ソフトエッチング装置【nanoETCH】
グラフェン・TMDC・レジスト・SiO2・h-BNエッチング
【nanoETCH(ナノエッチ)】Model. ETCH5A <30W(制御精度10mA)低出力RFエッチングによる、精密でダメージレスなエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞を受賞したマンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術。
- 企業:テルモセラ・ジャパン株式会社 本社
- 価格:応相談
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グラフェン・TMDC・レジスト・SiO2・h-BNエッチング
【nanoETCH(ナノエッチ)】Model. ETCH5A <30W(制御精度10mA)低出力RFエッチングによる、精密でダメージレスなエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞を受賞したマンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術。