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スプレー上下にそれぞれ圧力計を搭載した小型エッチングマシン！
『YCE-85V』は、液の投入がしやすいようにサイドタンクを搭載した 小型エッチングマシンです。 タンクには液量の確認ができる窓がついています。 主に、塩化第二鉄液エッチングや塩化第二銅液エッチングの研究開発等の 用途に適しています。 【85Vシリーズの特長】 ■水平揺動ノズルパイプ ■液の投入がしやすいサイドタンク ■タンクの液量が確認できる窓 ■スプレー上下にそれぞれ圧力計 ■85 IIIシリーズをさらに使いやすく改良 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社独自のノズル配置とオシレーション機構により高精度にムラなくエッチングが可能！
『YCE-500WA』は、ボタンひとつで高精度なエッチングが可能な エッチングマシンです。 本体およびその他の箇所も酸、アルカリの両エッチャントに対応できる 完全耐蝕性材料を採用しております。 また、作業の安全性を保証する大きな点検窓や丈夫な圧力バルブ類を 使用しています。 【特長】 ■ボタンひとつで準備運転からエッチング、水洗まで全自動で処理 ■オールデイタイマ（オプション）で毎朝すぐにエッチング可能 ■デジタル温調器、液循環ポンプの採用で液温はムラなく一定に コントロール ■デジタル表示でコンベアスピードを正確にコントロール ■液不足、水不足、異常加熱など安全保護装置を内蔵 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
研究開発用エッチング装置 ＳＰＥ４０
【工程】投入→エッチング→液切→循環水洗→直水洗→絞り→取出し【基板サイズ】Max.W400×L500ｍｍ 厚み0.4〜2.0ｍｍ【ノズル揺動】水平揺動【装置サイズ】W1300×L1590×H1215ｍｍ ・省スペース研究用 ・材料開発やテストに最適 ・PCB・LCDのエッチングが可能
狭いスペースＯＫ、使い用途に合わせた設定変更可能、短納期を実現した『小型エッチングマシン』
【工程】投入→エッチング→液切→水洗１→水洗２→絞り→取出し 【基板サイズ】Max.W400×L500ｍｍ 厚み0.4〜2.0ｍｍ 【ノズル揺動】水平揺動 【装置サイズ】W1420×L1950×H1645ｍｍ ・省スペース研究用 ・材料開発やテストに最適 ・PCB・LCDのエッチングが可能
二宮システム製 ITOエッチング装置
現像・エッチングのファイン化技術や高度な薄板搬送技術を駆使してお客様の付加価値向上に貢献します。
板厚５０μｍのワークを安定して搬送可能、FPC搬送対応も可能です。
銅表面粗化処理装置 マイクロエッチング装置は、板厚５０μｍのワークを安定して搬送可能な表面処理装置です。ファイン化仕様ノズルパターンとオシレーション機構により均一な面精度が出せます。上エッチングは個別圧調でさらに高精度です。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。
独自のスポットプラズマ技術で局所加工が可能な卓上プラズマエッチング装置
『TP-50B』は、電波法による設置許可申請も不要の50Ｗ型で、操作も簡単、気軽にプラズマ加工が行える卓上プラズマエッチング装置です。 独自のスポットプラズマ技術で局所加工が可能で、半導体故障解析用試料の前処理（配線の露出）から、各種プラズマ加工に幅広く対応致します。 また小型のため、スペースの限られた研究室で活躍します。 【特長】 ■卓上サイズでコンパクト ■局所的なプラズマ加工が可能（Φ0.5mm～） ■低残渣かつ高速加工を実現（10μm/mim） ■低出力のRF電源（最大出力50W未満） ■試料をステージで移動させた広範囲の加工が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Al系やCrなどの金属膜の微細パターンのエッチングに対応！デモ機常設！装置見学、サンプルテスト対応中
『ICPメタルエッチング装置』は、先端薄膜プロセスに対応した 金属膜対応の高密度プラズマエッチング装置です。 半導体、MEMSなどの汎用デバイスだけでなく露光用マスクや金属基板の 表面処理などの特殊プロセスにも積極対応いたします。 独自のチャンバ内構造により抵パーティクルのメタルエッチング (nmレベル)を実現しており、高い歩留りと稼働率が特長です。 【特長】 ■nmレベルのメタル膜の精密エッチング ■独自機構による抵パーティクルプロセス ■メタル膜、化合物半導体基板など幅広い用途へのプロセス対応 ■ナノインプリントモールド用「SERIO」の基本構成を生かした 高いハードの信頼性 ■ウェハだけでなく特殊材質、形状基板への積極対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
平滑なエッチング面と高い加工精度を実現！サンプルテスト対応いたします！
『SERIO』は、Si深掘り、石英の垂直加工、有機膜のエッチングなど 幅広い用途に対応する高密度プラズマエッチング装置です。 実績豊富なICPプラズマ電極を搭載し、平滑なエッチング面と高い 加工精度を実現。スキャロップの無い平滑なエッチングが可能で、 ナノインプリントモールドの作成に適しています。 平滑なエッチング側面、加工面の垂直性、開口部の角度制御などナノイン プリントモールドに必要な多くのプロセス性能を備えています。 【特長】 ■スキャロップの無い平滑なエッチング側面 ■高いSi深掘り時の垂直性（90°±2°） ■エッチングテーパー角の制御性 ■高開口度エッチングに対応 ■デモ機を常設 ■サンプルテストに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コンパクトなバッチタイプでサブミクロンのエッチングに対応、サンプルテスト対応によるプロセスサポートが特徴のプラズマエッチング装置
バッチタイプでサブミクロンのＳｉ酸化膜のエッチングに対応。 ＳｉＮ、Ｓｉ系薄膜だけでなく高融点金属や難エッチング材にも対応 石英の垂直性エッチング、厚膜レジストの微細加工等ニッチデバイスの加工に最適。 プラズマモード切替によるマルチステッププロセスでアッシングやクリーニングまで幅広い用途に積極対応
数百台の実績を誇る汎用性に優れたドライエッチング装置。
● 高い選択比と高精度のエッチングが可能。 ● PLCコントロールによる自動運転およびプロセスパラメータの保存が可能。 ● 試料はφ8インチまで対応可能。 ● 高速排気エッチングが可能。 ● コンパクト設計
これまでの加工実績をベースに行ったGaNのトレンチ加工をご紹介します
当社は半導体製造装置メーカーとして、GaN系発光デバイス製造における ICPエッチング装置、CVD装置及びプロセス技術を提供してきた実績があります。 また、4H-SiCパワーデバイスに対してもトレンチ加工、メサ加工等に対応で きる装置を提供。 当資料では、これまでの加工実績をベースに行ったGaNのトレンチ加工を ご紹介しています。 【掲載内容】 ■はじめに ■トレンチMOSFETの模式図 ■GaNのトレンチ加工 ■エッチング結果 ■最後に ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
2反応室、2カセット対応の生産装置！ナノからマイクロレベルのSi深掘りが可能
『RIE-800BCT』は、放電形式に誘導結合プラズマを採用した 生産用シリコン深掘り装置です。 高速なエッチングレートとレジストとの選択比を保ちながら、50以上の 高アスペクト比加工や低スカロップ加工が可能。 また、ガスの高速切替を行うことにより、エッチングレートを維持したまま スカロップの低減ができます。 【特長】 ■ナノからマイクロレベルのSi深掘りが可能 ■最大Φ8”ウエハ対応 ■50以上の高アスペクト比加工 ■低スカロップ加工 ■豊富なプロセスライブラリ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
簡単操作のCtoCロボット搬送付き現像/エッチング装置。用途によりデベロッパー、エッチャー共に製作可能
用途、ご予算に応じてカスタマイズできますのでお問合せ下さい。 又、搬送機構を持たない汎用機もございます。
【デモ機貸し出し可能！】ウエハーは専用のバレルに装填され処理されます
本機はハイスピードでウエハーのエッチング処理を行う装置です。 ウエハーは専用のバレルに装填され処理されます。 詳しくはお問い合わせ下さい。
「XeF2エッチング装置」「バッチ式アッシング装置」などの実績を保有しています
ジャパンクリエイト株式会社が行なった、『ドライエッチング装置』の オーダーメイド製作実績をご紹介します。 「研究開発用ICPエッチング装置」や「ICPプラズマエッチング装置」 「XeF2エッチング装置」「バッチ式アッシング装置」などの実績を保有。 デモ機にてサンプル処理を実施しております。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【製作実績】 ■研究開発用ICPエッチング装置 ■ICPプラズマエッチング装置 ■XeF2エッチング装置 ■バッチ式アッシング装置 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基板バイアス機構！当社のマイクロウエーブPECVD/エッチング装置をご紹介
『scia Cube 300/450/750』は、300×300mm、450×450mm、 750×750mm基板対応のマイクロウエーブPECVD/エッチング装置です。 プロセスは、マイクロウエーブPECVD、反応性イオンエッチング(RIE)と なっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■300×300mm、450×450mm、750×750mm基板対応 ■基板バイアス機構 ■基板冷却加熱機構(-10～850℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高選択性エッチング！ICPソースと基板電極間の間隔調整によるラジカル供給の最適化
『SI 500』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICP-RIEです。 独自のPTSA200ICPソースによる10＾12[イオン/cm3]の 高いプラズマ密度により高エッチレートを実現。 また、バイアスパワーによるイオンエネルギーの制御で 低ダメージエッチングとなっております。 【特長】 ■ICPパワーによるイオン密度の制御 ■バイアスパワーによるイオンエネルギーの制御 ■ICPソースと基板電極間の間隔調整によるラジカル供給の最適化 ■低ダメージエッチング ■高選択性エッチング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
プラズマアシストリアクティブ成膜可能！インテグレーション用オプションなどにも対応
『FLARIONシリーズ』は、プラズマ成膜及びエッチング装置です。 PLUMシリーズのシームレスICPによるプラズマアシストリアクティブ成膜が可能。 また、基板回転機構、バイアス機構やプログラム制御された 軸動作機構の搭載が可能で、カスタマイズやインテグレーション用 オプションに対応しています。 【特長】 ■PLUM シリーズのシームレスICPによる プラズマアシストリアクティブ成膜可能 ■基板回転機構、バイアス機構や プログラム制御された軸動作機構搭載可能 ■カスタマイズやインテグレーション用オプション対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
LCD用基板を水平搬送にて、エッチング・シャワー洗浄、乾燥処理を行います。
WETプロセス装置 LCD枚葉エッチング装置は、LCD用基板を水平搬送にて、エッチング・シャワー洗浄、乾燥処理を行います。 株式会社電子技研の洗浄等のスピンをはじめとするWET装置技術は、ウエハ・ガラス基板等をはじめ、プリント基板、金属基板等の洗浄、その他多用途で半導体・LCD業界、医療業界、食品業界他、幅広い業界のニーズに対応できます。 【特徴】 ○ディップ、スプレー及び揺動機能方式エッチングにより 均一なプロセスを実現 ○エッチング/シャワー洗浄/乾燥等のプロセスを並列処理 ○基板傾斜水洗機能による自然落下効果及び置換の高効率化 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
独自のスポットプラズマ技術で局所加工が可能な卓上プラズマエッチング装置
『TP-50B』は、電波法による設置許可申請も不要の50Ｗ型で、操作も簡単、 気軽にプラズマ加工が行える卓上プラズマエッチング装置です。 独自のスポットプラズマ技術で局所加工が可能で、半導体故障解析用試料の 前処理（配線の露出）から、各種プラズマ加工に幅広く対応致します。 また小型のため、スペースの限られた研究室で活躍します。 【特長】 ■卓上サイズでコンパクト ■局所的なプラズマ加工が可能（Φ0.5mm～） ■低残渣かつ高速加工を実現（10μm/mim） ■低出力のRF電源（最大出力50W未満） ■試料をステージで移動させた広範囲の加工が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フラットミリングとSEM観察
Pbフリーはんだの結晶粒界や ボンディングパッドのボイド、まためっき表面とはんだの 境界面の状況がより緻密に観察できます。 【特徴】 ○アルゴンイオンの均一な照射によってSEM観察にも耐える完璧な覆面仕上が可能です。 ○5mm径の広い範囲を均一にスパッタエッチングでき、50nm/min(Cu)の高いミリングレートで処理します。 ○安定した放電電流（2～6kV）によって再現性のよい試料を提供できます。 ○光学顕微鏡に比べ分離機・焦点深度に優れ、微小領域の観測に適しているFF-SFM、SEM（2台）が24時間体制で対応しています。 ・詳細はお問い合わせ下さい
極薄SUS箔もシワなく安定搬送する独自ロール配置設計
『SUSエッチング装置』は、パターニングされたSUS箔を高精度にエッチングする装置です。 極薄SUS箔でもシワ・角折れ・打痕を防止し、安定したエッチング品質と高い歩留まりを実現します。 さらに、スプレー圧力・薬液濃度・温度・薬液比重などを統合的に制御する自動管理システムを搭載。 常に最適なエッチングバランスを維持し、製品品質を一定に保ちます。 【特長】 ■ パターニングされたSUS箔を高精度にエッチング ■ 独自搬送設計で極薄製品も安定搬送 ■ スプレー圧力や薬液条件を自動制御し品質を安定化 ※詳しくは下記までお気軽にお問い合わせ下さい。 https://toagrp.co.jp/contact
エッチングマシン製作のことならキムラ・エッチング
研究開発用途の実験装置から生産装置まで、各種ウエット処理(エッチング、現像、剥離、洗浄等)装置を設計・製作しております。装置本体材質はＰＶＣがメインですが、使用薬液・温度に応じてＰＰ、ＰＶＤＦ、ＳＵＳでも製作しております。弊社の装置は全て、お客様の御要望にあわせて製作するＣｕｓｔｏｍ商品です。装置改造・移設などの現場作業も承っております。
局所的なエッチング領域を形成！走査することによる高精度形状創成
『MS-3030LWE』は、局所的な液相エッチング領域を速度制御走査する ことにより任意な形状創成を行うことができる数値制御ローカルウェット エッチング装置です。 非接触な化学的無歪加工法なので、振動などの外乱に対して鈍感。 加工量は、エッチャントの滞在時間及と温度によってナノメータオーダーの 加工精度で正確に制御でき、任意形状を創成できます。 【特長】 ■非接触加工 ■化学的無歪加工 ■ナノメータオーダーの加工精度 ■5軸NC制御により任意形状創成 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工！プロセスガスからラジカルを選択的に生成
『CCP-T60M/B2M』は、高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工を実現する 平行平板型エッチング装置です。 プロセスガスからラジカルを選択的に生成し、低電子温度、高密度プラズマが 得られる60MHzパワーを上部電極に印加。 また、常に適切なエッチングプロセス条件が維持されるシーケンスプログラムを 内蔵しています。 【特長】 ■平行平板型エッチング装置 ■高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工を実現 ■プロセスガスからラジカルを選択的に生成 ■60MHzパワーを上部電極に印加 ■シーケンスプログラムを内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
安定した量産、低価格！基板へのインパクトが低い、エッチング装置
東京化工機では、高いエッチファクターを量産で安定的に実現した、 ハイブリッドエッチング装置を取り扱っています。 特殊な添加剤を使用しないので低コストでありながら、 新技術により表裏のエッチング形状が同等です。 薄物搬送に適していて、40μmの搬送が可能。 基板へのインパクトが低くテンティングに有利です。 【特長】 ■特殊な添加物を使用しないので低コスト ■高いエッチファクターを量産で安定的に実現 ■新技術により表裏のエッチング形状が同等 ■薄物搬送に適しており、40μmの搬送が可能 ■基板へのインパクトが低くテンティングに有利 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高いメンテナンス性！エッチング均一性・パターン精度が向上した、エッチング装置
東京化工機の『エミネント2』は、5カ国180装置納入実績を誇る エッチング装置「エミネント」の後継機です。 スプレー形状、流量改善等による基板上下両面の均一性が、 35％以上改善されました。 また、新型ホイールを採用し、コア材40μm基板の量産搬送対応を確立。 メンテナンス性も大幅に向上しました。 【特長】 ■エッチング均一性向上 ■薄物搬送性向上 ■メンテナンス性の大幅向上 ■パターン精度向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ＵＶ処理より強く、ブラストや研磨より弱い処理が可能。 細長いワークの加工に適し、小型でランニングコストが安い。
・機械的な強度が弱いワークに加工可能 ・非接触処理により、ワークにダメージを与えない ・液体を使用しない ・金属だけでは無く樹脂にも加工可能 ・プロセスに必要なのはArガスと水のみ ・粉塵や廃棄物を出さない ・クリーンルームにも設置可能（真空ポンプは除く） ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
Au, Pt, 磁性材料等の難エッチング材料の加工に最適なドライエッチング装置をご提案！！
イオンビームミリング装置は、ドライプロセスでの微細加工装置として、研究開発から生産まで幅広い用途で使用されています。化学反応を伴わない物理的なエッチングプロセスの為、Au, Pt, 磁性材料、金属多層膜なども簡単に加工可能です。 【特徴】 （１）難エッチング材料を微細加工可能 （２）金属多層膜をワンステッププロセスで加工可能 （３）自公転ステージにより、複数ウエハを均一に同時処理可能 （４）基板冷却ステージ(水冷 or 水冷/ガス冷)により基板温度上昇を抑制し、レジスト焼け防止 （５）ステージ角度可変のため、テーパー加工が容易（異方性エッチング）
