ICP-RIE『SI 500』
高選択性エッチング！ICPソースと基板電極間の間隔調整によるラジカル供給の最適化
『SI 500』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICP-RIEです。 独自のPTSA200ICPソースによる10＾12[イオン/cm3]の 高いプラズマ密度により高エッチレートを実現。 また、バイアスパワーによるイオンエネルギーの制御で 低ダメージエッチングとなっております。 【特長】 ■ICPパワーによるイオン密度の制御 ■バイアスパワーによるイオンエネルギーの制御 ■ICPソースと基板電極間の間隔調整によるラジカル供給の最適化 ■低ダメージエッチング ■高選択性エッチング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社ハイテック・システムズ
- 価格：応相談
