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シンプルな機構で高密度プラズマを実現。ウェハから１ｍ□基板まで対応。Ｓｉ系、メタル、有機膜、各種薄膜のダメージレスエッチング
従来型の容量結合型プラズマエッチング装置にくらべ一桁高い密度のプラズマを実現。高周波アンテナや磁石を使用せず、電極構造のみの工夫によって高精度エッチングが可能。従来型のエッチング装置（CCP型・ICP型）とのハード上の互換性も高く低コスト・高い信頼、稼働率の実現に寄与。 ウェハレベルの基板だけでなく大型基板のエッチングにも対応可能 基板の大型化にスムースに対応可能な新型高密度プラズマエッチング装置
新プラズマ源ＨＣＤ（ホローカソード放電）電極搭載、各種メタルやＣｕ薄膜のエッチングに対応。大面積化も容易な新型エッチング装置.
新開発プラズマ源HCｄ（ホローカソード放電）型電極搭載。無磁場・無アンテナのシンプルなk構造で従来型電極より一桁高いプラズマを密度を実現。 独自開発高密度プラズマと独自プロセスで各種メタルだけでなくＣｕ薄膜などの難エッチング材のエッチングに対応。 新開発HCD型ヘッドはスケールアップが容易で矩形基板や大型基板の高精度エッチングが可能。 ３００ｍｍウェハや積層基板、最大１ｍ□までの基板のメタルエッチングに対応。 近年ニーズが高まっている半導体周辺部材（フォトマスク、高密度実装基板）をカバーする従来のプラズマエッチングにとらわれない新型エッチング装置
