2反応室、2カセット対応の生産装置！ナノからマイクロレベルのSi深掘りが可能
『RIE-800BCT』は、放電形式に誘導結合プラズマを採用した 生産用シリコン深掘り装置です。 高速なエッチングレートとレジストとの選択比を保ちながら、50以上の 高アスペクト比加工や低スカロップ加工が可能。 また、ガスの高速切替を行うことにより、エッチングレートを維持したまま スカロップの低減ができます。 【特長】 ■ナノからマイクロレベルのSi深掘りが可能 ■最大Φ8”ウエハ対応 ■50以上の高アスペクト比加工 ■低スカロップ加工 ■豊富なプロセスライブラリ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【その他特長】 ■独自のプラズマ発生源と反応器構造を有し、垂直なエッチング形状を維持した状態で、高アスペクト比加工ができる ■ガスの高速切替を行うことにより、エッチングレートを維持したままスカロップの低減が可能 ■蓄積してきたプロセスライブラリにより様々な形状、材料の加工が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
【応用例】 ■MEMS(加速度センサ、ジャイロセンサ、圧力センサ、アクチュエータなど)の製作 ■インクジェットプリンタヘッドの加工 ■シリコン貫通ビア(TSV)の形成 ■パワーデバイス(スーパージャンクションMOSFET)の製作 ■プラズマダイシング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
企業情報
ナノレベル~マイクロレベルの薄膜形成および加工の技術に優れ、研究開発用途から生産用途までの装置・技術提供に定評があります。加えまして、今後の市場拡大が見込まれております光源(LED・半導体レーザ)などのオプトエレクトロニクス分野に特化しております。
