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独自のスポットプラズマ技術で局所加工が可能な卓上プラズマエッチング装置
『TP-50B』は、電波法による設置許可申請も不要の50Ｗ型で、操作も簡単、気軽にプラズマ加工が行える卓上プラズマエッチング装置です。 独自のスポットプラズマ技術で局所加工が可能で、半導体故障解析用試料の前処理（配線の露出）から、各種プラズマ加工に幅広く対応致します。 また小型のため、スペースの限られた研究室で活躍します。 【特長】 ■卓上サイズでコンパクト ■局所的なプラズマ加工が可能（Φ0.5mm～） ■低残渣かつ高速加工を実現（10μm/mim） ■低出力のRF電源（最大出力50W未満） ■試料をステージで移動させた広範囲の加工が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
平滑なエッチング面と高い加工精度を実現！サンプルテスト対応いたします！
『SERIO』は、Si深掘り、石英の垂直加工、有機膜のエッチングなど 幅広い用途に対応する高密度プラズマエッチング装置です。 実績豊富なICPプラズマ電極を搭載し、平滑なエッチング面と高い 加工精度を実現。スキャロップの無い平滑なエッチングが可能で、 ナノインプリントモールドの作成に適しています。 平滑なエッチング側面、加工面の垂直性、開口部の角度制御などナノイン プリントモールドに必要な多くのプロセス性能を備えています。 【特長】 ■スキャロップの無い平滑なエッチング側面 ■高いSi深掘り時の垂直性（90°±2°） ■エッチングテーパー角の制御性 ■高開口度エッチングに対応 ■デモ機を常設 ■サンプルテストに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コンパクトなバッチタイプでサブミクロンのエッチングに対応、サンプルテスト対応によるプロセスサポートが特徴のプラズマエッチング装置
バッチタイプでサブミクロンのＳｉ酸化膜のエッチングに対応。 ＳｉＮ、Ｓｉ系薄膜だけでなく高融点金属や難エッチング材にも対応 石英の垂直性エッチング、厚膜レジストの微細加工等ニッチデバイスの加工に最適。 プラズマモード切替によるマルチステッププロセスでアッシングやクリーニングまで幅広い用途に積極対応
新プラズマ源ＨＣＤ（ホローカソード放電）電極搭載、各種メタルやＣｕ薄膜のエッチングに対応。大面積化も容易な新型エッチング装置.
新開発プラズマ源HCｄ（ホローカソード放電）型電極搭載。無磁場・無アンテナのシンプルなk構造で従来型電極より一桁高いプラズマを密度を実現。 独自開発高密度プラズマと独自プロセスで各種メタルだけでなくＣｕ薄膜などの難エッチング材のエッチングに対応。 新開発HCD型ヘッドはスケールアップが容易で矩形基板や大型基板の高精度エッチングが可能。 ３００ｍｍウェハや積層基板、最大１ｍ□までの基板のメタルエッチングに対応。 近年ニーズが高まっている半導体周辺部材（フォトマスク、高密度実装基板）をカバーする従来のプラズマエッチングにとらわれない新型エッチング装置
独自のスポットプラズマ技術で局所加工が可能な卓上プラズマエッチング装置
『TP-50B』は、電波法による設置許可申請も不要の50Ｗ型で、操作も簡単、 気軽にプラズマ加工が行える卓上プラズマエッチング装置です。 独自のスポットプラズマ技術で局所加工が可能で、半導体故障解析用試料の 前処理（配線の露出）から、各種プラズマ加工に幅広く対応致します。 また小型のため、スペースの限られた研究室で活躍します。 【特長】 ■卓上サイズでコンパクト ■局所的なプラズマ加工が可能（Φ0.5mm～） ■低残渣かつ高速加工を実現（10μm/mim） ■低出力のRF電源（最大出力50W未満） ■試料をステージで移動させた広範囲の加工が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工！プロセスガスからラジカルを選択的に生成
『CCP-T60M/B2M』は、高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工を実現する 平行平板型エッチング装置です。 プロセスガスからラジカルを選択的に生成し、低電子温度、高密度プラズマが 得られる60MHzパワーを上部電極に印加。 また、常に適切なエッチングプロセス条件が維持されるシーケンスプログラムを 内蔵しています。 【特長】 ■平行平板型エッチング装置 ■高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工を実現 ■プロセスガスからラジカルを選択的に生成 ■60MHzパワーを上部電極に印加 ■シーケンスプログラムを内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ニッチプな要求に細やかに対応。ライトエッチング・アッシングを薄ウェハや両面処理に、コンパクトタイプＣｔｏＣエッチング装置
薄ウェハ（１００μｍ以下）の自動枚葉搬送を実現したプラズマエッチング装置。マルチモードプラズマとステッププロセスで幅広いプロセスに対応 自然酸化膜除去から厚膜レジストアッシング・クリーニング・ディスカムまで。 ディスクリートＩＣ、パワーデバイス、化合物半導体・ＭＥＭＳなど多くのデバイスの量産現場で多様なプロセスで活躍中
シンプルな機構で高密度プラズマを実現。ウェハから１ｍ□基板まで対応。Ｓｉ系、メタル、有機膜、各種薄膜のダメージレスエッチング
従来型の容量結合型プラズマエッチング装置にくらべ一桁高い密度のプラズマを実現。高周波アンテナや磁石を使用せず、電極構造のみの工夫によって高精度エッチングが可能。従来型のエッチング装置（CCP型・ICP型）とのハード上の互換性も高く低コスト・高い信頼、稼働率の実現に寄与。 ウェハレベルの基板だけでなく大型基板のエッチングにも対応可能 基板の大型化にスムースに対応可能な新型高密度プラズマエッチング装置
ウェハやガラス・大型基板のエッチング・アッシングに実績豊富なバッチタイプエッチング装置。 半導体製造装置部品・材料にも対応
実績豊富なバッチタイププラズマエッチング装置「ＥＸＡＭ」をベースとし最大Φ６００ｍｍもしくは５００ｍｍ□までステージを拡大。 大型ステージでファインピッチのエッチング・各種有機物のアッシング・表面改質・クリーニングなど幅広いプロセスに対応 「従来機種ＥＸＡＭ」同様にウェハ・ガラス・セラミック基板のエッチングを行なうと共に大型実装基板・カット済みのフィルム基板のエッチング・クリーニング・表面処理にも実績豊富。 電子デバイスだけでな半導体製造装置部品や材料などくクリーンネスと繊細な表面処理が求められる大型製品の処理にも最適な新型ドライプロセスツール
培われた技術と新しい感性で、新時代を迎え躍進し続けます！
株式会社三友製作所は、医療用分析機器関連製品の製造、電子顕微鏡関連の 付属品の製造、半導体故障解析用ツールの製造を行うモノづくり企業です。 創業以来精密機械加工を中心に事業を展開し、そこで培われた技術が当社の 技術基盤を形作っています。設計、機械加工、組立・調整まで一貫した生産 形態を持つことで、顧客からの短納期要求にも対応できております。 現在は、医療用分析機器関連製品の製造が大半を占めておりますが、近年、 次世代を見据えた技術開発にも取り組んできております。 私共は、お客様のニーズを先取りし、常にチャレンジャーとして、科学の発展、そして、未来創生の為に貢献していきたいと考えております。 【事業内容】 ■電子顕微鏡関連付属品の製造 ■半導体故障解析ツールの製造 ■精密機械加工 ■分析機器関連製品の製造 ※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICの絶縁層を除去！フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム
当社では、半導体故障解析用プラズマ・エッチング装置を 取り扱っております。 電気的な特性を維持するために金属層を侵食させない、マルチレベルの デプロセッシングから、金属エッチングを含む、高い選択比で損傷のない プロセスまで、RIE、ICP-RIE FAソリューションは、最大200 mmまでの ダイ、パッケージダイおよびウェハーのサンプルでご使用可能。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■ダイ、パッケージダイ、200mmウェーハのプロセス可能 ■蓄積されたプロセスノウハウは、オーバーエッチングを防止 ■フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フランスで設計・製造された業界最小、ウエハトレイのみ交換で2～12インチウエハ対応、Corial 300・500シリーズ
当社で取り扱っている、薄膜用PECVD・ドライエッチング装置 「SHUTTLELINE(R)」・バッチプロセス対応コンパクト300＆500シリーズ についてご紹介いたします。 成膜はPECVD。エッチングはRIE, ICP, ICP-RIE。 ユニークなウエハステージを使用することで、例えば2インチウエハであれば 1枚～最大27枚のバッチ処理可。 開発から量産までお使いいただけます。 【特長】 ■成膜装置PECVDは、チャンバーがコンパクト設計の上、自動クリーニングを 取り入れる事により、スループットを最大にする事が出来る ■エッチング装置は、運用コスト下げられるとの事で、多くのマイクロ LEDメーカーで採用 ■ウエハ片、フルウエハと多様なウエハサイズ・形状に対応 シャトルシステム(ウエハステージ)により、異なるサンプルサイズでも ハードウェアの変更が不要 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
故障解析、MEMS、光MEMS、先端パッケージングなど、幅広い市場向けのエッチング及び成膜が可能！
『Shuttleline200シリーズ』は、エッチング及びPECVDアプリケーション用の 柔軟でマルチパーパスなプラットフォームであり、独自のシャトルコンセプトの 採用により、小片からフルウェーハまで様々なサイズのサンプルに対応した ハンドリングが可能なマルチパーパスエッチング・成膜ソリューションです。 また、RIE、ICP、PECVD、ICP-CVD方式のプラズマ処理技術を可能とし、 R＆D用途及び少量生産に好適なプロセッシングを提供。 具体的には、故障解析、MEMS、光MEMS、先端パッケージング、 パワー半導体用プロセスなど、幅広い市場向けのエッチング及び 成膜が可能です。 【特長】 ■独自のシャトルコンセプトにより、幅広い基板の形状とサイズに 容易に適応可能 ■豊富なオプションと高いアップグレード性を備えた ユーザーフレンドリーな装置 ■RIE方式、ICP方式のエッチングなど高度で特定な要求に対応する マルチパーパス性 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
セミナーでは、HDRF-高密度ラジカルで、ポリマー、HDIレジストを低温除去できる新技術などをご紹介予定
プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社は、東京ビッグサイトにて開催される「セミコンジャパン2024」に出展いたします。 弊社は、プラズマ技術を中心にエッチング、成膜、洗浄装置、ALDライク成膜装置、 イオンビーム装置、PVD装置、RTP装置を取り扱っております。 また、バッチ式スパッタ装置や、電子ビーム蒸着装置もラインアップとして揃えており、様々な用途にご提案が可能です。 ブースにて開催するセミナーでは、HDRF-高密度ラジカルで、 ポリマー、HDIレジストを低温除去できる新技術とKBOUS FAST-CVDの成膜レートで、 ALDライク成膜が可能な新技術をご紹介予定です。ぜひ、ご来場ください。 【開催概要】 ■会期：2024年12月11日(水)～13日(金) 10：00～17：00 ■会場：東京ビッグサイト 東4ホール 4032 ■住所：〒135-0063 東京都江東区有明3丁目11−1 ■最寄り駅 ・りんかい線 国際展示場駅(下車 徒歩約7分) ・ゆりかもめ 東京ビッグサイト駅(下車 徒歩約3分) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
MEMS加工の精度と効率を向上！高精度エッチング・成膜技術をご紹介いたします。 ※4月16日 ～ 4月17日開催
プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社は、東京・両国 国際ファッションセンタービル（KFC Hall)にて開催される 「MEMS Engineer Forum 2025」の技術展示コーナーに出展致します。 ＜展示内容＞ 1.高密度ラジカルによる低温・低ダメージエッチング・クリーニング装置 特許取得済みのHDRF技術（High density radical flux）により、MEMSの歩留低下原因を除去。 ２.これからの高周波デバイスや高速光変調導波路加工に不可欠な加工技術（イオン・ビーム・エッチング） 多層構造物の加工に適したイオン・ビーム・エッチング。ウエハステージのチルト機構により、側壁角度の調整が可能。 ３.化合物半導体のバッチ処理に適したプラズマ・エッチング、成膜装置 「シャトル」（ウエハキャリア）に複数枚のウエハを搭載し、バッチ処理が出来ます。少量産に適した装置。 皆様のご来場を心よりお待ちしております。 ※装置のカタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはお気軽にお問い合わせください。
