ソフトエッチング装置【nanoETCH】

＜30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D（遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン）エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要） • SiO2エッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要） • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

研究開発用のRF/DCマグネトロン式スパッタリング装置です。 高性能・多機能にも関わらず、実験室の限られたスペースにもフィットするコンパクトサイズ、7inch前面タッチパネルによる簡単操作。 ● 到達圧力 ≤5 x10-7mbar（*10-6mbar台まで最速15分） ● 膜均一性 ±3% ● 多彩なオプション：上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他 ● 3源カソード + MFCx3系統、連続多層膜・同時成膜など多目的に活用頂けます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板：2"（〜3元）、又は"（1元源） ◉ 2"カソード x 最大3元 ◉ タッチパネル簡単操作 PLC自動プログラム制御 ◉ APC自動プロセス圧力コントロール ◉ MFC 最大3系統 ◉ USB端子付 Windows PC接続、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでシステムライブモニタ、データロギング。 ◉ 真空系：TMP + RP（*ドライポンプオプション） ◉ 基板回転・上下昇降・加熱（Max500℃） ◉ 水晶振動膜厚モニタ/コントローラ

多元マルチスパッタリング装置（Φ12inch基板対応） ・4元同時成膜（DC, RF, 又はPulseDC）スパッタ ・RF3050W, DC1.5KW両電源を4元カソード（Source1, 2, 3, 4）へ自在に配置変更 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などとの混在仕様も構成可能です。

80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着（金属/絶縁物/有機材料）、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ：Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ（標準500℃、Max1000℃） ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能