更新日： 集計期間:2025年11月19日～2025年12月16日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年11月19日～2025年12月16日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年11月19日～2025年12月16日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
31～45 件を表示 ／ 全 81 件
エッチング量（深さ）とウェーハの材質を指定するだけで何方でも容易に使用可能
『BEM-301』は、オゾンと気化したフッサンを使用してエッチングする装置です。 エッチング量をモニターしながらエッチングを行いますので、 高精度のエッチングが可能。 また、1枚目からでも正確なエッチングを行うことが可能です。 【仕様】 ■エッチングレート：2μm/H以上 ■平坦度：10%以内 ■エッチング量（深さ）の精度：±5%以内 ■ユーティリティ：O2、N2、HF、DIW、冷却水、AC-100V、AC-200V、酸排気、酸排水 ■外形寸法：1,000W×1,300D×2,000H（mm） ■重量：約300Kg ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
BATCHSPRAY技術に100％フォーカス！水・排気・化学品を大幅に削減【半導体業界向け湿式化学装置】全自動装置
この2チャンバーシステムは、優れたエッチングの均一性を提供するだけでなく、化学物質を節減します。そして、すべてのタイプのウェットエッチングプロセスに対応しています。 高い精度のタンク内における化学物質の混合、終点検出（EPD）、特許取得済みのリテイナーコーム処理システムが含まれています。さらに、SicOzoneレジスト剥離を同じチャンバーに適用でき、これにより柔軟性が向上し、処理ステップを減らすこともできます。 【特長】 ■最大300wphのスループット ■ウェットエッチング・レジスト剝離・洗浄プロセス向け ■2つのプロセスチャンバー ■ばらつきが1％未満の均一性 ■設置面積12m2未満 ■タンクシステムによるケミカルの循環再利用 ■SiC/GaNでプロセス実行可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小型薄板用エッチング装置 ＦＢＥ４０
【工程】投入→エアーナイフ→エッチング→エアーナイフ→循環水洗→直水洗→エアーナイフ→取出し【基板サイズ】Min.W50×L50ｍｍ 厚み0.03〜2.0ｍｍ【ノズル揺動】水平揺動【装置サイズ】W1445×L2010×H1230ｍｍ ・材料開発やテストに最適 ・研究から少量生産に対応 ・PCB・LCDのエッチングが可能
小型超高精度エッチング装置 ＭＰＥ４０
【工程】投入→エッチング→液切→酸洗→液切→循環水洗→直水洗→絞り→取出し【基板サイズ】Max.W400×L500ｍｍ 厚み0.4〜2.0ｍｍ【ノズル揺動】首振揺動【装置サイズ】W1530×L2830×H1860ｍｍ ・材料開発やテストに最適 ・研究から少量生産に対応 ・PCB・LCDのエッチングが可能
ニッチプな要求に細やかに対応。ライトエッチング・アッシングを薄ウェハや両面処理に、コンパクトタイプＣｔｏＣエッチング装置
薄ウェハ（１００μｍ以下）の自動枚葉搬送を実現したプラズマエッチング装置。マルチモードプラズマとステッププロセスで幅広いプロセスに対応 自然酸化膜除去から厚膜レジストアッシング・クリーニング・ディスカムまで。 ディスクリートＩＣ、パワーデバイス、化合物半導体・ＭＥＭＳなど多くのデバイスの量産現場で多様なプロセスで活躍中
シンプルな機構で高密度プラズマを実現。ウェハから１ｍ□基板まで対応。Ｓｉ系、メタル、有機膜、各種薄膜のダメージレスエッチング
従来型の容量結合型プラズマエッチング装置にくらべ一桁高い密度のプラズマを実現。高周波アンテナや磁石を使用せず、電極構造のみの工夫によって高精度エッチングが可能。従来型のエッチング装置（CCP型・ICP型）とのハード上の互換性も高く低コスト・高い信頼、稼働率の実現に寄与。 ウェハレベルの基板だけでなく大型基板のエッチングにも対応可能 基板の大型化にスムースに対応可能な新型高密度プラズマエッチング装置
ウェハやガラス・大型基板のエッチング・アッシングに実績豊富なバッチタイプエッチング装置。 半導体製造装置部品・材料にも対応
実績豊富なバッチタイププラズマエッチング装置「ＥＸＡＭ」をベースとし最大Φ６００ｍｍもしくは５００ｍｍ□までステージを拡大。 大型ステージでファインピッチのエッチング・各種有機物のアッシング・表面改質・クリーニングなど幅広いプロセスに対応 「従来機種ＥＸＡＭ」同様にウェハ・ガラス・セラミック基板のエッチングを行なうと共に大型実装基板・カット済みのフィルム基板のエッチング・クリーニング・表面処理にも実績豊富。 電子デバイスだけでな半導体製造装置部品や材料などくクリーンネスと繊細な表面処理が求められる大型製品の処理にも最適な新型ドライプロセスツール
XeF2エッチング装置
●完全ドライプロセスであるため、スティクションによる自立デバイスの破壊を抑制することが可能。 ●ウエットプロセスにおける前処理、後処理が不要。 ●ガスを断続的に流し、エッチングすることによりエッチングのスピードおよびガスの使用量の制御が容易。 ●プラズマを使用しないため、電界による素子へのダメージ（電子またはイオン衝撃）がない。 ●研究開発用途向けであるため、卓上型で非常にコンパクトな設計。 ●専用機であるため低価格。
化合物半導体プロセス用 ICPエッチング装置
RIE-330iPCは、放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を 採用した化合物半導体プロセス用多数枚処理エッチング装置 【特徴】 ○Φ330mmの大型トレーに対応 Φ2インチウェハーなら27枚、Φ2.5インチウェハーなら17枚、 Φ3 インチウェハーなら12枚、Φ4インチウェハーなら7枚、 Φ6インチウェハーなら3枚同時の処理が可能 ○新型のICPソースであるSSTC（Symmetrical Shieled Tornade Coil）電極の 採用により、大面積に対して高い選択比と高精度で均一性に優れた エッチングが可能 ○低バイアス（-100V以下）での低ダメージプロセスが可能 ○基板ステージおよび反応室内壁の温度制御により、安定した条件での エッチングが可能 ○ロードロック室にもターボ分子ポンプを採用し、より安定したプロセスを提供
真空カセット室を備え、プロセス再現性や安定性に優れた本格生産用装置をご紹介
『RIE-800iPC/RIE-400iPC』は、SiCトレンチ形状の25枚連続加工の安定性を 誇るICPエッチング装置です。 高RFパワー(2 kW以上)を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現。 また、反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・ 低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現しています。 【特長】 <RIE-800iPC> ■最大Φ8”ウエハ対応 ■放電形式に誘導結合プラズマを採用 ■真空カセット室を備えプロセス再現性や安定性に優れる ■ウエハとプラズマ間距離を最適化し、良好な面内均一性を確保 ■TMP(ターボ分子ポンプ)や高周波電源をユニット化し、交換が容易 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
基板を回転させながらエッチング液をスプレーするスピンエッチャー
プログラムは最大99ステップ×50パターン保存可能。 用途に応じ他機種のご用意やカスタマイズもご相談の上行なっています。
【デモ機貸し出し可能！】一連の洗浄・エッチング処理を行い、純水処理・乾燥までを処理する装置です
スプレー式ウエハーエッチング装置は、一連の洗浄・エッチング処理を行い、その後、純水処理・乾燥までを処理する装置です。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。
【デモ機貸し出し可能！】カセットで前処理を行った後、専用バレルで自動エッチングを行います
本機はウエハーの洗浄、エッチング処理を行う装置です。 カセットで前処理を行った後、専用バレルで自動エッチングを行います。 詳しくはお問い合わせ下さい。
