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1H NMR,13C NMR、及びDEPT測定を例として取り上げ、NMRで得られる情報について紹介！
株式会社アイテスでは「液晶化合物のNMR分析」を行っております。 NMRは、分子を構成する原子どうしのつながりが分かる分析手法であり、 質量分析や赤外分光法などと共に、化合物の構造決定に用いられます。 ダウンロード資料では、液晶成分として使用される4-ブトキシ-4’- シアノビフェニル(CAS番号52709-87-2)の1H NMR,13C NMR、及び DEPT測定を例として取り上げ、NMRで得られる情報について紹介。 是非、ダウンロードしてご覧ください。 【測定例】 ■1H NMR測定 ■13C NMR測定及びDEPT測定 ■その他のNMR測定手法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
BCAの断面解析とX線透過観察
BGA・CSPやCOC微小なバンプや特殊なセンサー、 内蔵部品基板の指定箇所の断面研磨を X線観察により可能にしました。 【特徴】 ○一直線に並んだバンプを均一で水平な研磨に仕上げている顕微鏡の焦点を変えることなく観察が出来ます。 ○BGA等の小さな隙間に樹脂を完全に充填し、汚れ・ダレ・伸びのない断面試料を提供します。 ○X線透過装置は焦点寸法0.25?mによる微細なポイントの設定が可能で、130万画素検出器で動画撮影も出来ます。 ・詳細はお問い合わせ下さい
半導体単体から、モジュール、実装基板など幅広い製品の観察が可能！
『ELITE』は、通電によって異常箇所を発熱させ、その発熱部位を 高感度赤外線カメラで観察することで、実装基板、電子部品内部、 半導体チップ内部の異常箇所を特定する発熱解析が可能な装置です。 最大約20cm角の広角カメラにより、大きな基板等のサンプルでも 解析可能。 また基板解析の経験は豊富にございますので、その経験を基に不良箇所の 特定や、断面解析による原因特定にも対応します。 【特長】 ■非破壊で不良解析ができ、サンプル加工などによる故障箇所喪失リスクがない ■半導体単体から、モジュール、実装基板など幅広い製品の観察が可能 ■一般的なマニュアル検査に比較して不良特定率が向上 ■赤外線強度データと位相データの解析により、不良部位のXYZ位置特定が可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能
SSRMは、バイアスが印加された試料の表面を導電性探針で走査し、抵抗値の分布を二次元的に計測することで探針直下の広がり抵抗を可視化する手法です。 シリコン半導体素子を計測した場合、空間分解能に依存しますが、キャリア濃度1016個/cm3以上に感度があります。 ・ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能 ・半導体のドーパント濃度分布計測に有効 ・半導体の極性（p型/n型）の判定は不可 ・定量評価は不可
FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで試料表面を走査させることにより特定領域を削ったり成膜することが可能です
FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで、試料表面を走査させることにより、特定領域を削ったり（スパッタ）、特定領域に炭素（C）・タングステン（W）・プラチナ（Pt）等を成膜することが可能です。また、イオンビームを試料に照射して発生した二次電子を検出するSIM像により、試料の加工形状を認識できます。 ・微小領域（数nm～数十μm）のエッチングによる任意形状加工が可能 （通常加工サイズ：～20μm程度） ・SEM・SEM-STEM・TEM像観察用試料作製（特定箇所の断面出しが可能） ・微細パターン（数μm～数十μm）のデポジション薄膜形成が可能（C・W・Ptの成膜） ・高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM（Scanning Ion Microscope）像観察が可能 ・SIM像で金属結晶粒（Al、 Cu等）の観察が可能
実験セルを問わず解体し、分析します
GC/MS分析を用いて電解液の有機溶媒成分を評価した事例を紹介します。 リチウムイオン二次電池の電解液を測定した結果、有機溶媒はエチレンカーボネート（EC）、プロピレンカーボネート（PC）を主成分としていることが分かりました。 この他の成分としてジエチルカーボネート（DEC）、硫黄化合物が検出されていましたが、後者については添加剤由来の可能性が考えられます。
各成分の毛髪への浸透状態を可視化
日常生活でヘアケア剤を用いていない毛髪であるヒゲを、コンディショナーもしくはトリートメントに浸し、各浸漬条件における成分の浸透状態について調査しました。 コンディショナーに浸漬したヒゲでは、シロキサンが浸漬時間と共に毛皮質まで浸透する一方、高級脂肪酸は抜けている様子が見られました。トリートメントに浸漬したヒゲでは、含窒素有機物は毛皮質には浸透せず毛小皮（キューテクル）周辺にのみ分布している様子が見られました。
雰囲気制御下で前処理を行うことで酸化劣化を防いだ分析が可能です
雰囲気制御下で有機EL素子の切削加工を行い、各層の定性スペクトルを抽出した結果を示します。 有機EL素子を雰囲気制御下において切削加工を行うことで、より真の状態に近い各層のスペクトルを取得することができました。
有機EL素子を深さ方向分解能よく評価
有機EL素子の長寿命化には、エレクトロマイグレーションによる劣化の評価が必要なため、電極金属成分の有機層への拡散の状態を調べることが重要です。しかしながら、陰極側から直接分析しても、陽極側からSSDP法*により分析しても、深さ方向分解能が低下し、界面から有機層への拡散を評価することは困難でした。（*SSDP法：裏面側からの分析。分析手法詳細編B0013参照。） そこで、特殊加工によって、陰極/有機層界面および有機層/陽極界面を露出させ、そこから有機層を分析することにより、有機層中を高い深さ方向分解能で評価することが可能になりました。
課題解決のために各種手法を組み合わせた評価を行います
リチウムイオン二次電池は二次電池の中でも優れた特性を有し、各種携帯機器電源として広く普及しています。その高出力化、高容量化、長寿命化、信頼性向上など、まだ様々な課題が残されています。各種分析手法を用いて電池材料の総合評価が可能です。
SIMS分析によりH、 C、 N、 O、 Fなどを1ppm以下まで評価可能
他手法では評価が難しい半導体基板中のH、C、N、Oを1ppm(約5E16atoms/cm3)以下まで、Fを1ppb(約5E13atoms/cm3)以下の濃度まで検出可能です。実際のFZ-Si中における測定例（図1）とIII-V族半導体のバックグラウンドレベルを紹介します（表2）。III-V族半導体以外にも、金属膜・絶縁膜など各種材料で標準試料をとりえ揃えており、高感度な定量分析が可能です。半導体基板など各種材料のバルク分析や半導体プロセス中のガス成分の混入評価などに最適です。
TEM-EELSにより、微小領域の元素同定・化学状態分析が可能です
電子材料・触媒材料・紫外線吸収剤・光触媒などに用いられる酸化チタン（TiO2）には組成が同じで結晶構造の異なるアナターゼ型とルチル型が存在します。Si基板上に成膜した厚さ20nmの多結晶TiO2試料（写真1）について電子線プローブを約1nmΦ(FWHM)まで絞って測定を行いました。試料から取得したEELSスペクトルは、Ti、 Oともにアナターゼ型TiO2の標準スペクトルと一致しています（図1、 2）。
イメージングSIMS分析により面内分布を可視化
デバイス作成の要素の一つである膜組成の均一性と不純物の分布状態をイメージングSIMS分析により評価しました。 測定後のデータ処理により、平面イメージ（図1）・断面イメージ（図2）・任意箇所の深さ方向分布プロファイル（図3、 4）・ラインプロファイルを得ることができます。構成材料・不純物の分布から、プロセス・膜質改善に繋がる情報を得ることができます。
XPS：X線光電子分光法など
高純度不活性ガス雰囲気下で試料前処理、搬送、測定を行うことで表面酸化、水分吸着を抑えた評価が可能です。 ■適用例 ・半導体電極材料 剥離面の評価等には二次汚染、酸化の影響を抑えて評価ができます。 ・有機EL材料 開封から不活性ガス雰囲気下で作業を行うことで、材料の劣化を防ぎます。 ・Li等電池材料 Li等N2雰囲気不可の場合はAr雰囲気で処理を行う等の対応も可能です。
EBSD：電子後方散乱回折法
TEM（NBD：Nano Beam Diffraction）のような薄片化加工を行うことなく、バルク状態での測定が可能です。 SEM特有の高い空間分解能を持ち、比較的高い歪み感度を持っています。 また、局所的な格子歪みをテンソルデータとして検出できる可能性があります。
