更新日： 集計期間:2025年10月01日～2025年10月28日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
16～30 件を表示 ／ 全 38 件
「FT-IR」や「X線回折」といった試験法での構造解析の料金表！税抜き、税込みで掲載
株式会社ミツバ環境ソリューションは、環境測定、調査・解析、 ISOコンサルティングの専門企業です。 当資料では『化合物構造解析』の料金について税抜き、税込みで ご紹介。 「前処理」や「通常測定 KBr・測定・解析」「顕微法 測定・解析」 といった試験項目ごとに掲載しておりますので、ぜひご一読ください。 【掲載項目】 ■FT-IR ■ガスクロマトグラフ質量分析 GC-MS ■X線回折 ■紫外可視 分光光度計 ■熱分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です
アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiNx膜の構造解析事例を紹介します。
【無料プレゼント】新鋭の顕微赤外分光イメージングシステムを用いた技術資料
自動車の塗装は、耐候性や外観上の品位を向上させるために複数の塗料層で 構成され、層構造や塗料の種類は車種ごとに異なります。 したがって塗料片を構成する各層の成分分析は、その車種を特定するうえで 貴重な情報を与えます。 当資料では、新鋭の顕微赤外分光イメージングシステムを用いて行った 自動車塗料片に関する解析事例についてご紹介しています。 【掲載内容】 ■はじめに ■試料、分析システム ■データ解析 ■結果 ■まとめ ■参考文献 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
光学顕微鏡観察及び極低加速FE-SEMにて観察！詳細な構造の解析や元素分析等が可能
市販の角型Liイオン電池を機械研磨し、光学顕微鏡観察及び極低加速FE-SEMにて 観察することにより、詳細な構造の解析や元素分析等が行えます。 資料では、Liイオン電池の全体構造及びSEM観察や極低加速FE-SEMによる Liイオン電池の詳細構造観察を写真を用いてご紹介しております。 【解析概要】 ■Liイオン電池の全体構造及びSEM観察 ■極低加速FE-SEMによるLiイオン電池の詳細構造観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
微生物群集構造解析の結果や、主座標分析、レアファクションカーブなどをご紹介！※解析事例集進呈中
土壌サンプルの自社データをご紹介します。 当データは、4地点について各4サンプル解析した結果です。 MiSeqでの取得データについては各サンプルおよそ10万リード程度 得られています。 納品データはhtml形式のファイルが含まれており、グラフ等は webブラウザでの閲覧が可能なので、ぜひ関連リンクよりご覧ください。 【概要】 ■16SrRNAのV4領域のデータを用いた微生物群集構造解析の結果 （門レベルの分類） ■OTU heatmap ■主座標分析（PCoA） ※オプション ■レアファクションカーブ ※オプション ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
軽溶媒そのままの測定
NMRは通常、磁場の安定性確保などを理由に磁場調整を重水素化溶媒の2H（：D）核の共鳴信号を用いて行いますが、1H核の共鳴信号を用いて行うことにより、軽溶媒（：通常の溶媒）でも測定を行うことが可能です（No-D測定法）。 No-D測定法が有効な測定は次の通りです。 ・軽溶媒との相互作用を評価する測定（例：軽溶媒での劣化調査） ・重水素化溶媒を用いることができない試料の測定（例：タンパク質など生化学分野の試料の測定） ・揮発しやすい成分を含む試料の測定 ・溶解できる重水素化溶媒がない試料の測定
温度可変領域－196℃～600℃！高分子構造変化のメカニズムに迫ります
当社では、高温・低温ラマン構造解析を行っております。 高分子材料の熱的物性の変化や吸着物による物性低下の原因を 温度可変ラマンによる分子構造解析で明らかにします。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■温度可変領域：－196℃～600℃ ■試料部：ガラス窓付き密閉セル ■その他：マッピングも可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不良解析の実績多数！現象の確認から不良発生メカニズムの推測など、詳細な解析が可能
当社では、「海外製ディスプレイの不良解析」を行っております。 現象の確認から、不良発生メカニズムの推測、原因となった 生産工程の絞り込みなど、詳細な解析が可能です。 点灯観察、パネル解体、光学顕微鏡観察を不良症状に合わせて実施。 不具合箇所を絞り込み、詳細解析が必要な場合は適切な手法を提案させていただきます。 【詳細解析例(一部)】 ■配線の断面観察 ■異物分析 ■液晶成分分析 ■電気特性測定 ※別途費用が発生いたします ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
製品の三次元構造を測定、解析することで品質管理に役立てます！
弊団では、3Dプリンター造形物の三次元構造解析を承っております。 設計図と製造品の違いを把握することは、品質管理において 重要なプロセス。X線CT測定を行うことで、3Dプリンターにて 印刷した造形物と設計図との三次元構造的な「ズレ」の比較が 可能となり、出来栄えを評価することができます。 本事例では、樹脂系材質の成形品について評価していますが、 X線が透過する金属系材質の成形品についても同様の評価が可能です。 【測定法・加工法】 ■X線CT法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
STEMでめっきされたコネクタ端子表面の付着物層(20nm程度)の”表面を保護するサンプリング法”により損失なしで確認可能です
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEMによるAuめっきされたコネクタ端子接点不良解析」 を紹介します。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えTEM、SEM各種断面解析を行っております。 お気軽にご相談いただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
InfineonのTRENCHSTOP(TM)テクノロジーを用いた製品を解析！
当社では、『Infineon製IGBT6(IKQ75N120CS6XKSA1)構造解析レポート、 プロセス解析レポート』をご提供しております。 本レポートでは、IGBT4(HighSpeed3)、IGBT5とIGBT6の特性比較などを 行っております。ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【レポート内容】 ■構造解析レポート ・パッケージ外観、X線観察、パッケージ断面解析、チップ構造解析、EDX材料分析 ・電気特性測定(耐圧、IC-VCE、容量特性) ・HighSpeed3 IGBT、IGBT5との特性比較 ■プロセス解析レポート ・構造解析結果に基づく、製造プロセスフローおよびデバイス特性解析レポート ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
STEM-EDS観察は半導体のPoly-Si(ポリシリコン)間の絶縁膜形状や層構造を確認でき半導体の不具合原因究明に応用できます
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 加えて以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEM-EDSによる半導体絶縁膜評価」 を紹介しています。 本事例は問題なしの結果でしたが、異常検出も可能です。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えFIBとの併用で、試料のある領域に対して3D構築を行う不良個所特定も得意としております。 実際に紹介いたしますのでお気軽にお声がけいただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
GaN Systems製GaNパワートランジスタ「GS61008T-E01-MR」の構造解析・プロセス解析！
当社では、『GaN Systems製100VGaNトランジスタ(GS61008T-E01-MR) 構造解析、プロセス解析レポート』をご提供しております。 構造解析レポートではGaN Systems製GaNパワートランジスタ 「GS61008T-E01-MR」の詳細を明らかにし、プロセスフロー解析 レポートでは構造解析の結果に基づいてチップ製造プロセスの 推定を行っています。 【レポート内容】 ■構造解析レポート ・パッケージ外観、X線観察、チップ平面解析(配線接続、レイアウト確認)、 チップ断面解析(GaNトランジスタ、チップ端部)、GaN-Epi層TEM-EDX分析 ・電気特性測定(Id-Vd、BVdss、容量特性) ■プロセス解析レポート ・製造プロセスフロー抽出・推定、マスク枚数、プロセス・シーケンス断面図 ・電気特性と素子構造の関連解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
XRD：X線回折法
極点測定は特定の結晶面に着目し、試料に対して様々な方向からX線を入射させることで結晶方位の分布を評価する方法です。検出器を着目の結晶面の回折角度(2θ)に固定し、α(試料のあおり角度)とβ(試料の面内回転角)の2つのパラメータを変化させてあらゆる方向に傾いた結晶面を測定します。高い回折強度が観測される方向に結晶方位が集中していることを示します。また、測定結果は右下の図のような極図形で表します。
テクノソルバ社の、機械構造物の設計向け構造解析CAEです。
宇宙用構造物の設計で培ったCFRP部材の設計・解析手法をもとに設計をサポート テクノソルバ社の、機械構造物の設計向け構造解析CAE 【特徴】 ○構造解析業務の受託 ○構造解析の技術コンサルティング ・構造解析ソフトNASTRANを実際の課題に適用するために、 解析評価手法の選択から設計の適正化まで全般にわたってサポート ○構造解析の導入コンサルティング ・構造解析の導入をご検討されるお客様に最適な解析システムをご提案 ・エンジニアのトレーニング ○構造試験に関する技術コンサルティング ・設計結果が妥当かどうかを確認するための試験評価手法をご提案 ・試験の企画・立案、試験データの分析・評価や構造解析モデルの検証、 その技術構築をサポート ●詳細は、カタログダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。
