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BHS series

最終更新日:2026年09月14日

テルモセラ・ジャパン株式会社 本社
テルモセラ・ジャパン株式会社 本社
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PVD、CVDなどの薄膜実験用基板加熱ヒーター均一性・昇温特性・制御性に優れたヒーターです。RF/DCバイアス仕様も可能。

高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD(スパッタ、蒸着、EB等)、CVDなどの各種真空薄膜実験、高温真空アニール、高温試料解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ●セミカスタム製品です。ご要望に応じて設計製作いたします。 ●予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易(M6スタッドボルト、支柱) ●RF/DCバイアス、基板回転などにも対応 【標準付属品】 ● 熱電対:素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● RF(150W)/DC(1KW)バイアス印加 ● 標準外ヒーター素線(Nb, Mo, Pt/Re, WRe他) ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更(PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他) ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子

    加熱装置
BHS-series_iPROS-1.jpg

BHシリーズ【超高温薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃

BHS-series_iPROS-1.jpg
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  • テルモセラ・ジャパン BH基板加熱ヒーター掲載ページ
  • 特設サイト - 製品・サービス詳細 - https://pr.mono.ipros.com/thermocera/product/

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基本情報

【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【熱電対】 ◉ Kタイプ、又はCタイプ 【ヒーター素線材質】 ◉ Max 1800℃:Graphite, C/Cコンポジット素線_(真空中, Ar, N2) ◉ Max 1500℃:SiCコーティング素線_(真空中, Ar, N2, O2) ◉ Max 1600℃:タングステン素線_(真空中, Ar, N2, He, H2) ◉ Max 1400℃:タンタル素線_(真空中, Ar, N2, He, H2) ◉ Max 900℃:カンタル 素線(真空中, Ar, N2, He ,O2, H2) ◉ Max 900℃:NiCr素線_(真空中, Ar, N2, He, H2, O2, 大気

価格情報

詳細は当社までお問い合わせください。

価格帯

10万円 ~ 50万円

納期

詳細はお問い合わせください

※仕様により納期が変動します、当社までお問い合わせ下さい。

用途/実績例

PVD(スパッタ, ALD, PLDなど)CVD基板加熱ヒーター、分析装置試料加熱用ステージ、高温基板加熱ステージ・ホルダー、など。

詳細情報

  • BHS-1'_iPROS_550.jpg

    BHS-1inchヒーター

  • BHS-2'_iPROS_550.jpg

    BHS-2inchヒーター

  • BHS-4'_iPROS_550.jpg

    BHS-4inchヒーター

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BHシリーズ【超高温薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃

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【SH 高温 基板加熱ヒーター】(Inc/BNプレート Max1100℃)PVD CVD 真空薄膜用 高温 プレートヒーター

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ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ヒーター

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◆HTEヒーター/OLED有機蒸着・高温金属蒸着セル◆ Max1500℃

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実験炉・ヒーター_「PRODUCTS GUIDE_2025」

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【Mini-BENCH 】超高温卓上型実験炉 Max2000℃

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【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max2000℃

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【TCF-C500】超高温小型実験炉 Max2900℃

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薄膜実験装置_「PRODUCTS GUIDE 2025」

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ソフトエッチング装置【nanoETCH】グラフェン・レジスト・SiO2・h-BNエッチング

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【nanoPVD-S10A】RF/DCマグネトロンスパッタリング装置

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◆nanoPVD-T15A◆ 高性能 有機膜・金属膜蒸着装置

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スパッタ・蒸着ソース混在 複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】

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【nanoCVD-8G】グラフェン合成装置

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【Nanofurnace】Model. BWS-NANO 熱CVD装置

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【マグネトロンスパッタリングカソード】

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【MiniLab-026】フレキシブル薄膜実験装置

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多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-S125A】Φ4〜12"対応

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多機能スパッタリング装置 【MiniLab-S070】

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【MiniLab-026/090】グローブボックス薄膜実験装置

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グローブボックス薄膜実験装置【MiniLab-026/090-GB】

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【MiniLab】 蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム

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ウエハースケール グラフェン合成装置【nanoCVD-WGP】

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【PyroUSB】USB接続式 高精度赤外線温度センサー

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【PyroMini USB】USB接続式小型赤外線温度センサー

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【PyroMini】小型高性能赤外線温度センサー

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【ExTemp】本質安全防爆型赤外線放射温度センサー

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【PyroNFC】スマートホン設定式赤外線放射温度センサー

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【PyroCouple】 (パイロカップル)赤外線温度センサー

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XOXIA box X線CT撮影装置

VOXIA box X線CT撮影装置

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コンパクト設計、設置場所を選ばない省スペース設計。 コンパクトボディながら高度計算ソフトにより高解像度のデータを生成します。 * X線管電圧:0〜150kV * 焦点径:7μm(5μm@4W) * 検出器画素:49.5μm、675万画素! * サンプルサイズ:Φ100mm ◉ Vcap(制御ソフト): 撮影対象物、目的に合わせたカスタムメイドの撮影ステージ。撮影から画像出力までの一連の作業をクリック操作だけで行えます。最速20秒で高速連続撮影、撮影開始から画像再構成まで約30秒で処理 ◉ VCT(再構成ソフト): ご指定の撮影対象物に特化した自動計測・解析ソフトをカスタマイズ可能 撮影画像992 x 992ピクセル、プロジェクション数600の撮影データをわずか3.8秒で高速再構成! ◉ MolcerPlus(3D表示解析): 従来他のソフトウエアで困難であった測定条件を可能にするカスタムソフトウエア 画像化した物体を、表示・加工・計測するためのソフトウエア ●高い安全性、 ●多種・多様なサンプルにも対応 ●直感的HMI、簡単操作

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MiniLab series

【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置】総合カタログ

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この度、MiniLabシリーズ薄膜実験装置のカタログを一新しました。 【MiniLabシリーズの特徴】 ◉スパッタ、蒸着(抵抗加熱・有機・EB)、アニール、プラズマエッチング等に対応 ◉モジュラー式 フレキシブルにコンポーネントの組合せを構成(ソース複合型、マルチチャンバーも可能) ◉コンパクト、省スペース設計(幅1,200 x 奥行560mm) ◉優れた操作性:直感的インターフェイス、操作が分散せず全てをタッチパネルで一元管理できます。 研究開発の現場で、必ずやお役に立てるものと確信しております。 ぜひご検討ください。

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Mini-BENCH 超高温小型実験炉 製品画像

□■【Mini-BENCH furnace 】超高温卓上型実験炉 Max2000℃ □■

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卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成:チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系(ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類) ◉ 円筒状ヒーター:るつぼ内サンプル焼成(固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用) ◉ 面状ヒーター:Φ2"〜Φ4"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター:C/Cコンポジット(カーボン炉), タングステン(メタル炉) ・断熱材:グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御:プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度:10-3 Pa台(@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合) ・電源仕様:AC200V 50/60HZ 三相 6〜10KVA ・冷却水:3L/min, 0.4Mpa 25〜30℃ ◆温度制御ユニット◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置 ・電流、電圧計 ◆オプション◆ ・真空排気系(真空ポンプ、真空計、バルブ類) ・特注るつぼ ・架台 他

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Mini-BENCH小型実験炉(Φ2inch仕様)の製品画像

□■【Mini-BENCH furnace】超高温卓上型実験炉 Max2000℃ □■

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卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成:チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系(ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類) ◉ 円筒状ヒーター:るつぼ内サンプル焼成(固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用) ◉ 面状ヒーター:Φ2"〜Φ4"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター:C/Cコンポジット(カーボン炉), タングステン(メタル炉) ・断熱材:グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御:プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度:10-3 Pa台(@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合) ・電源仕様:AC200V 50/60HZ 三相 6〜10KVA ・冷却水:3L/min, 0.2Mpa 18〜20℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置 ・電流、電圧計 ◆オプション◆ ・真空排気系(真空ポンプ、真空計、バルブ類) ・特注るつぼ ・架台 他

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【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。

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