チップ
■大きい有効径 ■豊富なサイズ ■高シャント抵抗 ■リード付又はリード無し 大きな活性面積光検出器または検出器は「使い捨て」とみなされる場合を必要とするアプリケーションに低コストのアプローチとなります。ハンダ付けリード付きまたはスタンドアロンのベアダイとして使用できます。感度範囲は400nm～1100nmです。
◆逆バイアス状況下で駆動◆大口径、四角形もラインナップ◆低ダークカレント◆シリコンPINフォトダイオード◆ピーク波長約940nm
■スペクトル検出範囲：400nm～1100nm LD-PDはMIL-I-45208に準拠した検査システムを導入しており、 Telcordia試験要件（TA-NWT-00093）およびMIL-STD-883試験方法に準拠しています。 【パラメータ：Typical値・シンボル・試験条件】 ●丸形φ0.2～φ8.0mm ディテクタサイズ(mm)：φ0.2、φ0.5、φ1、φ2、φ4、φ5、φ8 応答波長範囲(nm)：400 – 1100・λ 応答性(A/W)：0.40、0.45、0.5、0.5、0.5、0.5、0.55・Re・VR=15V、λ=900nm 応答時間(nS)：2、5、6、8、15、15、25tr・VR=15V、RL=50Ω 暗電流(nA)：1、2、3、5、12、40、60・ID・VR=15V 逆電圧(V)：100・VB・IR=10μA 静電容量(pF)：0.8、1.2、2.0、6、20、30、70・Cj・f=1MHz、VR=15V 動作電圧(V)：0～15・VR ソケット：Coaxial/TO-46/TO-5/TO-8 飽和光パワー：0.3w/cm2
◆高速シリコンフォトダイオード ◆800nm波長域にピーク ◆高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで）仕様
高速シリコンフォトダイオードは800nm波長域にピークを持ち、高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで）仕様のディテクターです。100Mbpsから622Mbpsと1.25Gbpsフォトダイオードの２種類あります。 【100Mbps / 622Mbpフォトダイオード】 OSI オプトエレクトロニクス社の大有効径の高速シリコンディテクターシリーズは短距離データ通信用にデザインされた製品です。 【850nm 1.25 Gbps フォトダイオード】 OSI オプトエレクトロニクス社の大有効径の高速シリコンピンフォトダイオードシリーズは850nmの短距離データ通信用にデザインされた製品です。
◆プラスチックカプセル化されたフォトダイオード ◆高品質、高信頼性 ◆高密度パッケージ ◆強固なモールドパッケージ
・低暗電流 ・標準リード ・SMT ・モールドレンズ ・横向きあり ・チップ上にフィルター(700nmカットオフ） OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち30年以上の経験があります。当社は大量生産の要件を満たすための効率的な製造と優れたエンジニアリングソリューションを作り出し続けています。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆1次元または2次元アクティブ領域効果 ◆アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能 ◆ポジションセンシング
セグメント化され、1次元または2次元アクティブ領域に横効果PSDが利用できる。 幅広いアプリケーションに適合するように、アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能。 横効果のPSDが広い横方向の変位を測定するのに最も適しているのでセグメント化された検出器は、典型的には、ビームヌルアプリケーションで使用される。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
Two-Color Sandwich PD
■InGaAsの上にSi(1.7、2.05、2.2、2.6μm) ■上部受光部有効径：2.0mm又は5.0mm ■下部受光部有効径：1mm、2.0mm又は3.0mm ■InGaAs(1.7、2.05、2.2、2.6μm)の上にInGaAs(1.7μm) ■下部受光部有効径：1mm又は2.0mm ■標準パッケージ：TO-5、TO-8
GPD社は、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオード・赤外フォトディテクタの製造を行っています
■小から大口径まで各種：100μm～25mm ■波長感度域：800nm～1800nm ■高直線性：>10dBm ■各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ及びボールレンズ ■光学フィルタ：濃度フィルタ及びバンドパスフィルタ ■シングル及びデュアルステージの電子冷却可能 ■4分割フォトダイオード ■2色(Si/Ge)サンドイッチフォトダイオード ■カスタム付属品付パッケージ可能：ファイバピグテール、高信頼性ピグテール、レセプタクルとサブマウント ■各種パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5、TO-8、TO-9、BNC
◆Nd:YAG感度 高耐電圧 ◆大きい有効径 ◆高速感度 ◆高精度 ◆低電気容量、低ノイズ、高速操作が可能
◆YAGレーザー出力光の位置検出用 ◆1060nmで高感度に最適化されたフォトダイオード ◆高い逆バイアス電圧(200ボルト)で操作 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。 長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆大口径アクティブエリアサイズ ◆波長帯：1100-1620nm ◆IR感度ディテクター
アクティブエリアサイズが1mm 1.5mm と 3mmのFCI-InGaAs-XXX-Xシリーズは、OSI Optoelectronics社の1100nm から1620nmで素晴らしい応答性があるIR感度ディテクター(弱いシグナル感度もあります。)の一部です。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆GaAsフォトダイオード ◆GaAsを基にした半導体の光センサ ◆400から850nmに感度があり
アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。 一般的に400から850nmに感度があります。 【フォトダイオードアレイ】 FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用にデザインされた4 から 12素子のGaAs PINフォトディテクターアレイです。 ●仕様 ［モデル名：アクティブエリア・応答性・キャパシタンス・ダーク・カレント・最大逆電圧・最大フォワードカレント・バンド幅・ブレイクダウン・電圧・パッケージ］ ・FCI-GaAS-4M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-4M ・FCI-GaAS-12M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-12M
◆ラージアクティブエリア ◆ビームの移動確認等に最適 ◆センサー用途
FCI-InGaAs-QXXXシリーズは、アクティブエリアを大口径にしたInGaAsフォトダイオードです。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージ ◆低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇
◆波長感度は200nmから1100nm 石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージされた、それらのディテクターは200nmから1100nmの波長感度です。 それらは、低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇することができます。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆高速70μm InGaAsフォトディテクター◆TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合
FCI-H155/622M-InGaAs-70シリーズは、広範囲なトランスインピーダンスアンプを備えた高速70μm InGaAsフォトディテクターです。4 ピン TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合することで、高速シグナルディテクションとアンプの理想的な状態を提供します。 【モデル名：アクティブエリア(直径)・応答度1310nm・応答度1550nm・ダークカレント・キャパシタンス・ライズタイム・逆電圧】 ●FCI-InGaAs-70：70 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.03 nA、Vr=5.0V・1.5 pF、Vr=5.0V・0.2 ns、Vr=5.0V・20 V、max ●FCI-InGaAs-120：120 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.05 nA、Vr=5.0V・2 pF、Vr=5.0V・0.3 ns、Vr=5.0V・20 V、max ●FCI-InGaAs-300：300 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.3 nA、Vr=5.0V・10 pF、Vr=5.0V・1.5 ns、Vr=5.0V・15 V、max
VCSEL光通信用に最適なGaAs PIN-フォトダイオード(TO-46 Can／ROSA対応)
■最大25Gbpsまで対応 ■SC／LCレセプタクル対応ROSA or TO46-CANパッケージでの提供が可能 ■ボールレンズ or ドームレンズ付き／TIA付き
