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フォトダイオード(si) - 企業2社の製品一覧

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【光検出器・オプトカプラ】フォトダイオード ラインアップ一覧

カメラや煙探知器、安全装置など、日常的に利用するさまざまな電子機器で使用!

「フォトダイオード」は、光を電気信号に変換する半導体デバイスです。 光のセンサ又は検出器として使用されており、代表的なのは半導体のpn接合を 利用したフォトダイオード。 光がフォトダイオードに入射すると、半導体の接合部分の電子が励起され、電流を 測定することにより光量を検出できます。 【ラインアップ(一部)】 ■フォトダイオード ams OSRAM 赤外線 Si スルーホール実装 5mm package ■フォトダイオード 浜松ホトニクス IR + Visible Light Si スルーホール実装 TO-18 ■フォトダイオード 浜松ホトニクス Full Spectrum Si スルーホール実装 TO-18 ■フォトダイオード ams OSRAM Full Spectrum Si スルーホール実装 3mm package ■フォトダイオード 浜松ホトニクス Full Spectrum Si スルーホール実装 TO-5 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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GaAsフォトダイオード OSI optoelectronics

◆GaAsフォトダイオード ◆GaAsを基にした半導体の光センサ ◆400から850nmに感度があり

アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。 一般的に400から850nmに感度があります。 【フォトダイオードアレイ】 FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用にデザインされた4 から 12素子のGaAs PINフォトディテクターアレイです。 ●仕様 [モデル名:アクティブエリア・応答性・キャパシタンス・ダーク・カレント・最大逆電圧・最大フォワードカレント・バンド幅・ブレイクダウン・電圧・パッケージ] ・FCI-GaAS-4M:70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-4M ・FCI-GaAS-12M:70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-12M

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