高選択性エッチング！ICPソースと基板電極間の間隔調整によるラジカル供給の最適化
『SI 500』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICP-RIEです。 独自のPTSA200ICPソースによる10＾12[イオン/cm3]の 高いプラズマ密度により高エッチレートを実現。 また、バイアスパワーによるイオンエネルギーの制御で 低ダメージエッチングとなっております。 【特長】 ■ICPパワーによるイオン密度の制御 ■バイアスパワーによるイオンエネルギーの制御 ■ICPソースと基板電極間の間隔調整によるラジカル供給の最適化 ■低ダメージエッチング ■高選択性エッチング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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弊社ホームページでFPD・半導体関連の中古設備情報を掲載しています。 ●主な業務内容 半導体製造装置の中古買取、リファビッシュ(再生)、販売、立上業務 半導体製造ラインの構築及びコンサルタント FPD製造装置の中古買取、リファビッシュ（再生)、販売、立上業務 FPD製造ラインの構築及びコンサルタント 半導体製造設備及びFPD製造設備の受託開発・製造・販売 各種装置部品の販売 海外製製造装置の代理店販売