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エッチング量（深さ）とウェーハの材質を指定するだけで何方でも容易に使用可能
『BEM-301』は、オゾンと気化したフッサンを使用してエッチングする装置です。 エッチング量をモニターしながらエッチングを行いますので、 高精度のエッチングが可能。 また、1枚目からでも正確なエッチングを行うことが可能です。 【仕様】 ■エッチングレート：2μm/H以上 ■平坦度：10%以内 ■エッチング量（深さ）の精度：±5%以内 ■ユーティリティ：O2、N2、HF、DIW、冷却水、AC-100V、AC-200V、酸排気、酸排水 ■外形寸法：1,000W×1,300D×2,000H（mm） ■重量：約300Kg ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
当社で取り扱う、極低温環境でのエッチング装置をご紹介いたします
当社で取り扱う、『Takachi ICP Cryo』をご紹介いたします。 より異方性、高選択性が必要とされるエッチング工程で使用されます。 【特長】 ■温度範囲：-150℃～＋350℃ ■ウエハサイズ：2"～8" ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
BATCHSPRAY技術に100％フォーカス！水・排気・化学品を大幅に削減
当社は、半導体チップ製造プロセス（ウェットエッチング・レジスト剝離・洗浄）装置の製造メーカーです。 スループット最大600wphの「BATCHSPRAY Clean Autoload」や タンクシステムによるケミカル循環方式を採用した「BATCHSPRAY Solvent Autoload」 など様々な製品を取り扱っております。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【Siconnex(サイコネックス)が選ばれる理由】 ■BATCHSPRAY技術に100％フォーカス ■水・排気・化学品を大幅に削減 ■コスト効率が高く、環境保全に対応したプロセス ■充実したサポート体制(サービス、パーツ、プロセス) ■無償の年次装置点検、トレーニング、電話サポート、及び初年度定期 メンテナンス等のパートナーシップアプローチ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
BATCHSPRAY技術に100％フォーカス！水・排気・化学品を大幅に削減【半導体業界向け湿式化学装置】全自動装置
この2チャンバーシステムは、優れたエッチングの均一性を提供するだけでなく、化学物質を節減します。そして、すべてのタイプのウェットエッチングプロセスに対応しています。 高い精度のタンク内における化学物質の混合、終点検出（EPD）、特許取得済みのリテイナーコーム処理システムが含まれています。さらに、SicOzoneレジスト剥離を同じチャンバーに適用でき、これにより柔軟性が向上し、処理ステップを減らすこともできます。 【特長】 ■最大300wphのスループット ■ウェットエッチング・レジスト剝離・洗浄プロセス向け ■2つのプロセスチャンバー ■ばらつきが1％未満の均一性 ■設置面積12m2未満 ■タンクシステムによるケミカルの循環再利用 ■SiC/GaNでプロセス実行可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小型薄板用エッチング装置 ＦＢＥ４０
【工程】投入→エアーナイフ→エッチング→エアーナイフ→循環水洗→直水洗→エアーナイフ→取出し【基板サイズ】Min.W50×L50ｍｍ 厚み0.03〜2.0ｍｍ【ノズル揺動】水平揺動【装置サイズ】W1445×L2010×H1230ｍｍ ・材料開発やテストに最適 ・研究から少量生産に対応 ・PCB・LCDのエッチングが可能
小型超高精度エッチング装置 ＭＰＥ４０
【工程】投入→エッチング→液切→酸洗→液切→循環水洗→直水洗→絞り→取出し【基板サイズ】Max.W400×L500ｍｍ 厚み0.4〜2.0ｍｍ【ノズル揺動】首振揺動【装置サイズ】W1530×L2830×H1860ｍｍ ・材料開発やテストに最適 ・研究から少量生産に対応 ・PCB・LCDのエッチングが可能
ニッチプな要求に細やかに対応。ライトエッチング・アッシングを薄ウェハや両面処理に、コンパクトタイプＣｔｏＣエッチング装置
薄ウェハ（１００μｍ以下）の自動枚葉搬送を実現したプラズマエッチング装置。マルチモードプラズマとステッププロセスで幅広いプロセスに対応 自然酸化膜除去から厚膜レジストアッシング・クリーニング・ディスカムまで。 ディスクリートＩＣ、パワーデバイス、化合物半導体・ＭＥＭＳなど多くのデバイスの量産現場で多様なプロセスで活躍中
シンプルな機構で高密度プラズマを実現。ウェハから１ｍ□基板まで対応。Ｓｉ系、メタル、有機膜、各種薄膜のダメージレスエッチング
従来型の容量結合型プラズマエッチング装置にくらべ一桁高い密度のプラズマを実現。高周波アンテナや磁石を使用せず、電極構造のみの工夫によって高精度エッチングが可能。従来型のエッチング装置（CCP型・ICP型）とのハード上の互換性も高く低コスト・高い信頼、稼働率の実現に寄与。 ウェハレベルの基板だけでなく大型基板のエッチングにも対応可能 基板の大型化にスムースに対応可能な新型高密度プラズマエッチング装置
ウェハやガラス・大型基板のエッチング・アッシングに実績豊富なバッチタイプエッチング装置。 半導体製造装置部品・材料にも対応
実績豊富なバッチタイププラズマエッチング装置「ＥＸＡＭ」をベースとし最大Φ６００ｍｍもしくは５００ｍｍ□までステージを拡大。 大型ステージでファインピッチのエッチング・各種有機物のアッシング・表面改質・クリーニングなど幅広いプロセスに対応 「従来機種ＥＸＡＭ」同様にウェハ・ガラス・セラミック基板のエッチングを行なうと共に大型実装基板・カット済みのフィルム基板のエッチング・クリーニング・表面処理にも実績豊富。 電子デバイスだけでな半導体製造装置部品や材料などくクリーンネスと繊細な表面処理が求められる大型製品の処理にも最適な新型ドライプロセスツール
XeF2エッチング装置
●完全ドライプロセスであるため、スティクションによる自立デバイスの破壊を抑制することが可能。 ●ウエットプロセスにおける前処理、後処理が不要。 ●ガスを断続的に流し、エッチングすることによりエッチングのスピードおよびガスの使用量の制御が容易。 ●プラズマを使用しないため、電界による素子へのダメージ（電子またはイオン衝撃）がない。 ●研究開発用途向けであるため、卓上型で非常にコンパクトな設計。 ●専用機であるため低価格。
化合物半導体プロセス用 ICPエッチング装置
RIE-330iPCは、放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を 採用した化合物半導体プロセス用多数枚処理エッチング装置 【特徴】 ○Φ330mmの大型トレーに対応 Φ2インチウェハーなら27枚、Φ2.5インチウェハーなら17枚、 Φ3 インチウェハーなら12枚、Φ4インチウェハーなら7枚、 Φ6インチウェハーなら3枚同時の処理が可能 ○新型のICPソースであるSSTC（Symmetrical Shieled Tornade Coil）電極の 採用により、大面積に対して高い選択比と高精度で均一性に優れた エッチングが可能 ○低バイアス（-100V以下）での低ダメージプロセスが可能 ○基板ステージおよび反応室内壁の温度制御により、安定した条件での エッチングが可能 ○ロードロック室にもターボ分子ポンプを採用し、より安定したプロセスを提供
真空カセット室を備え、プロセス再現性や安定性に優れた本格生産用装置をご紹介
『RIE-800iPC/RIE-400iPC』は、SiCトレンチ形状の25枚連続加工の安定性を 誇るICPエッチング装置です。 高RFパワー(2 kW以上)を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現。 また、反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・ 低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現しています。 【特長】 <RIE-800iPC> ■最大Φ8”ウエハ対応 ■放電形式に誘導結合プラズマを採用 ■真空カセット室を備えプロセス再現性や安定性に優れる ■ウエハとプラズマ間距離を最適化し、良好な面内均一性を確保 ■TMP(ターボ分子ポンプ)や高周波電源をユニット化し、交換が容易 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
基板を回転させながらエッチング液をスプレーするスピンエッチャー
プログラムは最大99ステップ×50パターン保存可能。 用途に応じ他機種のご用意やカスタマイズもご相談の上行なっています。
【デモ機貸し出し可能！】一連の洗浄・エッチング処理を行い、純水処理・乾燥までを処理する装置です
スプレー式ウエハーエッチング装置は、一連の洗浄・エッチング処理を行い、その後、純水処理・乾燥までを処理する装置です。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。
【デモ機貸し出し可能！】カセットで前処理を行った後、専用バレルで自動エッチングを行います
本機はウエハーの洗浄、エッチング処理を行う装置です。 カセットで前処理を行った後、専用バレルで自動エッチングを行います。 詳しくはお問い合わせ下さい。
RIEモードとDPモードの切り替えが可能！特殊表面処理によるメタルコンタミ低減
『ドライエッチング装置』は、最大φ12インチ基板を全自動で 連続処理することができる量産装置です。 2周波独立印加方式で、特殊表面処理によるメタルコンタミ低減。 マルチチャンバ仕様や各種オーダーメイドも製作いたします。 ガス種およびプラズマモードの切り替えによりエッチング、アッシング及び イオンクリーニングを可能とする汎用性に優れた装置です。 【特長】 ■RIEモードとDPモードの切り替えが可能 ■特殊表面処理によるメタルコンタミ低減 ■省フットプリント ■2周波独立印加方式 ■超低温冷却ステージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
まだ手動ですか？卓上サイズで試験・実験に適した『スプレー式小型エッチング装置』のご紹介！フィルムのエッチング等の使用例も！
『スプレー型小型エッチング装置』は、プリント基板などのエッチング処理や、現像処理をする卓上サイズの基板制作装置です。 エッチング液（塩化第二鉄）の化学反応を使って、銅箔を回路パターン通りにエッチング（化学腐食、蝕刻）加工をします。 手動でやっている作業をスプレー型小型エッチング装置に置き換えれば、 再現性も高まり、作業効率も向上！ フィルムへのプリント時のエッチングにも使用されたこともあるなど、 様々なシーンに合わせてご活用いただけます！ 【特長】 ■コンベア搬送方式なので基板を差し込むだけの簡単処理 ■スプレー(片面)タイプなので、短時間・高品質な基盤に仕上がります ■実験・試作などの少量のエッチングにおすすめです ■ワークサイズは150×200mmまで対応 ■装置本体を机の上に置いて使用できる小型タイプ オプション品の専用排気処理用カバー(MODEL ES-400FC)を使用することにより、サンハヤト製排気装置ES-F2，KS-8などに接続が可能です。 ※詳しくはお問い合わせ、もしくはPDF資料をダウンロードしてご覧ください。
お客様のご要望に沿ったカスタマイズ仕様。実験機から生産機まで対応可能です。
液晶ガラスやタッチパネルなどに用いられる枚葉基盤を処理する装置です 【特長】 ■対応ワーク 100mm角～1000mm角まで対応可能（他のサイズ、形状は別途相談） ■揺動機構（水平揺動・スプレーノズル首振り）を付けることにより、処理効率を向上させます ■カセットtoカセット対応も可能 ※詳しくはPDF（カタログ）をダウンロード頂くか、お気軽にお問い合わせください
エッチング装置
塩化第二鉄及び、塩化第二銅を使用し 現像後の銅箔をエッチングする装置 【特徴】 ○Lane構成：2Lane ○搬送速度：2.0m/min ○材料幅：TAB/CSP/COF用 35mm〜160mm（FPC用 250〜300mm） ○材料厚み：PI 25μm〜 ○加工面：片面 ○装置構成 ：巻出〜エッチング〜水洗〜液切り〜乾燥〜巻取 ○ユーティリティー ・電源 AC200V・220V / 50Hz・60Hz ・市水、純水、冷却水、スクラバー、熱排気、( スチーム ) ○装置寸法 ：16m（L）×2.5m（W）×2.5m（H） ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。
搬送速度は5.0m／min、材料幅は310mmまで対応！金属箔（ALなど）の表面をエッチング
当装置は、金属箔（ALなど）の表面をエッチングする装置です。 搬送速度は5.0m／min、材料幅は310mmまで対応。 装置は、巻出～エッチング処理～洗浄～乾燥～巻取の構成と なっております。 薄物で非常に脆弱な機材を当社の低テンション搬送技術により、 キズ・シワなく搬送し連続処理を行います。 【仕様】 ■Lane構成：1Lane ■材料厚み：20μm～ ■加工面：片面 及び 両面 ■ユーティリティー：電源（AC200・220V／50・60HZ）、 純水、市水、冷却水、スクラバー、 熱排気、（スチーム） ■寸法：15m（L）×2m（W）× 2.5m（H） ※操作盤・付帯設備は除く ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
搬送速度は1.5m/min、材料幅は350mmまで対応！薬液温度・圧力を精度よくコントロール
当装置はFPC等の薄い枚葉基板をロールtoロール搬送し連続にて エッチングを行います。 装置は、巻出（基板投入）～ラミネート～エッチング～水洗～ 酸洗～水洗～巻取（基板剥がし）～水洗～乾燥～基板積載の構成。 また搬送機構以外にも薬液温度・圧力を精度よくコントロールを行います。 【仕様】 ■Lane構成：1Lane ■搬送速度：1.5m/min ■材料幅：MAX350mm ■材料厚み:50μm～ ■加工面：片面 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
薄物製品を当社の搬送技術により、キズ、シワなく搬送し連続処理をする装置をご紹介
『ロールtoロール エッチング装置』は、薄物製品を当社の搬送技術により、 キズ、シワなく搬送し連続処理をする装置です。 搬送速度は、常用5.0m/minです。 対象とする樹脂フィルム材質（アルミ・銅・ステンレス等）に合わせ、 装置構成を組みご提案致します。 【特長】 ■装置サイズ：15000mm(L)×2100mm(W)×2600mm(H) ■基材幅：MAX 310mm ■処理工程：巻出⇒エッチング処理⇒洗浄⇒乾燥⇒巻取 ■搬送速度：常用 5.0m/min ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高温エッチング対応機
高温でエッチングを行うエッチング機です 【特長】 ◆80℃もの高温にてエッチング ◆チタン等の厚もののエッチングも可能です ◆創業52年の湿式エッチング機器メーカならではの 高品質 ■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□ ＝＝＝＝＝詳細はお問い合わせください＝＝＝＝＝
バキュームエッチング装置
基盤作成のためのバキュームエッチング装置です 当社自慢のチップオンフレキシブル、テープオンボードの技術を活かし 基盤回路幅を25μmまで極小化できます 【特長】 ◆業界をリードするバキュームエッチング技術を駆使 ◆当社の誇る、他の基盤製造機械との連携により回路幅を25μmまで極小化 ■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□ ＝＝＝＝＝詳細はお問い合わせください＝＝＝＝＝
バキュームエッチング技術により高精細なパターン処理を実現！面内バラツキ無く仕上がります
株式会社フジ機工の取り扱う、パターン形成用のエッチング装置を ご紹介します。 バキュームエッチング技術により高精細なパターン処理を実現し、 ほぼ面内バラツキ無く仕上がります。 また、微細な半導体パッケージ基板から厚銅基板まで対応できます。 【特長】 ■枚葉基板からRoll to Rollによるフレキシブル基板まで対応 ■微細な半導体パッケージ基板から厚銅基板まで対応 ■バキュームエッチング技術により高精細なパターン処理を実現 ■ほぼ面内バラツキ無く仕上がる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【デモ実施中！】使用ニーズに合わせてカスタマイズできるイオンソースを搭載した実験用装置
「小型実験用イオンビームエッチング装置」は、DCイオンソースを使用し、基板回転冷却シングルステージを搭載した装置です。 Au、Pt、磁性材等を容易にエッチングし、テーパー加工も簡単にできます。基板表面温度80℃以下での処理が可能です。 微細加工に最適です。 【特徴】 ●有毒ガスを使用しないため、排ガス処理不要 ●エンドポイントディテクター搭載可能 ●イオンビームエッチング装置、イオン源、イオンビーム技術の お問合せやご質問、デモンストレーションについては お気軽にご相談ください。 その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。
イオンソースを使用し、加工対象物にイオンビーム照射をし、ドライエッチングを行うイオンビームエッチング装置です。
小型イオンビームエッチング装置は、DCイオンソースを使用し、基板回転冷却シングルステージを搭載したイオンビームエッチング（IBE）装置です。 微細加工、金属及び磁性体材料もエッチング可能です。 【特長】 ○Au, Pt, 磁性材等を容易にエッチング ○テーパー加工が容易 ○基板表面温度 ８０℃以下での処理が可能 ○有毒ガスを使用しないため、排ガス処理不要 ○エンドポイントディテクター搭載可能 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
