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コンパクトなバッチタイプでサブミクロンのエッチングに対応、サンプルテスト対応によるプロセスサポートが特徴のプラズマエッチング装置
バッチタイプでサブミクロンのＳｉ酸化膜のエッチングに対応。 ＳｉＮ、Ｓｉ系薄膜だけでなく高融点金属や難エッチング材にも対応 石英の垂直性エッチング、厚膜レジストの微細加工等ニッチデバイスの加工に最適。 プラズマモード切替によるマルチステッププロセスでアッシングやクリーニングまで幅広い用途に積極対応
高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工！プロセスガスからラジカルを選択的に生成
『CCP-T60M/B2M』は、高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工を実現する 平行平板型エッチング装置です。 プロセスガスからラジカルを選択的に生成し、低電子温度、高密度プラズマが 得られる60MHzパワーを上部電極に印加。 また、常に適切なエッチングプロセス条件が維持されるシーケンスプログラムを 内蔵しています。 【特長】 ■平行平板型エッチング装置 ■高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工を実現 ■プロセスガスからラジカルを選択的に生成 ■60MHzパワーを上部電極に印加 ■シーケンスプログラムを内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
