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【デモ実施中！】使用ニーズに合わせてカスタマイズできるイオンソースを搭載した実験用装置
「小型実験用イオンビームエッチング装置」は、DCイオンソースを使用し、基板回転冷却シングルステージを搭載した装置です。 Au、Pt、磁性材等を容易にエッチングし、テーパー加工も簡単にできます。基板表面温度80℃以下での処理が可能です。 微細加工に最適です。 【特徴】 ●有毒ガスを使用しないため、排ガス処理不要 ●エンドポイントディテクター搭載可能 ●イオンビームエッチング装置、イオン源、イオンビーム技術の お問合せやご質問、デモンストレーションについては お気軽にご相談ください。 その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。
イオンソースを使用し、加工対象物にイオンビーム照射をし、ドライエッチングを行うイオンビームエッチング装置です。
小型イオンビームエッチング装置は、DCイオンソースを使用し、基板回転冷却シングルステージを搭載したイオンビームエッチング（IBE）装置です。 微細加工、金属及び磁性体材料もエッチング可能です。 【特長】 ○Au, Pt, 磁性材等を容易にエッチング ○テーパー加工が容易 ○基板表面温度 ８０℃以下での処理が可能 ○有毒ガスを使用しないため、排ガス処理不要 ○エンドポイントディテクター搭載可能 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
不活性ガスArエッチングと反応性ガスによるエンハンスドRIBEが可能！
『QuaZar』は、大面積イオンソースと高度なモーションコントロールにより、 強誘電体PZTなどの難削材のエッチングプロセスにおいてプラズマエッチング では実現困難な垂直エッチング性が実現可能なエッチングプロセッシングです。 独自のIon Source、Marathon Grids、Dual PBN(オプション)の採用により、 従来品と比較しMTBMを3倍に(他社の既存装置にも搭載可能)。 また、REDEP Breaker, AUXILIARY Electrodeにより、RFシャント・ アノード消失を防止します。 【特長】 ■PZTエッチング応用では、EPDなしで貴金属電極層でエッチストップが可能 (サイドウォールにおける析出なしで、かつスムーズな表面) ■PZTエッチングにおけるフォトレジストに対する選択性は、不活性IBEの 0.6：1から、RIBE：1.1：1に向上 ■PZTエッチング速度は、不活性IBEの約20nm/minから、RIBEでは 約30nm/minに向上 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
