☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆

グラフェン・TMDC・レジスト・SiO2・h-BNエッチング

【nanoETCH（ナノエッチ）】Model. ETCH5A ＜30W（制御精度10mA）低出力RFエッチングによる、精密でダメージレスなエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞を受賞したマンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術。

• エッチング装置

標準モデル登場！低コスト・短納期で提供可能になりました｡ 高真空、多層連続膜・同時成膜、RF/DC多目的スパッタ装置。

高機能 多目的 RF/DCマグネトロンスパッタリング装置 タッチパネル簡単操作 熟練度を問わずどなたでも簡単に操作が可能です。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ：Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力：5 x 10-5 Pa（10-3paまで10分、10-4paまで20分以内） ● 2"マグネトロンカソード x 2：自動連続多層膜, 2源同時成膜（RF/DCのみ） ● RF150W、DC780W両電源搭載 ● MFC x 3：プロセスガス3系統（Ar, O2, N2） ● 主排気TMP、粗挽RP（*ドライポンプ オプション） ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属：システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

• スパッタリング装置
• 蒸着装置
• その他半導体製造装置

限られたラボスペースを有効活用できる小型ベンチトップサイズ装置に、最新の真空蒸着技術の全てを収納しました。

OLED, OPV, OTFT等の有機材料用・温度応答性/安定性に優れた高性能有機ソースLTE（最大4源）、交換・メンテナンスが容易に行える金属蒸着ソースTE（最大2源）を採用、手動運転モードから、自動連続多層膜、同時成膜の自動モードでの運転も可能です。 コンパクトサイズにも関わらず、基本性能・膜質・均一性・操作性の全てを犠牲にせず、スタンドアローン大型機と同様の性能を実現しました。 更に簡単タッチパネル操作でPLC全自動制御。 難しい操作手順を必要とせずどなたでも直感的に操作ができる分かりやすいHMI。 リモートソフトウエア「IntelliLink（インテリリンク）」付属：USBケーブルでWindows PCに接続し、装置運転状況モニター、ログ保存、オンライン/オフラインレシピ作成保存、故障解析などが可能です。 限られた開発現場・ラボスペースを最大限有効活用ができる省スペース設計・メンテナンス性にも優れたコンパクトサイズ真空蒸着装置です。

• 蒸着装置

スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置

抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） ・蒸着範囲：Φ4inch/Φ100mm ・真空排気系：ターボ分子ポンプ + 補助ポンプ（ロータリー、又はドライスクロールポンプ） ・基板回転、上下昇降ステージ ・Max500℃基板加熱ヒーター ・水晶振動子膜厚センサー ・7”タッチパネルHMI操作（’IntelliLink’ WindowsPCリモート監視ソフト付属）

• スパッタリング装置
• アニール炉
• 蒸着装置

◉ 短時間 1バッチわずか30分で容易にグラフェン合成実験が可能 ◉ 高精度温度・圧力制御 ◉ 洗練されたソフトウエア

◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール ◉ 急速昇温：1100℃/約3分間 ◉ 高精度温度制御：±1℃ ◉ 高精度APC自動圧力制御システム：ガス3系統（Ar, H2, CH4） ◉ グラフェン作成用標準レシピ付属 ◉ コンパクトサイズ：405(W) x 415(D) x 280(H)mm

• CVD装置

モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。

【フレキシブルシステム】 MiniLab薄膜実験装置シリーズは、豊富なオプションから必要な成膜方法・材料に応じて都度、ご要望に適したコンポーネント（成膜ソース、ステージなど）、制御モジュールを組み込み、カスタマイズ品でありながら無駄の無いコンパクトな装置構成を容易に構築することができます。モジュラー式システム設計により構成バリエーションが豊富、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。 MiniLabシリーズは、研究開発から小規模生産用途まで幅広く対応するハイコストパフォーマンスシステムです。 【スモールフットプリント・省スペース】 ・シングルラックタイプ（MiniLab-026/090）：590(W) x 590(D)mm ・デュアルラックタイプ（MiniLab-070/080）：1200(W) x 590(D)mm ・トリプルラックタイプ（MiniLab-125）：1770(W) x 755(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。

• スパッタリング装置
• エッチング装置
• 蒸着装置

【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置

◉ グラフェン, カーボンナノチューブ ◉ ZnOナノワイヤ ◉ SiO2等の絶縁膜など その他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに対応

• CVD装置
• アニール炉
• 加熱装置

モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。

【フレキシブルシステム】 MiniLab薄膜実験装置シリーズは、豊富なオプションから必要な成膜方法・材料に応じて都度、ご要望に適したコンポーネント（成膜ソース、ステージなど）、制御モジュールを組み込み、カスタマイズ品でありながら無駄の無いコンパクトな装置構成を容易に構築することができます。モジュラー式コンポーネント・制御機器設計によりバリエーションが豊富、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。 MiniLabシリーズは、研究開発から小規模生産用途まで幅広く対応するハイコストパフォーマンスシステムです。 【スモールフットプリント・省スペース】 ・シングルラックタイプ（MiniLab-026/090）：590(W) x 590(D)mm ・デュアルラックタイプ（MiniLab-070/080）：1200(W) x 590(D)mm ・トリプルラックタイプ（MiniLab-125）：1770(W) x 755(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。

• スパッタリング装置

小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成

モジュラー式コンポーネント・制御機器の装置設計により無駄が無く、小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ（最大3元）もしくは抵抗加熱蒸着（金属 最大4、有機 x4）、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、プラズマエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます（*要仕様協議）。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ 最大基板サイズ：Φ6inch ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式（最大4元） ◉ 有機蒸着ソース：1cc or 5cc ◉ Φ2inchマグネトロンカソード（最大3元） ◉ ドライエッチング ◉ グローブボックス搭載可能（オプション 要仕様協議） ◉ その他オプション： 2元同時成膜、HiPIMS、デポレート・膜厚自動制御、特注基板ホルダ、基板回転/昇降、基板加熱などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。

• スパッタリング装置
• アニール炉
• 蒸着装置

蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置

コンパクト/省スペース、ハイスペック薄膜実験装置 下記蒸着源から組合せが可能 ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4 ・有機蒸着源 x 最大4 ・電子ビーム蒸着 ・2inchマグネトロンスパッタリングカソード x 4 ・プラズマエッチング：メインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれでも設置可能 【スモールフットプリント・省スペース】 ・デュアルラックタイプ（MiniLab-070）：1200(W) x 590(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。

• スパッタリング装置
• エッチング装置
• 蒸着装置

蒸着・スパッタ・EB等ご要望によりフレキシブルに構成可能。 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着（金属/絶縁物/有機材料）、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ：Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ（標準500℃、Max1000℃） ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能

• 蒸着装置

グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

80ℓ大容積MiniLab-080チャンバーをグローブボックスベンチ内に収納可能な構造にしたMiniLab-080のグローブボックスモデル。作業ベンチを最大限活用できるスライド開閉式チャンバー、メンテナンス性を考慮した背面開閉ドアを採用。プロセス処理後の試料を大気・水分に露出せずグローブボックス内の管理された環境内で一貫した処理ができます。GB, ガス精製機はGBモデルの仕様を参照下さい。 ・最大基板サイズ：Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ（標準500℃, Max1000℃） ・プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング

• スパッタリング装置
• エッチング装置
• 蒸着装置

小型・省スペース! 有機薄膜開発に好適 蒸着・スパッタ・アニール等全ての作業をグローブボックス内でシームレスに行う事ができます。

OLED（有機EL）, OPV（有機薄膜太陽電池）, OTFT（有機薄膜太陽電池）, 又, グラフェン, TMD（遷移金属ダイカルコゲナイド）などの2D材料における成膜プロセスでは、酸素・水分から隔離された不活性ガス雰囲気で試料を取扱う必要があります。 MiniLab-026/090-GBでは、PVDチャンバーをGB内に収納することにより有機膜用途の「酸素・水分フリー」実験環境をコンパクトな省スペース環境で実現します。 【特徴】 ◉ PVD成膜、スピンコート塗布・ホットプレートベーキングなど一連の作業を外気に晒すことなく、GB内でシームレスに行うことができます。 ◉ 省スペース：背面にチャンバーがせり出しませんので、スペースを取りません。 【MiniLab対象】 ◉ MiniLab-026（26ℓ容積）：金属/絶縁物/有機材料蒸着、スパッタリング、プラズマエッチング、アニール ◉ MiniLab-090（90ℓ容積）：金属/絶縁物/有機材料蒸着、EB蒸着、スパッタリング、プラズマエッチング、アニール ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。

• 蒸着装置

有機蒸着源〜800℃、金属蒸着源〜1500℃、真空用 高温加熱セルとしても使用できる高性能真空蒸着ソースです。

OLED蒸発源は最高使用温度1500℃の真空蒸着用 高温蒸着ソースです。 固定ベースを外さずにボディを差し替えるだけで、有機EL等の低温有機蒸着（～ 800℃）用セルと高温加熱（～ 1500℃）セルを交換することができます。 真空成膜用ソースとしてお使いの場合はシャッター・アクチュエータも用意。 800℃以上の高温ヒーターとしてお使いの場合は、内部シールド構造を備え、断熱・熱遮蔽を考慮した設計。 シャッターはフリップ式を採用 チャンバー内に複数のOLEDソースを設置しても他のコンポーネントに干渉することがありません。 上部キャップを外すだけで坩堝を取り出すことができますので、材料の充填・補充作業に手間がかかりません。 本体部は、1cc 坩堝用（最大充填量1.5cc）、10cc 坩堝用（最大充填量15cc）があり、固定ベースをチャンバーから外さず本体ボディをベースに差し替えるだけで交換可能。 熱電対はK、Cのいずれもご指定いただけます。 るつぼ：アルミナ（標準）、石英、PBN、カーボンが選択できます。

• 蒸着装置
• 加熱装置
• 電気炉

不純物なく金属・絶縁物等を堆積するRF, DC, パルスDC対応高効率マグネトロンスパッタカソード。メンテナンス性にも優れます。

【特徴】 ・高真空対応 ・Φ2inch、Φ3inch、Φ4inchサイズ ・クランプリング式を採用、ボンディングが不要 ・メンテナンス性に優れ、容易にターゲットの交換が可能 ・シャッター、チムニーポート、ガスインジェクション、磁性材用高強度マグネット、などのオプションが豊富 ・各種フランジサイズ接続に対応

• スパッタリング装置

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）

高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）

• アニール炉

卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃！ 還元雰囲気用メタル炉も製作致します。

◉ 卓上サイズ 省スペース：258(W) x 360(D) x 363(H)mm（*2inch用チャンバー本体設置寸法） ◉ カスタマイズ自在なヒーター構造： - 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） - 面状ヒーター：Φ2"〜Φ4"ウエハー、小片チップ焼成用 ◉ 昇温時間最速約15分（1500℃）、降温1500℃→100℃まで最短約40分（真空、およびガス置換雰囲気） ◉ ハイスペック&ハイコストパフォーマンス ◉ シンプルな構成、優れた操作性 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。

• 加熱装置
• その他ヒータ
• 電気炉

最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉

◉最高使用温度 Max2000℃ ◉カスタマイズ自在なヒーター構造： - 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） - 面状ヒーター：Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◉PLCセミオートコントロール タッチパネル画面で温度調節計以外の全ての操作を行います。 煩わしいバルブ開閉・ポンプ起動操作が不要、焼成作業前の「真空/パージ」サイクルと焼成作業後の「ベント」を1ボタンで自動シーケンスで行います。 ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。

• 加熱装置

PVD、CVDなどの薄膜実験用基板加熱ヒーター均一性・昇温特性・制御性に優れたヒーターです。RF/DCバイアス仕様も可能。

高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD（スパッタ、蒸着、EB等）、CVDなどの各種真空薄膜実験、高温真空アニール、高温試料解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ●セミカスタム製品です。ご要望に応じて設計製作いたします。 ●予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易（M6スタッドボルト、支柱） ●RF/DCバイアス、基板回転などにも対応 【標準付属品】 ● 熱電対：素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● RF（150W）/DC（1KW）バイアス印加 ● 標準外ヒーター素線（Nb, Mo, Pt/Re, WRe他） ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更（PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他） ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子

• 加熱装置

CVD, PVD（蒸着, スパッタ等）均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター

ヒータープレートにインコネルもしくはBNプレートを採用した、熱放射効率が良く、均熱性に優れた成膜装置・真空薄膜実験用高真空対応ホットプレートです。 【ラインナップ】 ◎ SH-IN（インコネルプレート）：φ1.0〜φ6.1inch 真空・O2・活性ガス用 ◎ SH-BN（BNプレート, Moカバー）：φ2.1〜φ6.1inch 真空・不活性ガス用 【特徴】 ◎ 最高温度1100℃（SH-BN）, 850℃（SH-IN） ◎ 短時間昇温 ◎ 面内温度分布 ±2%以内 ◎ 制御精度・再現性±1℃ ◎ 低価格 ◎ 短納期（標準約2週間 *フランジ付き, 回転・上下機構, 取付ブラケット付きなどは除く）

• CVD装置
• アニール炉
• その他半導体製造装置

超高温基板加熱ステージに、基板昇降・回転、RF/DC基板バイアスの全てが1台で可能! 'All-In-One'コンポーネント

半導体、電子基板、真空薄膜プロセス装置・研究開発用【超高温基板加熱機構】 対応基板サイズ：Φ2〜6inch 真空（UHV対応可能）・不活性ガス・O2・各種プロセス反応性ガス雰囲気等でご仕様いただけます。（詳細別途協議）

• スパッタリング装置

真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット）

ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。

• セラミックヒータ

真空用 高温るつぼ加熱ヒーター。有機蒸着源 800℃、金属蒸着源 1500℃、としても利用できるバーサタイルなヒーターユニット

HTEヒーターは最高使用温度は1500℃の超高温真空用加熱ヒーターユニットです。 蒸発温度の高い材料も使用することができますので、有機EL等の低温有機蒸着（～ 800℃）・高温抵抗加熱蒸着（～ 1500℃）など、真空蒸着成膜用としても様々な用途に応用いただけます。真空成膜用蒸着ソースとしてお使いの場合はシャッター・アクチュエータも追加可能。 800℃以上の高温ヒーターとしてお使いの場合は、内部シールド構造を備え、断熱・熱遮蔽を考慮した設計。 シャッターはフリップ式を採用。チャンバー内に複数の蒸着ソースを設置しても他のコンポーネントに干渉することがありません。 上部キャップを外すだけで坩堝を取り出すことができますので、材料の充填・補充作業に手間がかかりません。 本体部は、1cc 坩堝用（最大充填量1.5cc）、10cc 坩堝用（最大充填量15cc）があり、固定ベースをチャンバーから外さず本体ボディをベースに差し替えるだけで交換することが可能。 熱電対は2 種類、K タイプ、C タイプのいずれかをご指定いただけます。 るつぼ：アルミナ（標準）、石英、PBN、カーボンが選択できます。

• 蒸着装置
• 加熱装置
• 電気炉

ローコスト 必要最小構成（手動制御）管状炉・拡散炉・熱CVDとして応用可能

小片試料〜3inch waferまでの小基板用 サセプタ手動昇降式縦型実験炉 大学・企業研究室での基礎実験用に最適な基礎実験用ローコスト版縦型炉 【用途】 ◉ 半導体・太陽電池・燃料電池・電子基板等の熱処理 ◉ 基礎実験：縦型管状炉・酸化拡散炉・LPCVD等の簡易熱処理実験

• 酸化/拡散装置

ハイパーCLT敷板は、現場で使われるだけでなく、大学との産学連携によってさらなる性能向上を目指しています。 木材を屋外の土木現場で活用するためには、耐久性や水への対策など、さまざまな課題を検証していくことが重要です。 そこで株式会社カイタクは、各大学と連携して研究開発を続けています。 研究成果を実際の製品改良や新しい用途につなげ、より使いやすく付加価値の高い木材敷板へ進化させていくことが目的です。 ハイパーCLT敷板は、国土交通省NETIS登録技術「TH-250021-A」。NETIS登録という実績に加え、産学連携による研究開発も継続しています。 木材、NETIS、土木、大学の技術を組み合わせながら、ハイパーCLT敷板は新しい土木CLTの可能性をさらに広げていきます。

公共工事では、施工品質だけでなく、安全対策や環境への配慮、現場独自の工夫も重要です。そこで提案しやすいのが、木材を活用した土木CLT「ハイパーCLT敷板」です。 仮設道路や搬入路、作業員通路、材料ヤードなどに使用でき、敷鉄板とは違った視点で現場環境を改善できます。夏場の照り返し対策、騒音の抑制、CO2固定、景観への配慮など、導入目的を発注者へ具体的に説明しやすいことも特徴です。 さらに、国土交通省の**NETIS登録技術「TH-250021-A」**であることも、公共工事で提案するうえで大きなポイント。新技術活用や創意工夫の一つとして検討できます。 「なぜこの資材を使うのか」が明確に伝わることは、役所への提案でも重要です。木材、NETIS、土木を組み合わせたハイパーCLT敷板は、実用性と環境配慮を両立する新しい土木資材として、公共工事での活用が広がっています。

Wi-Fi領域に潜む脆弱性や事件を、最近は頻繁に目にするようになってきました。この目に見えない脅威は、悪意のあるハッカー達の標的となり、あるいは内部からの情報持出手段となっています。 弊社では、Wi-Fi領域に潜む脆弱性や事件などを集め定期的に配信しています。関連リンクよりスライドシェアサービスでご笑覧ください。勿論、ダウンロードも可能です。

金属のクラック（き裂）は、設備保全業務の悩みのひとつ。一般的な溶接工法による補修では、熱によってクラック周辺の母材が変化し、残留応力やひずみが発生するため、「クラック再発」や「二次損傷」を誘発するリスクを常に抱えていました。 日之出水道機器(株)「メカニカルスティッチ工法」は、熱を加えずに金属クラック補修が可能な新工法です。 特殊ボルトと補強プレートを使用しクラックを物理的に除去し、母材に熱影響を一切与えずに補修致します。 火気が使用できない環境でも補修できます。熱を加えないことから設備の分解が最小限に抑えられます。 ◎詳しくはお問合せ、もしくはカタログをダウンロードして下さい。

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