更新日： 集計期間:2025年09月03日～2025年09月30日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年09月03日～2025年09月30日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年09月03日～2025年09月30日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
181～195 件を表示 ／ 全 251 件
製造中止された3.5インチIDE/PATAドライブの代替ソリューション！
当社で取り扱う『3.5インチIDE ソリッドステートドライブ』 についてご紹介いたします。 IDEインタフェースを搭載した3.5インチタイプのSSDで、 最大240GBの容量をサポート。 SATA/PATA変換アダプタを使用することなく3.5インチフォーム ファクタで利用することができます。 【特長】 ■製造中止された3.5インチIDE/PATAドライブの代替ソリューション ■最大転送速度150MB/秒 ■最大容量240GBサポート ■温度拡張オプション：-40℃～＋85℃ ■コンフォーマルコーティングオプション ■RoHS対応 ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
不揮発性メモリ！それぞれ異なる特長をもっているため得意とする用途も異なります
当社で取り扱っているFeRAM/ReRAMメーカー、RAMXEEDを ご紹介いたします。 強誘電体メモリの「FeRAM」は、不揮発性・高書換耐性・高速書込み・ 低消費電力の4つの特長を備えたメモリです。電源を切ってもデータは 消えません。また、データの重ね書きが可能です。 その他、抵抗変化型メモリの「ReRAM」は、不揮発性・低読出し電流・ 大容量・超小型パッケージの特長を備えたメモリです。 ※RAMXEEDは2025年1月1日より富士通セミコンダクターメモリソリューションから社名変更いたします 【FeRAM 特長】 ■バッテリーフリー(グリーン化製品) ■書換回数がEEPROMの最大1億倍 ■書換えコマンドの発行不要 ■書込みのための内部昇圧不要 ■書込み時間が短いため、書込み時の消費電力が小さい ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
古いデータを消去しながら、有効なデータを保存！信頼性の高い長期的なパフォーマンス
当社で取り扱う「1.8V,3.3V SLC パラレル NANDフラッシュ AS9FxxG08SA」 をご紹介いたします。 自動車、産業、通信、家電市場におけるレガシーSLCパラレルNANDフラッシュ メモリ製品への需要の高まりに応えるため、アライアンスメモリは、1Gb～8Gbの 密度を備えた新しいAS9Fシリーズの1.8Vおよび3.3Vデバイスを発表。 ブロック消去時間は標準で3msまで短縮されます。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■1.8Vおよび3.3VV CC ■1Gbから8Gbまでの密度 ■ブロック消去時間は通常3msまで高速 ■ONFI 1.0仕様に準拠 ■x8 I/O インターフェイス ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
コントローラは1.8Vまたは3Vのデュアル電源電圧で駆動可能！
当社で取り扱う「32GB、64GB、128GB の産業グレード eMMC」を ご紹介いたします。 民生用、産業用、ネットワーキングアプリケーションのソリッドステート ストレージ向けに、このデバイスは、信頼性の高いTLC NANDフラッシュメモリと eMMCコントローラおよびフラッシュトランジションレイヤー(FTL)管理 ソフトウェアを単一の11.5mmx13mm153ボールFBGAパッケージに統合しています。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■高信頼性TLC NANDフラッシュテクノロジーを搭載 ■eMMC v4.5およびv5.0との下位互換性 ■-40°C～＋85°Cの工業用温度範囲で動作 ■x1、x4、x8のプログラム可能なバス幅を提供 ■内部LDOを備えたNANDメモリは3Vの単一電源電圧で駆動可能 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速な読み取り、プログラム、消去時間によるパフォーマンスを向上！
当社で取り扱う「4Mb,16Mb 3V マルチ入出力 NORフラッシュメモリ」を ご紹介いたします。 「4Mb AS25F304MD-10S1IN」および「16Mb AS25F316MQ-10S1IN」は、 最大104MHz の高速読み取り性能と、それぞれ最小1.1msおよび2.6msの 高速プログラムおよび消去時間を組み合わせています。 最大消去/プログラム電流は1.3mAまで。最大読み取り電流は104MHzで3.7mAまでと、 コンピュータ、消費者、通信、IoT市場の需要を満たすように設計されています。 【利点(一部)】 ■シングル、デュアル、クワッド(AS25F316MQ-10S1IN)SPIモードで動作 ■100,000 回のプログラム/消去サイクルと20年間のデータ保持による 信頼性の高い長期パフォーマンス ■均一な4KBまたは32KBまたは64KB消去 ■プログラム/消去の一時停止と再開 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
電子ペーパーとNFCの融合ツール！
『KZSTe！ 会社設立20周年記念版』は、NFCリーダライタ機能付き電子 ペーパーです。 「ERNDe!（えらんでっ！）」・ 「MEKTe!（めくってっ！）」・ 「WTSTe!（わたしてっ！）」の3枚のカードが付いており、本体にそれ ぞれのカードを「かざす」ことで電子ペーパーの表示を変更することが可能。 インバウンド向け値札・商品説明や、電子ペーパー表示テストキットとして 最適です。 【特長】 ■カードをかざして表示が変わる ■無電給でも表示が残る ■カードを通じてコミュニケーションが可能 ■エコ ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
メモリ/製造中止品(EOL品)の再生産
インフィニオン S29GL512N10FFAR20は、サイプレス MirrorBit 製品の512Mビット(64Mバイト)フラッシュメモリです。この製品は単一の3.0Vで動作し、1.65VからVCCまでのI/O範囲を提供します。13mm×11mmのFBGA-64パッケージで提供され、-40℃～+85℃動作に対応し、AEC-Q100グレード3に認定されています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
最大20nsの速度でランダムアクセス読み取り/書き込みを実行！
『nvSRAM』は、サイプレスの世界を牽引するSRAMテクノロジーと クラス最大級のSONOS不揮発性テクノロジーという2つの主力 CMOSテクノロジーを1つの強力な製品ラインに組み合わせています。 システムでは、当製品は従来のSRAMとまったく同じように動作。 TSOP、FBGA、SSOP、SOIC パッケージなどの業界標準のRoHS準拠の パッケージオプションで提供されます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
【高速書込み・高書換え回数・低消費電力】バイナリカウンタ機能を内蔵したエンコーダ向け16kビット不揮発メモリ（FeRAM）
FeRAM（強誘電体メモリ）は、高速書込み・高書換え回数・低消費電力という特徴を持つ不揮発性メモリです。 本製品は、さらにチップ内にデータ処理（Data Processing）：バイナリカウンタ機能を内蔵しているため ロータリーエンコーダ用途に最適です。 また、動作温度も～125℃に拡張しております。 【特長】 ■高速書込み・高書換え回数 ■業界トップクラスの低消費電力でバッテリライフを長寿命化 ■バイナリカウンタ機能を内蔵 ■動作温度 －40℃～125℃ ■製品の小型に最適 ※詳しくは【PDFダウンロード】より資料をご確認ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
PVインバータのダウンタイムを激減：FeRAMの高速書込が可能にするミリ秒単位の電流電圧ロギング
PVインバータを始めとしたエネルギーストレージ、風量発電設備等の 再生可能エネルギー用設備を世界的に展開し、環境保全に先進的なグローバル カンパニーである顧客は、PVインバータにFeRAMを採用しています。 顧客は最終ユーザーから故障時の原因解析を確実に行うために、電流及び 電圧のデータを毎秒ロギングすることを求められておりました。ログを格納する メモリとして、EEPROMやFLASHメモリ等の従来型の不揮発性メモリでは顧客の 製品の長い稼働期間に渡って動作し続けることに課題がありました。 そのため、高速書き込みと高書き換え耐性を持ち、かつ市場での高い実績のある FeRAMの採用により顧客製品の長い全稼働期間に渡って確実にログデータを 格納し、最終ユーザの要求を満足する製品の開発に成功しています。 【事例概要】 ■PVインバータにおいて、FeRAMはその高速書き込み、高書き換え耐性、 優れたデータ保持性により、高い信頼性とメンテナンス容易性、及び 長いシステム寿命の実現を可能にする ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
正確な電力記録で安心充電：停電時も安心のFeRAM搭載EVチャージャー
EV Chargerは電力グリッドからの給電を受け、AC電力をEVのバッテリに 供給するACチャージャーとACから変換されたDC電力をバッテリーに供給する DC急速チャージャーがあり、FeRAMはそのどちらにも使用可能です。 FeRAMは停電や瞬停発生時でもEVに充電された電力を正確に記録し、 ユーザへの適切な課金を実現します。 更に電圧変動や周波数変動といったイレギュラーなイベントのロギングにより、 問題の要因特定に貢献します。 【推奨製品】 ■MB85RS2MTA ■MB85RS256B ■MB85RS64 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
シームレスな電力供給：停電時も途切れない安心をFeRAMで実現
無停電電源装置(UPS)におけるFeRAM活用事例を紹介します。 UPSは停電が発生した場合、バッテリーからのDC電圧を必要な振幅と 周波数のAC電圧に変換することにより継続的な電源供給を保証。 FeRAMはAC電圧波形を常時記録することにより、停電発生時における、 電力グリッドからの電力供給からバッテリーの電力供給へのシームレスな 電力供給を可能にします。 【推奨製品】 ■MB85RQ8MX ■MS85R4M2TA ■MB85RS512T ■MB85RS256B ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
そのIoT機器は本当に健全性を保っているのか？という課題 (サイバー攻撃 / マルウェア感染のリスクから守る！）
今やIoT機器は直接的・間接的にネットにつながり便利なサービスやソフトウェアアップデートが利用できる一方、急に動作が不安定になったり、もしかしたらマルウェアに感染？と思ったりした経験はないでしょうか？ 普段は何も問題がないように見えても、実は期待通りにIoT機器が運用されているのかを見極めるのは非常に難しい課題です。 NIST SP800-193はこの課題解決に向け、Root-Of-TrustといったIoT機器の最深部の「信頼の根っこ」から「保護」「検出」「リカバリー」といった3つの柱で概説しています。 当資料ではその概念に沿って弊社製品で貢献できる内容を説明しています。ぜひダウンロードしてご一読ください。 【掲載内容】 ■ IoT機器の登場とサイバー攻撃のリスク ■ NIST SP800-193とは？ ■ 実例-SP800-193に準拠したウィンボンドのセキュアフラッシュデバイスのレジリエンシー（耐障害性） ・保護 ・検出 ・リカバリー ■ まとめ
JEDEC xSPIに準拠したオクタル DDR インターフェースを搭載！8ビットIOにより最大400MB/秒の帯域幅を実現！
【特長】 ■最大読出しスループット: 400MB/秒 (従来製品W25Qシリーズの約5倍） ■容量: 64Mb～2Gb ■電源電圧: 1.8V ■書き換え可能回数: 10万回 ■データ保持期間: 20年 ■ビルトインECC、CRC-at-Rest、CRC-in-Transit ■XiP＊モード ■セキュリティレジスタ ■ハードウェア書込み保護 *XiP：Execute-In-Place ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
AEC-Q100 認定のフラッシュメモリ/高信頼性・高性能ソリューションの長期安定供給を実現
ウィンボンドは、先進運転支援システム (ADAS)、ドライバー監視システム(DMS)、 インフォテインメント、統合型スマートコックピットシステムなどの 自動車アプリケーション向けに最適化された AEC-Q100 認定の フラッシュメモリを提供しています。 ISO16949認証を取得した自社工場で製品の高品質基準を維持し、 車載アプリケーションのさまざまな要件を満たし、 高信頼性・高性能ソリューションの長期安定供給が可能です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
